李莎莎
- 作品数：10 被引量：12H指数：2
- 供职机构：西南交通大学更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金中央高校基本科研业务费专项资金国际热核聚变实验堆计划更多>>
- 相关领域：一般工业技术经济管理理学交通运输工程更多>>
- 工作气压对室温磁控溅射CIGS膜的影响被引量：1
- 2013年
- 研究了工作气压对磁控溅射法制备CIGS薄膜的影响,采用X射线衍射,扫描电镜,X射线萤光光谱和X射线能量色散谱分析了膜层的组织和成分。研究发现,工作气压升高,薄膜沉积速率降低。当工作气压低于0.2 Pa时,薄膜致密均一;高于0.2 Pa表面出现Cu2-xSe相,并随气压升高在膜表面的覆盖面积增大。对气压影响薄膜表面形貌的机理采用成膜动力学理论进行了讨论。
- 闫勇李莎莎欧玉峰晏传鹏刘连张勇赵勇余洲
- 关键词：工作气压表面形貌
- 我国公共投资对经济增长的贡献及长期影响研究
- 公共投资作为社会总投资的重要部分，对经济的发展和公众生活质量的提高都有着巨大的作用，增加公共投资一直是各国刺激本国经济的重要手段。在计划经济时期，我国政府属于全能型政府，更多的是充当生产者和控制者的角色;在市场经济时期，...
- 李莎莎
- 关键词：政府职能公共投资经济增长风险价值模型
- 溅射时间对Mo薄膜结晶取向的影响被引量：4
- 2013年
- 采用直流磁控溅射法在SLG衬底上沉积Mo薄膜,并用XRD、SEM、四探针等对薄膜进行表征,研究了沉积时间对薄膜晶体结构、表面形貌以及电学性能的影响。研究发现,沉积时间能够调节Mo薄膜的择优取向。溅射时间较短(5～10min)时,沉积的Mo薄膜呈(110)择优取向。溅射时间超过15min后,薄膜呈现(211)取向,且(211)晶面择优程度随沉积时间的增加而提高。随着择优取向的改变,薄膜的表面形貌由三角形颗粒变为长条形颗粒,电阻率也发生相应变化,由3.92×10-5Ω·cm增加到4.27×10-5Ω·cm再降低,对应薄膜生长的晶带模型由晶带T型组织变为晶带2组织。
- 张艳霞冀亚欣欧玉峰闫勇李莎莎刘连张勇赵勇余洲
- 关键词：直流磁控溅射电性能
- 非晶CIGS前驱膜无硒退火的相变历程
- 2012年
- 采用一步射频磁控溅射法在室温获得了CIGS薄膜,研究了不同的真空无硒退火温度(150～350℃)对CIGS薄膜相变历程的影响。薄膜相变历程中的结构和性能采用XRD、SEM、EDS、紫外-可见光吸收和四探针等测试手段进行测试表征。结果表明,室温下制备的CIGS薄膜为非晶态,随退火温度升高发生非晶CIGS→CuSe→CIGS的相变。150℃退火形成的CuSe薄膜的电阻率最低,光透过性能最差。退火温度超过200℃便生成CIGS相,CIGS相的结晶质量随退火温度升高而改善,薄膜的电阻率和光透过率也随退火温度的提高而增加。
- 闫勇张艳霞李莎莎晏传鹏刘连张勇赵勇余洲
- 关键词：退火温度射频磁控溅射CIGS薄膜
- 一种轨道通信差错控制方法
- 本发明公开一种轨道通信差错控制方法，在轨道交通无线通信中采取在某一位置点开始降低最大重传次数，同时保存之后传输的错误包和切换前未来得及确认的数据包，待接入目标小区后再由目标eNB重发，进而合并解码。与现有技术相比，本发明...
- 方旭明李莎莎罗万团
- 文献传递
- 高速铁路LTE系统可靠传输链路研究
- 现有的铁路通信系统GSM-R在高速度、高密度的高速铁路列车运行中，存在诸多挑战与需求，如高清视频监控行车安全，高度冗余与纠错的通信系统，时刻保障通信可靠性等。LTE系统以其显著的高数据传输速率和较低的系统时延，已经被国际...
- 李莎莎
- 关键词：高速铁路LTE系统传输链路语音通信QOS保障
- 一种轨道通信差错控制方法
- 本发明公开一种轨道通信差错控制方法，在轨道交通无线通信中采取在某一位置点开始降低最大重传次数，同时保存之后传输的错误包和切换前未来得及确认的数据包，待接入目标小区后再由目标eNB重发，进而合并解码。与现有技术相比，本发明...
- 方旭明李莎莎罗万团
- 文献传递
- 磁控溅射法制备硒化铟薄膜与性能研究
- In2Se3属于Ⅲ-Ⅵ族化合物半导体，具有二维层状结构，使其拥有独特的性能，在光电材料，相变存储介质，光传感器等领域具有广阔应用前景。In2Se3具有α、β、γ、δ、κ五中晶体结构，各相之间生成能差异很小，因此单相的In...
- 李莎莎
- 关键词：磁控溅射相结构禁带宽度
- 文献传递
- XX公司燃机工程项目供应商的管理问题研究
- 随着市场经济的发展，新能源行业近几年得到了充分的发展。在燃气轮机联合循环发电项目执行过程中，项目管理的过程贯穿整个项目执行过程，项目管理的成败直接决定了项目的成功与否。燃气轮机联合循环发电项目自2005年起国内开始建设第...
- 李莎莎
- 关键词：能源行业供应商管理
- 文献传递
- 双层Mo薄膜的制备工艺与性能被引量：1
- 2013年
- 利用直流磁控溅射法在普通钠钙玻璃(SLG)衬底上沉积双层Mo薄膜,对不同条件下沉积的薄膜通过X射线衍射(XRD)仪、扫描电子显微镜(SEM)、四探针电阻仪等对其相结构、表面形貌以及电性能进行测试。结果表明:双层Mo薄膜呈体心立方结构;由于非晶玻璃基底的影响以及沉积时间较短,缓冲层结晶质量差,薄膜表面粗糙,有空洞、裂纹,电阻率大,随温度的升高电阻率减小,薄膜表现出半导体的特性。随着顶层薄膜(溅射工作气压0.1 Pa)沉积时间的增加,薄膜厚度增加,结晶性能变好,表面更加平整、致密,总体电阻率变小,导电性能提高,随温度的升高电阻率增大,薄膜表现出金属特性。与单层膜相比,双层膜具有更低的电阻率,且溅射时间短,厚度薄,能够降低成本,节省源材料,更符合CIGS电池背电极的需求。
- 张艳霞闫勇李莎莎黄涛刘连张勇赵勇余洲
- 关键词：MO薄膜磁控溅射双层膜导电机制
