李卫青
- 作品数：13 被引量：31H指数：3
- 供职机构：吉林大学材料科学与工程学院超硬材料国家重点实验室更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金更多>>
- 相关领域：理学电子电信一般工业技术金属学及工艺更多>>
- 氢、氧等离子体处理对氮化硼薄膜场发射特性的影响
- 用RF磁控溅射的方法在Si(100)基底上沉积了纳米氮化硼薄膜,然后分别用氢、氧等离子体对薄膜表面进行了处理,用红外光谱、原子力显微镜、光电子能谱以及场发射试验对薄膜进行了研究,结果表明氢等离子体使BN薄膜表面NEA增加...
- 李卫青顾广瑞李英爱何志冯伟刘丽华赵春红赵永年
- 关键词：氮化硼薄膜场发射表面处理发射电流
- 文献传递
- 氮化硼薄膜场致发射特性的研究
- 本文研究了氮化硼(BN)薄膜的场发射特性与不同的基底偏压和不同的膜厚的关系.在磁控溅射反应器中,使用高纯六角氮化硼(h-BN)靶,通入Ar和N<,2>的混合气体,制备出了纳米BN薄膜.溅射是在基底加热470℃和总压力为1...
- 顾广瑞何志李英爱冯伟金生殷红李卫青赵永年
- 关键词：场发射偏压膜厚磁控溅射
- 文献传递
- 纳米TiO_2薄膜的结构与光电特性被引量：9
- 2003年
- 用射频磁控溅射方法制备出厚度大约15-225nm的TiO2薄膜。Raman光谱测量显示,TiO2薄膜主要是金红石结构(含少量板钛矿相)。紫外可见光吸收光谱表明,在纳米厚度(100nm)范围内,TiO2薄膜的带隙宽度随着薄膜厚度的变化而变化。室温下测量TiO2薄膜的电阻率发现,随着厚度的增加TiO2薄膜的电阻率先后在导体、半导体和绝缘体范围变化。
- 顾广瑞李英爱陶艳春何志殷红李卫青赵永年
- 关键词：射频磁控溅射二氧化钛薄膜光电特性光谱分析导电性电阻率
- 氮化硼薄膜的厚度对场发射特性的影响被引量：2
- 2003年
- 利用射频磁控溅射方法,在n型(100)Si基底上沉积了不同厚度(54～124nm)的纳米氮化硼(BN)薄膜.红外光谱分析表明,BN薄膜结构为六角BN(h-BN)相(1380cm-1和780cm-1)结构.在超高真空系统中测量了不同膜厚的场发射特性,发现阈值电压随着厚度的增加而增大.厚度为54nm的BN薄膜样品阈值电场为10V/μm,当外加电场为23V/μm时,最高发射电流为240μA/cm2.BN薄膜场发射F-N曲线表明,在外加电场作用下,电子隧穿了BN薄膜表面势垒发射到真空.
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- 关键词：氮化硼薄膜薄膜厚度场发射特性阈值电压表面粗糙度场发射显示器
- 喷射RF射频等离子体增强脉冲激光沉积o-BN薄膜及其性能研究
- 李卫青
- 文献传递
- 表面热处理对氮化硼薄膜场发射特性的影响
- 用RF磁控溅射的方法在最佳沉积条件下在Si(100)基底上沉积了纳米氮化硼薄膜,然后对薄膜在真空度低于5×10-4pa、温度分别为800℃和1000℃条件下进行了表面热处理,分别用红外光谱、原子力显微镜以及不同退火温度的...
- 李卫青顾广瑞李英爱何志冯伟刘丽华赵春红赵永年
- 关键词：氮化硼薄膜场发射发射电流
- 文献传递
- 氢、氧等离子体处理对氮化硼薄膜场发射特性的影响（作者：李卫青）
- 用RF磁控溅射的方法在Si(100)基底上沉积了纳米氮化硼薄膜,然后分别用氢、氧等离子体对薄膜表面进行了处理,用红外光谱、原子力显微镜、光电子能谱以及场发射试验对薄膜进行了研究,结果表明氢等离子体使BN薄膜表面NEA增加...
- 李卫青顾广瑞李英爱何志冯伟刘丽华赵春红赵永年
- 关键词：氮化硼薄膜场发射发射电流等离子体处理
- 文献传递
- BC_xN薄膜的紫外透过光谱研究被引量：4
- 2006年
- 利用射频磁控溅射方法以不同的溅射功率(80～130W)制备出具备紫外增透性能的BCN,BC2N和BC3N薄膜。傅里叶红外吸收光谱和X射线光电子能谱测量发现样品的组成原子之间均实现了原子级化合。溅射功率对薄膜的组分和紫外增透性能有很大影响,其通过改变薄膜组分而影响紫外增透性能,且碳原子数小的样品紫外增透性能好。以110W条件下制备的BCN薄膜中碳原子数最小,它的紫外增透性能最好,在200～350nm波段附近平均透过率比玻璃提高了将近40%。
- 王玉新冯克成李英爱李卫青刘丽华赵春红赵永年
- 关键词：硼碳氮薄膜透过率增透膜X射线光电子能谱
- 表面热处理对氮化硼薄膜场发射特性的影响
- 用RF磁控溅射的方法在最佳沉积条件下在Si(100)基底上沉积了纳米氮化硼薄膜,然后对薄膜在真空度低于5×10<'-4>Pa、温度分别为800℃和1000℃条件下进行了表面热处理,分别用红外光谱、原子力显微镜以及不同退火...
- 李卫青顾广瑞李英爱何志冯伟刘丽华赵春红赵永年
- 关键词：氮化硼薄膜场发射发射电流
- 文献传递
- 界面电子转移对纳米TiO_2薄膜导电性的影响被引量：12
- 2002年
- 研究纳米 Ti O2 薄膜的导电性与薄膜厚度和基底材料的关系 .结果表明 ,沉积在 Ti和Si基底上的 Ti O2 薄膜的电阻率随着膜厚的增加而非线性增大 ,分别经历了导体、半导体到绝缘体或半导体到绝缘体的电阻率范围的变化过程 ,Ti O2 薄膜导电层厚度也不相同 ,沉积在玻璃表面 Ti O2 薄膜为绝缘体 .这些现象是界面电子在界面的转移所致 。
- 顾广瑞何志李英爱张崇才李卫青殷红赵永年
- 关键词：导电性纳米TIO2薄膜电阻率薄膜厚度二氧化钛
