戚盛勇
- 作品数：5 被引量：6H指数：2
- 供职机构：复旦大学更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金更多>>
- 相关领域：电子电信化学工程理学更多>>
- 正电子湮没谱（PASCA）在分子筛表面活性研究中的应用
- 戚盛勇刘复汉
- 关键词：正电子活性中心分子筛催化剂表面活性
- 正电子素探测多孔材料内表面特性
- 1989年
- 本文讨论了以正电子素为探针探测不同相结构的氧化铝和HY分子筛等多孔材料内表面的一些物理和化学性质.发现在α、θ混合桐的氧化铝中存在着孔径为不到1纳米的小孔和几个纳米的大孔,随着温度升高,小孔向着大孔方向扩胀.也发现在非活性的氧化铝中表面正电子素强度与孔的比表面积存在着线性关系,在活性氧化铝中却有明显的偏离.还发现正电子素在HY分子筛内表面和笼内与质子酸发生了氧化还原反应,并求出了反应速率常数。
- 戚盛勇王煜
- 关键词：正电子素多孔材料内表面质子酸
- MOS器件鸟咀区非本征电容研究
- 1998年
- 在ＭＯＳ结构的窄沟器件、倒比器件中，鸟咀区下的势垒层所构成的非本征电容Ｃｇｂ０对集成电路的高频特性有较大影响，但由于它与本征电容并联，且有杂散电容的影响，不易测准．本文研究了精确测量Ｃｇｂ０的方法，同时也发现它的值不是常数，并给出了Ｃｇｂ０随Ｖｇｂ变化的经验公式．
- 戚盛勇俞权彭军
- 关键词：MOS器件
- MOS器件“鸟嘴区”电学特性研究被引量：2
- 1996年
- 随着ＭＯＳ器件尺寸的缩小，“鸟嘴区”对窄沟器件的电学特性已产生了明显的影响．本文研究了窄沟器件（Ｗ＝１．２μｍ，２μｍ）中“鸟嘴区”引起的栅电压对有效沟道宽度调制效应以及“鸟嘴”区域内载流子有效迁移率的变化规律，并对窄沟器件模型提出了修正公式．
- 戚盛勇金晓冬
- 关键词：MOS器件电学特性
- Y沸石中的正电子湮没被引量：4
- 1989年
- 本文测量了NaY、HY和NH_4Y在不同抽空温度下的正电子寿命谱,得到了四个寿命组份,并对它们的归属进行了讨论。其中两个长寿命组份τ_s和τ_4归结为沸石内表面和笼内o-Ps的湮没。o-Ps容易被沸石内的质子酸氧化,而使其湮没寿命τ_3和τ_4缩短。利用正电子寿命谱可以监测NH_4Y沸石的脱氨过程。质子酸的存在对o-Ps的形成并无影响,但随着质子酸浓度增加,o-Ps在沸石内表面湮没的几率大于笼内,故I_3大于I_4。o-Ps的在沸石内表面和笼内的湮没速率与质子酸浓度成线性关系,以一级反应动力学处理得到的o-Ps在沸石内表面和笼内的氧化反应表观速率常数分别为9.67×10~7(mmol/g)_^(-1)s^(-1)和2.36×10~7(mmol/g)^(-1)s^(-1)。
- 高滋杨雪敏潘思忠高本祥戚盛勇王煜
- 关键词：沸石正电子湮没
