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强宇

作品数：7 被引量：0H指数：0
供职机构：中国电子科技集团第十一研究所更多>>

合作作者

文献类型

  • 7篇中文专利

主题

  • 5篇叠层
  • 5篇碲镉汞
  • 5篇碲镉汞材料
  • 3篇硅基
  • 3篇SI基
  • 3篇长波
  • 2篇氧化层
  • 2篇中波
  • 2篇阻挡层
  • 1篇盛装
  • 1篇束流
  • 1篇清洗方法
  • 1篇煮沸
  • 1篇坩埚
  • 1篇碲化锌
  • 1篇碲化镉
  • 1篇面粗糙度
  • 1篇化学试剂
  • 1篇降温过程
  • 1篇分子束

机构

  • 7篇中国电子科技...

作者

  • 7篇刘铭
  • 7篇强宇
  • 6篇王丛
  • 6篇王经纬
  • 3篇巩锋
  • 3篇高达
  • 2篇周立庆
  • 1篇邢伟荣
  • 1篇周朋

年份

  • 1篇2019
  • 2篇2017
  • 1篇2016
  • 1篇2015
  • 2篇2013
共 7 条 记 录，以下是 1-7
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排序方式：
Si基中/长波叠层双色碲镉汞材料及其制备方法
本发明公开了一种Si基中/长波叠层双色碲镉汞材料及其制备方法。该方法包括：进行外延级Si衬底清洗，去掉Si衬底的自然氧化层，形成人为氧化层；对Si衬底进行氧化层去除，并进行As钝化；采用迁移增强MME的方式生长ZnTe缓...
王经纬巩锋王丛刘铭强宇
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一种硅基短/中波叠层双色碲镉汞材料及其制备方法
本发明涉及一种硅基短/中波叠层双色碲镉汞材料及其制备方法。本发明的硅基短/中波叠层双色碲镉汞材料，包括：硅基复合衬底，以及在所述硅基复合衬底上由下到上依次排列的碲镉汞短波吸收层、碲镉汞阻挡层和碲镉汞中波吸收层，所述碲镉汞...
王经纬高达王丛刘铭强宇周立庆
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一种硅基复合衬底的外延方法
本发明公开了一种硅基复合衬底的外延方法，具体包括以下步骤：在硅片上外延碲化镉形成硅基复合衬底；在分子束外延系统的腔室中，在碲束流的保护下，对硅基复合衬底进行高低温退火，高低温退火包括升温过程和降温过程。借助于本发明的技术...
王丛刘铭王经纬高达强宇
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Si基中/长波叠层双色碲镉汞材料及其制备方法
本发明公开了一种Si基中/长波叠层双色碲镉汞材料及其制备方法。该方法包括：进行外延级Si衬底清洗，去掉Si衬底的自然氧化层，形成人为氧化层；对Si衬底进行氧化层去除，并进行As钝化；采用迁移增强MME的方式生长ZnTe缓...
王经纬巩锋王丛刘铭强宇
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分子束外延用氮化硼坩埚清洗方法
本发明公开了一种分子束外延用氮化硼坩埚清洗方法。所述方法包括：确定坩埚在使用时所盛装的原料，依据盛装的原料对所述坩埚进行预处理，获得预处理后的坩埚；对所述预处理后的坩埚依次进行腐蚀清洗处理、煮沸处理和干燥处理，获得清洁的...
周朋刘铭强宇邢伟荣
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一种硅基短/中波叠层双色碲镉汞材料
本实用新型涉及一种硅基短/中波叠层双色碲镉汞材料及其制备方法。本实用新型的硅基短/中波叠层双色碲镉汞材料，包括：硅基复合衬底，以及在所述硅基复合衬底上由下到上依次排列的碲镉汞短波吸收层、碲镉汞阻挡层和碲镉汞中波吸收层，所...
王经纬高达王丛刘铭强宇周立庆
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Si基中/长波叠层双色碲镉汞材料
本实用新型公开了一种Si基中/长波叠层双色碲镉汞材料。Si基中/长波叠层双色碲镉汞材料由下到上依次包括：晶向为211的Si衬底、在Si衬底的表面上依次生长的砷As钝化层、碲化锌ZnTe缓冲层、碲化镉CdTe缓冲层、以及三...
王经纬巩锋王丛刘铭强宇
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