廖京宁
- 作品数：9 被引量：2H指数：1
- 供职机构：北京工业大学电子信息与控制工程学院更多>>
- 发文基金：国防科技重点实验室基金国家电子信息产业发展基金更多>>
- 相关领域：电子电信更多>>
- 小规模CMOS集成电路可靠性快速评价新方法的研究
- CMOS集成电路由于自身的优秀的性能，已经广泛的应用在各个领域，伴随着电子产品功能的不断增强，集成电路复杂程度的逐步提高，其质量和可靠性也成为人们普遍关注的焦点。本课题对CMOS集成电路可靠性评价技术进行了探索，改进了一...
- 廖京宁
- 关键词：CMOS集成电路激活能
- 文献传递
- 徽电子器件失效激活能的快速评价方法
- 本文通过对序进应力加速寿命试验的研究,提出了一种快速评价微电子器件失效激活能的方法,建立了计算失效激活能的理论模型.并对硅PNP三极管3CG120进行额定功率下,170℃-345℃范围内的序进应力加速寿命试验,快速提取器...
- 郭春生李志国吴月花程尧海廖京宁
- 关键词：电子器件三极管
- 文献传递
- 有限元分析法在MCM三维热模拟中的应用
- 2006年
- 多芯片组件(MCM)的可靠性特别是其热可靠性已经成为国内外电子产品可靠性研究的焦点之一.热有限元分析法是多芯片组件热分析的重要方法.本文运用ANSYS工具建立了MCM的三维热模型,得到了温场分布.通过热模拟和热分析,提出了改善MCM温场的方案.
- 胡修振李志国郭春生吴月花廖京宁
- 关键词：多芯片组件有限元分析ANSYS热模拟热分析
- 退火温度对铝互连线热应力的影响被引量：2
- 2006年
- 采用二维面探测器X射线衍射(XRD)测量1μm和0.5μm厚Al互连线退火前后的残余应力.沉积态Al线均为拉应力,且随膜厚的增加而减小.沿长度方向的应力明显高于宽度方向的应力,表面法线方向应力最小.250℃退火2.5h后,互连线在各方向上的应力都减弱,其中1μm Al线应力减弱幅度高于0.5μm互连线.采用电子背散射衍射(EBSD)方法,测量退火前后Al互连线(111),(100),(110)取向晶粒的IQ值.退火后平均IQ值提高,互连线残余内应力随之减小.EBSD分析结果与XRD应力测试结果相符合.
- 吴月花李志国刘志民吉元胡修振廖京宁
- 关键词：EBSD残余应力退火温度
- CMOS TDDB栅氧化层击穿模型的改进
- 随着CMOSIC工艺尺寸的缩小,发现以前的TDDB栅氧化层击穿模型不再适用于薄栅氧化层器件,不能提供需要精度的计算结果,而薄栅氧化层的可靠性又是CMOS集成电路失效的重要原因之一.因此,模型的改进,对与CMOSIC可靠性...
- 廖京宁郭春生刘鹏飞李志国
- 关键词：TDDB可靠性CMOS集成电路栅氧化层
- 文献传递
- 微电子器件失效激活能的快速确定及其研究
- 本文提出了一种新的微电子器件加速寿命试验方法--温度斜坡法,建立了确定失效激活能的新模型,并通过试验验证了模型的正确性.在数据分析和处理的基础上,对器件退化过程中的每种失效机理进行研究,获得器件不同失效模式下相应的失效激...
- 廖京宁李杰郭春生程尧海李志国
- 关键词：加速寿命试验微电子器件电子信息技术
- 文献传递
- 微电子器件失效激活能的快速评价方法
- 通过对序进应力加速寿命试验的研究,提出了一种快速评价微电子器件失效激活能的方法,建立了计算失效激活能的理论模型。并对硅PNP三极管3CG120进行额定功率下,170℃-345℃范围内的序进应力加速寿命试验,快速提取器件失...
- 郭春生李志国吴月花程尧海廖京宁
- 关键词：激活能加速寿命试验
- 文献传递
- 有限元分析法在MCM三维热模拟中的应用
- 多芯片组件(MCM)的可靠性特别是其热可靠性已经成为国内外电子产品可靠性研究的焦点之一.热有限元分析法是多芯片组件热分析的重要方法.运用ANSYS工具建立MCM的三维热模型,得到温场分布,经过热模拟和热分析,提出改善MC...
- 胡修振李志国郭春生吴月花廖京宁
- 关键词：多芯片组件有限元分析ANSYS热模拟热分析
- 文献传递
- 薄栅CMOS的可靠性模型
- 2006年
- 介绍了两种与栅氧化层失效有关的模型以及用于估计芯片寿命的热阻模型.随着晶体管特征尺寸的减小,现有的栅失效模型不能提供准确的计算和预测,因此提出了新的适用于小尺寸晶体管的栅失效模型.同时提出了用于评价芯片寿命的热阻和结温的估计模型.
- 廖京宁郭春生刘鹏飞吴月花李志国
- 关键词：TDDB热载流子热阻结温
