李亚明
- 作品数：7 被引量：3H指数：1
- 供职机构：中国科学院半导体研究所更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金国家高技术研究发展计划国家重点基础研究发展计划更多>>
- 相关领域：电子电信理学更多>>
- Ge/SiGe量子阱直接带隙室温电致发光
- 刘智胡炜玄李冲李亚明薛春来李传波左玉华成步文王启明
- 关键词：电致发光
- 硅基锗激光器及其制备方法
- 本发明提供了一种硅基锗激光器及其制备方法。该硅基锗激光器包括：硅材料，具有相应的晶向；锗层，外延生长于硅材料上，包括：锗脊形波导，由刻蚀锗层形成，构成全部或部分的激光谐振腔；p型掺杂区和n型掺杂区，位于锗脊形波导的两侧；...
- 刘智成步文李传波李亚明薛春来左玉华王启明
- 文献传递
- 掺杂对多层Ge/Si(001)量子点光致发光的影响
- 2013年
- 利用超高真空化学气相沉积设备,在Si(001)衬底上外延生长了多个四层Ge/Si量子点样品.通过原位掺杂的方法,对不同样品中的Ge/Si量子点分别进行了未掺杂、磷掺杂和硼掺杂.相比未掺杂的样品,磷掺杂不影响Ge/Si量子点的表面形貌,但可以有效增强其室温光致发光;而硼掺杂会增强Ge/Si量子点的合并,降低小尺寸Ge/Si量子点的密度,但其光致发光会减弱.磷掺杂增强Ge/Si量子点光致发光的原因是,磷掺杂为Ge/Si量子点提供了更多参与辐射复合的电子.
- 刘智李亚明薛春来成步文王启明
- 关键词：磷掺杂光致发光
- 硅基锗激光器及其制备方法
- 本发明提供了一种硅基锗激光器及其制备方法。该硅基锗激光器包括：硅材料，具有相应的晶向；锗层，外延生长于硅材料上，包括：锗脊形波导，由刻蚀锗层形成，构成全部或部分的激光谐振腔；p型掺杂区和n型掺杂区，位于锗脊形波导的两侧；...
- 刘智成步文李传波李亚明薛春来左玉华王启明
- 文献传递
- 基于Franz-Keldysh效应的倏逝波锗硅电吸收调制器设计
- 本文设计了一种基于Franz-Keldysh (FK)效应的GeSi电吸收调制器。调制器集成了脊形硅单模波导。光由脊形硅波导以倏逝波形式耦合进锗硅吸收层。在硅基锗二极管FK效应实验测试的基础上,有源区调制层锗硅中的硅组分...
- 李亚明刘智张东亮薛春来李传波成步文王启明
- 关键词：调制器设计性能评价
- 文献传递
- 基于Franz-Keldysh效应的倏逝波锗硅电吸收调制器设计被引量：3
- 2013年
- 本文设计了一种基于Franz-Keldysh(FK)效应的GeSi电吸收调制器.调制器集成了脊形硅单模波导.光由脊形硅波导以倏逝波形式耦合进锗硅吸收层.在硅基锗二极管FK效应实验测试的基础上,有源区调制层锗硅中的硅组分设计为1.19%,从而使得器件工作在C(1528—1560nm)波段.模拟结果显示该调制器的3dB带宽可达64GHz,消光比为8.8dB,而插损仅为2.7dB.
- 李亚明刘智薛春来李传波成步文王启明
- 关键词：锗硅调制器
- 波长跳变抗干扰激光雷达系统
- 本公开提供了一种波长跳变抗干扰激光雷达系统，该波长跳变抗干扰激光雷达系统包括：光信号发射机和光信号接收机；其中，所述光信号发射机用于按照一时间周期发射不同波长的光信号，将部分所述光信号输入至所述光信号接收机作为引导光，部...
- 刘建国吴国璋李亚明
- 文献传递
