张彦飞
- 作品数：8 被引量：30H指数：2
- 供职机构：北京工业大学更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金更多>>
- 相关领域：电子电信电气工程更多>>
- 第六代1200V槽栅FS-IGBT模块
- 2008年
- 本文介绍了第六代IGBT模块技术。新模块设计的关键词是"低噪声辐射"、"高性能"和"紧凑性"。低热阻的封装技术与最近发展起来的第六代V-IGBT的结合使技术上的突破得以实现。尺寸为122mm×62mm EP3封装的PIM(功率集成模块)功率额定值已被提高到1200V- 150A,对于17mm厚的新型二合一模块,功率额定值则达到1200V-600A。
- 游雪兰吴郁张彦飞
- 关键词：IGBT模块槽栅封装技术噪声辐射额定值
- 用于IGBT与功率MOSFET的栅驱动器通用芯片
- 2007年
- 如今,对IGBT栅驱动器的要求越来越复杂,特别是在高压大电流领域,这需要一个有针对性的集成化解决方案来优化开关特性、可靠性、可扩展性、应用灵活性以及在合理的成本范围内缩短投放市场的时间。最新开发的SCALE-2芯片组的核心电路做了专门优化,以便适应不同种类的IGBT,其应用范围可以达到150A—3600A,1200V-6500V,并且可以为用户的专门用途进行预置。
- 游雪兰吴郁张彦飞Jan ThalheimHeinz Redi
- 关键词：功率MOSFETIGBT栅驱动器通用芯片高压大电流开关特性
- 用于可持续发展的电能变换器应用的功率器件被引量：1
- 2008年
- 本文第一部分评论了当前最新的一些关键技术,涉及功率器件的进展和它们对功率变换应用的贡献,重点放在IGBT和智能功率模块技术上。后一部分讨论了功率模块发展的新领域,包括满足未来应用需要的SiC功率器件的前景。
- 张彦飞吴郁游雪兰
- 关键词：功率器件电能变换器可持续发展功率变换IGBT功率模块
- 第六代1200V槽栅FS-IGBT模块被引量：2
- 2008年
- 本文介绍了第六代IGBT模块技术。新模块设计的关键词是"低噪声辐射"、"高性能"和"紧凑性"。低热阻的封装技术与最近发展起来的第六代V-IGBT的结合使技术上的突破得以实现。尺寸为122mm×62mm EP3封装的PIM(功率集成模块)功率额定值已被提高到1200V-150A,对于17mm厚的新型二合一模块,功率额定值则达到1200V-600A。
- 游雪兰吴郁张彦飞
- 关键词：IGBT模块槽栅封装技术噪声辐射额定值
- 高压功率半导体开关器件结终端的比较研究
- 本文主要研究高压功率半导体器件的结终端技术。利用仿真手段设计与验证了四种适用于1700V功率器件的结终端，包括场限环(FLR)、具有偏移场板的场限环、结终端延伸(JTE)、深槽(DT)等。其中，场限环终端利用双曲线法得到...
- 张彦飞
- 关键词：结终端击穿电压
- 文献传递
- 内透明集电极IGBT(ITC-IGBT)与PT-IGBT、FS-IGBT的性能比较被引量：8
- 2009年
- 首次对600V平面型内透明集电极IGBT(ITC-IGBT)、PT-IGBT和FS-IGBT通态电压与关断能耗之间的折中曲线进行了仿真分析和比较。ITC-IGBT是在PT-IGBT结构中的p+型衬底与n型缓冲层之间加入一层厚度很薄、掺杂浓度低于p+衬底的p型内透明集电区,并且在集电区之内、集电结附近设置具有很低过剩载流子寿命的载流子局域寿命控制层,从而实现透明集电极的效果。仿真结果表明,ITC-IGBT具有优良的综合性能,采用缓冲层浓度最优值的ITC-IGBT的折中曲线明显优于PT-IGBT与FS-IGBT。说明ITC-IGBT结构不仅能解决现有透明集电极IGBT超薄片加工工艺难度大的问题,还为进一步改善IGBT器件综合性能提供了新途径。
- 游雪兰吴郁胡冬青贾云鹏张彦飞亢宝位
- 关键词：内透明集电极
- 硅材料功率半导体器件结终端技术的新发展被引量：19
- 2009年
- 综述了硅材料功率半导体器件常用结终端技术的新发展。介绍了场板、场限环、结终端延伸、横向变掺杂、深槽、超结器件的终端等一系列终端技术发展中出现的新结构、新原理和新数据,并对其优缺点与适用范围进行了说明。
- 张彦飞吴郁游雪兰亢宝位
- 关键词：功率器件结终端击穿电压
- 用于IGBT与功率MOSFET的栅驱动器通用芯片
- 2008年
- 如今,对IGBT栅驱动器的要求越来越复杂,特别是在高压大电流领域,这需要一个有针对性的集成化解决方案来优化开关特性、可靠性、可扩展性、应用灵活性以及在合理的成本范围内缩短投放市场的时间。最新开发的SCALE-2芯片组的核心电路做了专门优化,以便适应不同种类的IGBT,其应用范围可以达到150A—3600 A,1200 V—6500 V,并且可以为用户的专门用途进行预置。
- 游雪兰吴郁张彦飞
- 关键词：IGBT功率MOSFET栅驱动器
