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杜慧玲

作品数：4 被引量：7H指数：2
供职机构：武汉工业大学材料科学与工程学院更多>>
相关领域：一般工业技术电气工程电子电信化学工程更多>>

合作作者

文献类型

  • 4篇中文期刊文章

领域

  • 2篇电子电信
  • 2篇电气工程
  • 2篇一般工业技术
  • 1篇化学工程

主题

  • 4篇导体
  • 4篇阻抗谱
  • 4篇半导体
  • 4篇半导体陶瓷
  • 3篇钛酸
  • 3篇钛酸钡
  • 3篇离子注入
  • 3篇BATIO
  • 2篇镧掺杂
  • 2篇掺杂
  • 1篇氧化钛
  • 1篇陶瓷
  • 1篇陶瓷半导体
  • 1篇阻抗
  • 1篇阻抗特性
  • 1篇钛酸钡陶瓷
  • 1篇PTC
  • 1篇X

机构

  • 4篇武汉工业大学
  • 3篇清华大学

作者

  • 4篇王国梅
  • 4篇杜慧玲
  • 3篇勾焕林
  • 2篇雷家珩
  • 2篇吴建锋
  • 2篇徐晓虹

传媒

  • 1篇陶瓷学报
  • 1篇中国陶瓷
  • 1篇功能材料
  • 1篇现代技术陶瓷

年份

  • 4篇1997
共 4 条 记 录，以下是 1-4
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排序方式：
铜离子注入镧掺杂BaTiO_3半导体陶瓷的阻抗谱研究被引量：2
1997年
本文应用宽频率范围的阻抗谱测量，分析了铜离子注入（１１０ＫｅＶ，６×１０１５和１×１０１７ｉｏｎｓ／ｃｍ２）镧掺杂ＢａＴｉＯ３半导瓷在不同温度时的晶粒电阻晶界电阻和电极与材料界面电阻。提出了相应的等效电路。研究结果表明，注入剂量为６×１０５ｉｏｎｓ／ｃｍ２时，可以提高材料的ＰＴＣＲ效应。此外，也应用阻温特性测量分析了铜离子注入样品的ＰＴＣＲ效应。
王国梅徐晓虹吴建锋杜慧玲勾焕林
关键词：钛酸钡离子注入阻抗谱半导体陶瓷掺杂
Cu注入 PTC BaTiO_3 陶瓷的复阻抗谱研究被引量：6
1997年
对传统工艺法制备的ＢａＴｉＯ３陶瓷进行了Ｃｕ元素的离子注入。在较宽的频率范围内和不同温度下对样品进行了阻抗测量，确定了样品的等效电路。根据阻抗谱分析了Ｃｕ注入ＢａＴｉＯ３多晶陶瓷的晶粒、晶界电阻与温度的关系。结果表明，选择合适的注入剂量的样品，其ＰＴＣ性能优于非注入样品。
杜慧玲王国梅雷家珩
关键词：半导体陶瓷PTC离子注入钛酸钡阻抗谱
铜离子注入镧掺杂BaTiO_3半导体陶瓷的阻抗谱研究
1997年
本文应用宽频率范围的阻抗谱测量,分析了铜离子注入(110kev,6×10^(15)和1×10^(17)ions/cm^2)镧掺杂BaTiO_3半导瓷在不同温度时的晶粒电阻,晶界电阻和电极与材料界面电阻。提出了相应的等效电路。同时,讨论了离子注入剂量的影响,表明铜离子注入剂量较低时,可以提高材料的PTCR效应。此外,也应用阻温特性测量分析了铜离子注入样品的PTCR效应。
王国梅杜慧玲雷家珩勾焕林
关键词：阻抗谱陶瓷半导体钛酸钡陶瓷
铜离子注入(Ba_(1-x)Sr_x)TiO_3半导体陶瓷的交流阻抗特性
1997年
本文测量了铜离子注入（Ba(1－x)Srx）TiO3半导体陶瓷样品在25～180℃，10Hz～13MHz之间的交流阻抗。根据等效电路模型与阻抗谱的变化，分析了注入样品的晶粒电阻、晶界电阻及其对温度的依从位以及样品的PTCR特性。研究表明，注入剂量为6×1015ions／cm2时，可以提高材料的PTCR效应。此外，辅以XPS和阻温特性测量分析注入铜离子的状态及样品的PTCR特性。
王国梅徐晓虹吴建锋杜慧玲勾焕林
关键词：离子注入阻抗谱半导体陶瓷氧化钛
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