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曾春红
作品数:
34
被引量:16
H指数:2
供职机构:
中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所
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发文基金:
国家自然科学基金
中国科学院知识创新工程重要方向项目
国家重点基础研究发展计划
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相关领域:
电子电信
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核科学技术
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合作作者
张宝顺
中国科学院苏州纳米技术与纳米仿...
林文魁
中国科学院苏州纳米技术与纳米仿...
孙云飞
中国科学院苏州纳米技术与纳米仿...
秦华
中国科学院苏州纳米技术与纳米仿...
孙建东
中国科学院苏州纳米技术与纳米仿...
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曾春红
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张宝顺
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2010
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一种楔形硅结构阵列的制作方法
本发明公开一种楔形硅结构阵列的制作方法,包括步骤:A)在衬底上键合形成预定厚度的硅层;B)在所述预定厚度的硅层上形成多个掩膜条;C)将所述硅层的未被所述掩膜条覆盖的部分去除,其中,所述硅层的被所述掩膜条覆盖的部分的截面形...
俞骁
曾春红
张宝顺
文献传递
在SiC衬底上生长III族氮化物薄膜的方法及应用
本发明公开了一种在SiC衬底上生长III族氮化物薄膜的方法及应用。所述方法包括:采用NH<Sub>3</Sub>对SiC衬底进行预处理,预处理使SiC衬底表面的晶格台阶间距变大;在经过预处理的SiC衬底表面生长III族氮...
邓旭光
张宝顺
董晟园
曾春红
曾中明
倒装薄膜太阳能电池的制作方法
本发明揭示了一种倒装薄膜太阳能电池的制备方法,在半导体的第一衬底上沉积牺牲层,在牺牲层上生长太阳能电池外延层;然后在外延层的表面和第二衬底的表面分别制备键合/粘附结构层,通过键合方式/粘合方式贴附在一起;最后选择性去除牺...
王荣新
李晓伟
曾春红
张宝顺
杨辉
文献传递
用于红外测试中的承载装置
本发明公开一种用于红外测试中的承载装置,包括:承载组件,包括用于承载待测试的样品的斜面及遮光板,其中,所述遮光板上设置有通孔,所述待测的样品接收来自所述通孔的光;挡光组件,邻近于所述通孔设置,用于改变所述通孔的通光面积;...
付凯
高华杰
熊敏
李海军
曾春红
张宝顺
文献传递
MOSFET器件及其制作方法
本发明公开了一种MOSFET器件及其制作方法。MOSFET器件包括器件结构层以及与所述器件结构层匹配的源极、漏极和栅极,所述器件结构层包括漂移区、沿第一方向依次层叠设置在所述漂移区的第一区域上的基区、欧姆接触区以及沿第一...
曾春红
江磊枫
孙玉华
崔奇
董志华
张宝顺
曾中明
自供电光电探测器及其制备方法
本发明公开了一种自供电光电探测器及其制备方法。所述自供电光电探测器包括:沿第一方向依次设置的第一电极、p‑n结结构和第二电极,所述p‑n结结构包括至少一p‑n结,所述p‑n结由至少一第一纳米线和至少一第二纳米线配合形成,...
马永健
张晓东
唐文博
曾春红
张宝顺
AlGaN/GaN HEMT漂移区动态电阻分析
AlGaN/GaN HEMT适合应用于高压大功率器件,但在高电压动态使用时,存在导通电阻增加的现象.目前可以有效降低动态导通电阻的方法有:场板结构和AlN介质层等.本论文采用叠层双栅结构AlGaN/GaN HEMT器件,...
于国浩
蔡勇
王越
赵德胜
曾春红
侯克玉
董志华
张宝顺
关键词:
高电子迁移率晶体管
氮化镓
动态电阻
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一种锥形栅MOSFET器件结构及其制作方法
本发明公开了一种锥形栅MOSFET器件结构及其制作方法。所述器件结构包括设置在衬底上的器件结构层,以及与所述器件结构层配合的源极、漏极和栅极,并且所述器件结构层上还形成有与所述栅极配合的凹槽;其中,所述凹槽包括第一部分和...
刘辉
曾春红
董志华
张宝顺
孙玉华
崔奇
绝缘体的硅材料上加工极限纳米图形的电子束曝光方法
本发明公开了一种绝缘体的硅材料(SOI)上加工极限纳米图形的电子束曝光方法,其特征步骤依次包括:对SOI背面的底层Si进行厚度削减及抛光;对SOI正反面的顶层Si及底层Si表面覆盖刻蚀阻挡层;对底层Si进行光刻或结合刻蚀...
时文华
王逸群
曾春红
张宝顺
文献传递
室温太赫兹波探测器
本发明涉及一种室温太赫兹波探测器,以高电子迁移率晶体管为基本结构,且还包括能够有效耦合太赫兹波的天线,天线与高电子迁移率晶体管集成设置,但与高电子迁移率晶体管的源极和漏极彼此独立。进一步的讲,前述源极和漏极之间设有一对蝶...
孙建东
孙云飞
曾春红
秦华
张宝顺
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