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李彤

作品数:97 被引量:53H指数:5
供职机构:天津职业技术师范大学电子工程学院更多>>
发文基金:国家自然科学基金北京市自然科学基金科技部基础研究重大项目前期研究专项更多>>
相关领域:理学电子电信自动化与计算机技术一般工业技术更多>>

文献类型

  • 49篇专利
  • 40篇期刊文章
  • 5篇学位论文
  • 1篇会议论文

领域

  • 19篇电子电信
  • 18篇理学
  • 10篇自动化与计算...
  • 7篇一般工业技术
  • 4篇金属学及工艺
  • 1篇电气工程
  • 1篇交通运输工程
  • 1篇环境科学与工...
  • 1篇医药卫生
  • 1篇文化科学

主题

  • 18篇NIO
  • 14篇欧姆接触
  • 14篇欧姆接触电极
  • 14篇接触电极
  • 14篇击穿电压
  • 14篇二极管
  • 14篇反向击穿
  • 14篇反向击穿电压
  • 12篇整流特性
  • 12篇溅射
  • 12篇磁控
  • 10篇掺杂
  • 10篇磁控溅射
  • 9篇涂层
  • 8篇电流
  • 8篇电流密度
  • 8篇热蒸发
  • 8篇热蒸发法
  • 8篇脉冲
  • 7篇导体

机构

  • 60篇天津职业技术...
  • 36篇北京工业大学
  • 10篇东京理科大学
  • 3篇天津大学
  • 2篇天津理工大学
  • 1篇北京邮电大学
  • 1篇北京有色金属...
  • 1篇南开大学
  • 1篇天津工业大学
  • 1篇南京科技职业...

作者

  • 95篇李彤
  • 30篇王铁钢
  • 19篇倪晓昌
  • 18篇范其香
  • 17篇刘艳梅
  • 13篇戚厚军
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  • 11篇赵新为
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  • 8篇杨新武
  • 8篇陈佳楣
  • 7篇张宇
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  • 6篇才智
  • 5篇邢艳辉
  • 5篇沈光地
  • 5篇刘建平
  • 5篇牛南辉
  • 5篇蔡玉俊

传媒

  • 9篇天津职业技术...
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  • 3篇功能材料
  • 3篇天津工程师范...
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  • 1篇材料导报
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  • 1篇电子显微学报
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  • 1篇材料导报(纳...
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  • 1篇中文科技期刊...
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  • 1篇计算机科学与...
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年份

