张治国
- 作品数：17 被引量：26H指数：4
- 供职机构：内蒙古工业大学电力学院自动化系更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金更多>>
- 相关领域：电子电信电气工程理学一般工业技术更多>>
- 用石墨做电热器的热迁移掺杂设备被引量：5
- 1989年
- 本文叙述了用石墨做电热器热迁移掺杂设备的研制,给出了温度梯度的控制方法,同时对石墨电热器的实际效果进行了小结。
- 张治国燕光
- 关键词：电热器石墨
- M/a-Si : H/SnO_2 结构双势垒的验证
- 1998年
- 给出了Ｍ／ａ－Ｓｉ∶Ｈ／ＳｎＯ２结构的平衡态能带图，用光电压法和Ｃ－Ｖ特性法对该结构的双势垒进行了实验验证。给出了背结的接触电势差，同时发现这种结构用作光电器件时小势垒的影响可以忽略。其中Ｃ－Ｖ特性及其判别法尚未见报导。
- 张治国
- 关键词：非晶硅双势垒
- 热迁移掺杂浓度分布的测量被引量：4
- 1994年
- 本文介绍了一种热迁移掺杂后形成的片状掺杂区纵向浓度分布的测量方法，并实际测量了约１０００微米范围内的浓度分布。对计量公式和测量误差也给了较为详细的推导和分析。实测发现热迁移掺杂后反型层的杂质浓度基本上是一恒量。
- 张治国吴巧兰
- 表面光电压法测量a-Si:H少子扩散长度的进一步研究被引量：2
- 1993年
- 建立用SPV法测量a-Si∶H薄膜少子扩散长度L_p的新的数学模型,推导出可供具有任意输入端口(电流输入或电压输入)的锁相放大器所使用的测量L_p的数学表达式,为改进测试过程和提高准确度创造了条件。对合理选择偏置光强度做了较细致的分析,并从实验技术上提出确定偏置光强度的选择准则,给出了测试结果;也分析了不同强度偏置光和不同金属与a-Si∶H肖特基结对测量结果的影响。
- 张治国宿昌厚
- 关键词：表面光电压法非晶硅
- 双极型晶体管输入特性曲线解释补略
- 1996年
- 通过对Ｖｃｅ＝０和Ｖｃｅ≥１Ｖ条件下的晶体管载流子输运情况的分析，进一步对输入特性曲线的解释作了说明．
- 张治国
- 关键词：晶体管
- 真空热迁移法制备硅垂直多重结X射线探测器
- 1997年
- 用真空热迁移法，以高纯石墨作为加热元件，构成大面积均匀热板，并以纯铁为冷板，通过严格控制冷、热板的温度，形成稳定的热梯度场．采用高阻单晶硅作为探测器的基体材料，在硅片表面用激光来进行刻槽，在其表面上蒸铝后，置于热迁移场中进行热迁移．按照探测器的要求，蒸发钛－钯－银构成电极，经钝化处理后沉积适当厚度的Ａｌ层作为窗口，构成垂直多重结Ｘ射线探测器．探测器具有良好的光谱响应，对Ｘ射线有较高的灵敏度，适于较大的Ｘ射线剂量辐射测量和较宽的Ｘ射线强度变化的测量．
- 季秉厚张治国李蓉萍孟凡英
- 关键词：X射线探测器硅器件
- M/a-Si:H肖特基势垒参数的测量被引量：1
- 1997年
- 介绍在中性区光电导调制下实现用高频C-V仪测量M／a-Si：H肖特基势垒参数的方法，把所测结果与其他方法测量值作了比较．对Al/a-Si：H势垒异常现象也进行了描述．
- 张治国宿昌厚
- 关键词：硅带隙结构
- 织构复合透明导电膜的研究
- 1990年
- 本文报道了一种制备ITO/SnO复合绒面透明导电膜的技术,并对膜的性能和工艺关系进行了分析。利用该技术制备的膜,其性能达到日本同类产品的水平。该工艺设备简单,原料成本低,易于推广使用。
- 徐晨刘嘉王雁张治国
- 关键词：非晶硅太阳电池
- VMJ器件的红外特性被引量：1
- 1992年
- 垂重多重结半导体器件(VMJ)有良好的近红外光电特性。本文报道了垂直多重结器件的制作工艺及其红外光谱响应的测量结果,同时对该器件的红外谱响应作了分析,并挺出了进一步改进方案.
- 张治国季秉厚刘典宪
- 关键词：半导体器件
- VMJ光电器件电极引线新法被引量：1
- 1992年
- 本文分析了VMJ光电器件使用传统电极引线工艺所存在的问题,进而提出了一种非常简单的电极引线方法。
- 张治国吴巧兰
- 关键词：光电器件电极引线
