张东梅
- 作品数：10 被引量：50H指数：4
- 供职机构：上海交通大学更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金国家高技术研究发展计划更多>>
- 相关领域：电子电信电气工程动力工程及工程热物理理学更多>>
- 基于金刚石薄膜的微通道式散热器
- 一种基于金刚石薄膜的微通道式散热器，基底两边分别开有横向导入主管道及横向导出主管道，微通道基本组成单元平行间隔排布在横向导入主管道和横向导出主管道之间，每个微通道基本组成单元中，纵向导入分管道的进口与横向导入主管道连通，...
- 丁桂甫王艳张东梅
- 文献传递
- MEMS器件气密性封装的低温共晶键合工艺研究被引量：9
- 2006年
- 介绍了一种采用Pb-Sn共晶合金作为中间层的键合封装技术,通过电镀的方法在芯片与基片上形成Cr/N i/Cu/Pb-Sn多金属层,在温度为190℃、压强为150 Pa的真空中进行键合,键合过程不需使用助焊剂,避免了助焊剂对微器件的污染。试验表明:这种键合工艺具有较好的气密性,键合区合金分布均匀、无缝隙、气泡等脱焊区,键合强度较高,能够满足电子元器件和微机电系统(MEMS)可动部件低温气密性封装的要求。
- 张东梅丁桂甫汪红姜政姚锦元
- 关键词：微机电系统气密性封装共晶键合
- 一种快速响应双稳态热执行器的结构设计被引量：1
- 2005年
- 利用ANSYS有限元分析软件并结合工艺条件,就其中的热执行按照快速响应的特点,对各结构参数与热执行器部件的驱动力、驱动位移、电阻、响应时间等驱动性能的影响进行了分析与仿真,从而得到了优化结构设计。此设计所要达到的目标是,热执行器驱动电压为5V,响应时间为2ms,末端最大位移为3.16×10-4m,末端位移20μm时的驱动力为4.94×10-3N。
- 姜政丁桂甫张东梅
- 关键词：微机电系统
- 新型微通道散热器设计仿真被引量：4
- 2007年
- 在传统的硅基微通道散热器原理基础上,通过采用高热导率的散热板,以及特殊的变截面微通道阵列,实现微型散热器工作流体的整体稳定流动和短程均匀散热工作模式.采用ANSYS通用有限元分析软件,给出了典型换热单元在参考流速1m/s,温度283K初始状态下的流速场和温度场,散热器可输运5×107W/m2的热通量,总热阻低至0.0106℃/W.仿真结果初步验证了设计构想的合理性,散热器有望拥有良好工作特性.
- 王艳丁桂甫张东梅顾东华
- 关键词：MEMS器件有限元分析数值传热学
- 基于金刚石薄膜的微通道式散热器
- 一种基于金刚石薄膜的微通道式散热器，基底两边分别开有横向导入主管道及横向导出主管道，微通道基本组成单元平行间隔排布在横向导入主管道和横向导出主管道之间，每个微通道基本组成单元中，纵向导入分管道的进口与横向导入主管道连通，...
- 丁桂甫王艳张东梅
- 文献传递
- 微型机电继电器研究进展被引量：3
- 2005年
- 微型化是机电继电器最重要的发展方向之一,MEMS设计和制造技术的进展开辟了机电继电器微型化的崭新途径。本文系统介绍了典型MEMS继电器的研究进展,简要地比较、评述了它们的优势和缺点。
- 张东梅丁桂甫姜政
- 关键词：机电继电器微型机MEMS微型化
- 扭梁悬臂梁支撑的扭摆式MEMS永磁双稳态机构被引量：6
- 2006年
- 在进行理论分析证实可行性和模拟仿真优化参数后,利用非硅表面微加工方法中的牺牲层工艺制备了一种扭梁悬臂梁支撑的扭摆式MEMS永磁双稳态机构.该双稳态结构尺寸为1.9mm×1.6mm×0.03mm,通过永磁力实现稳态姿态无功耗保持,通过对其单侧触点施加纵向驱动力使之达到30μm的纵向驱动位移,可以实现机构的双稳态姿态切换,可以通过控制永磁体磁片、悬臂梁和扭梁的尺寸来灵活调控稳态切换所需的驱动力矩.此双稳态机构可与电磁驱动、电热驱动和静电驱动等类型的微驱动器联用构成永磁双稳态MEMS微继电器.
- 姜政丁桂甫王艳张东梅王志明冯建智
- 关键词：永磁双稳态MEMS微继电器
- 基于Sn/Bi合金的低温气密性封装工艺研究被引量：12
- 2006年
- 研究了采用Sn/B i合金作为中间层的键合封装技术。通过电镀的方法在基片上形成Cr/N i/Cu/Sn、芯片上形成Cr/N i/Cu/B i多金属层,在513K、150Pa的真空环境中进行共晶键合,键合过程不需使用助焊剂,避免了助焊剂对微器件的污染。实验表明:这种键合工艺具有较好的气密性,键合区合金层分布均匀,无缝隙、气泡等缺陷,键合强度较高,能够满足电子元器件和微机电系统(MEMS)可动部件低温气密性封装的要求。
- 张东梅丁桂甫汪红姜政姚锦元
- 关键词：微机电系统气密性封装低温键合
- 基于纳米介电薄膜的微机械电容式微波开关
- 一种基于纳米介电薄膜的微机械电容式微波开关。用于自动控制技术领域。包括：下电极及其上纳米介电薄膜、动电极和非静电微驱动器，下电极是一层导电金属薄膜，纳米介电薄膜位于下电极之上，动电极位于纳米介电薄膜之上，与非静电微驱动器...
- 杨春生张东梅丁桂甫
- 文献传递
- 用于MEMS器件的键合工艺研究进展被引量：15
- 2005年
- 随着MEMS器件的广泛研究和快速进步,非硅基材料被广泛用于MEMS器件中。键合技术成为MEMS器件制作、组装和封装的关键性技术之一,它不仅可以降低工艺的复杂性,而且使许多新技术和新应用在MEMS器件中得以实现。目前主要的键合技术包括直接键合、阳极键合、粘结剂键合和共晶键合。
- 张东梅叶枝灿丁桂甫汪红
- 关键词：直接键合阳极键合共晶键合