  • 1篇2024
  • 4篇2023
  • 2篇2022
  • 6篇2021
  • 1篇2020
  • 10篇2019
  • 9篇2018
  • 8篇2017
  • 11篇2016
  • 6篇2015
  • 5篇2014
  • 8篇2013
  • 2篇2012
  • 3篇2011
  • 1篇2010
  • 1篇2009
  • 2篇2008
  • 7篇2007
  • 6篇2006
  • 2篇2004
97 条 记 录,以下是 1-10
排序方式:
Mn掺杂对ZnO∶Mn薄膜结构特性的影响被引量:1
2013年
利用射频磁控溅射方法在玻璃衬底上室温沉积了一系列不同Mn掺杂的ZnO∶Mn薄膜。结合Raman光谱,XRD谱和SEM分析了ZnO∶Mn薄膜的结构特性。Raman拟合结果显示,在Mn摩尔分数从0增加到5.6%的过程中,ZnO∶Mn薄膜始终保持着六角纤锌矿结构;随着Mn掺杂浓度的增大,437 cm-1和527 cm-1位置上的Raman散射峰出现红移现象,说明Mn掺杂量的增加导致晶格更加无序,缺陷增多;当Mn摩尔分数达到15.8%时,647 cm-1处的Raman散射峰出现,暗示了MnO的产生,同时薄膜结晶质量变差。这一结论也得到了XRD和SEM结果的支持。
李彤介琼张宇倪晓昌赵新为
关键词:ZNOMN拉曼稀磁半导体
LSMO/TO薄膜p-n结微观结构对整流特性影响的研究
钙钛矿结构氧化物(ABO)包含一系列重要性质,如介电、铁电、压电、热电、光电、超导、巨磁电阻及光学非线性等特性和效应。Jin 等人观察到掺杂锰氧化物的电阻率在磁场作用下可下降几个数量级,即庞磁电阻效应(CMR),而掺杂锰...
王珂李彤韩晓东张泽
文献传递
ZnO薄膜p型掺杂的研究进展被引量:6
2007年
ZnO薄膜作为一种多功能半导体材料,近年来一直受到广泛关注。然而,如何制备高质量的p型ZnO薄膜是实现其实用化的关键。概括了p型掺杂困难的原因,并指出Ⅲ-Ⅴ族元素共掺杂可能是p型掺杂的最好方法。简单回顾了ZnO薄膜p型掺杂的研究现状,并对今后的发展趋势进行了展望。
李驰平张铭宋雪梅王波李彤严辉
关键词:ZNO薄膜P型掺杂
P型GaN的Delta掺杂及外延粗化研究
GaN材料被喻为第三代半导体材料,不仅可以用于微电子器件制造,还可以制造从可见光到紫外波段的光电子器件,在制造白光LED方面更是重要,是目前研究的热点。 本文就GaN体材料的MOCVD生长进行了学习研究,其主要...
李彤
关键词:金属有机物化学气相淀积MOCVD生长晶体结构GAN器件
文献传递
薄膜厚度对La_(0.8)Sr_(0.2)MnO_3/TiO_2PN结整流特性的影响
2008年
采用磁控溅射法制备了La0.8Sr0.2MnO3(100nm;50nm;17nm)/TiO2(70nm)异质PN结,并对其进行电学性能研究。结果显示样品均表现出很好的整流特性。并且在La0.8Sr0.2MnO3/TiO2异质PN结中,当LSMO膜厚较薄时,由于LSMO薄膜与衬底之间的较高的应力局限了载流子浓度,导致扩散电压减小。变温电流电压特性曲线显示随着测量温度的降低,扩散电压增大,这可能由于随着测量温度的变化导致界面电子结构的变化。值得提出的,异质PN结结电阻随温度变化曲线表现出单层LSMO具有的金属绝缘相变特性,并且在低温测量时,结电阻随着测量温度的降低而增大,这可能是由于宽带隙的TiO2的引入造成的。
李彤刘盾裴志军孙守梅马兴兵王雅新冯立营
关键词:异质结
基于外骨骼人体姿态信息采集技术的遥控仿人机器人系统
基于外骨骼人体姿态信息采集技术的遥控仿人机器人系统属于机器人技术领域,具体涉及一种基于外骨骼控制技术的仿人机器人系统。仿人机器人缺少下身自由度,无法模仿人类下肢动作。外骨骼式人体姿态信息采集服缺少十根手指的姿态采集装置。...
左国玉李彤杨柏洁孙荣毅魏亚峰王凯
文献传递
一种NiO:Ag/ZnO异质pn结二极管
本发明公开了一种NiO:Ag/ZnO异质pn结二极管,至少包括pn结和欧姆接触电极,所述pn结在Si衬底上生长p型NiO:Ag薄膜以及n型ZnO薄膜得到异质pn结。本发明利用磁控溅射工艺在Si衬底上制备NiO:Ag/Zn...
李彤
文献传递
沉积顺序对La_(0.8)Sr_(0.2)MnO_3/TiO_2异质PN结整流特性的影响
2009年
采用磁控溅射法在Si衬底上通过改变沉积顺序制备两类异质PN结:La0.8Sr0.2MnO3/TiO2和TiO2/La0.8Sr0.2MnO3,并对其进行电学性能研究。结果显示Si/La0.8Sr0.2MnO3/TiO2异质PN结中的I-V特性曲线呈现线性特征。这可能是TiO2薄膜区内垂直于生长界面的缺陷使得在垂直于衬底方向上产生载流子"通道",从而导致没有整流特性。而在Si/TiO2/La0.8Sr0.2MnO3异质PN结中的I-V特性曲线却呈现良好的整流特性。这可能是La0.8Sr0.2MnO3和TiO2生长的均很致密,没有给电流提供导通通道,使得呈现明显整流特性。变温电流电压特性曲线显示整流特性出现在一个50 K到350 K广泛温区,与此同时,随着测量温度的降低,扩散电压增大,这可能由于随着测量温度的变化导致了界面电子结构的变化。
李彤
关键词:异质结整流特性
一种基于NLF-CNN导联融合深度网络的多导联心电信号分类方法
本发明公开了一种基于NLF‑CNN导联融合深度网络的多导联心电信号分类方法,具体采用运用NLF‑CNN非局部性导联融合的深度卷积神经网络,首先通过深层CNN在单一导联下提取心电信号的深度特征,然后通过浅层CNN将得到的多...
杨新武李彤斯迪文
一种Zr-B-N纳米复合涂层制备工艺
本发明涉及纳米复合涂层及其制备技术,具体地说是一种Zr‑B‑N纳米复合涂层的制备工艺,采用高功率脉冲和脉冲直流复合磁控溅射技术在金属或合金基体上沉积Zr‑B‑N纳米复合涂层。为提高涂层中Zr元素含量,靶材同时选用金属Zr...
王铁钢刘艳梅范其香董玉阎兵戚厚军李彤
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