康小克
- 作品数：19 被引量：21H指数：4
- 供职机构：中国工程物理研究院电子工程研究所更多>>
- 发文基金：国家重点基础研究发展计划更多>>
- 相关领域：电子电信理学自动化与计算机技术更多>>
- 一种高频芯片的低损耗互连工艺方法
- 本发明公开了一种高频芯片的低损耗互连工艺方法，属于微电子器件互连封装领域，该方法采用MEMS微加工工艺技术实现高频芯片焊盘间的金属互连，可缩短芯片互连的跨接距离，降低寄生效应引入的损耗，提高器件的频率特性；且互连金属尺寸...
- 苏娟郑英彬刘清锋刘杰康小克冯正谭为邓贤进张健
- 文献传递
- 一种基于雷达目标极化特性的远距离人体隐藏危险品检测仪
- 本发明公开了一种基于雷达目标极化特性的远距离人体隐藏危险品检测仪，包括显控端、信号处理与控制模块、线性调频源模块、收发倍频链路模块、时钟分发模块、中频放大滤波模块、信号采集模块；线性调频源模块为收发倍频链路模块提供线性调...
- 邓贤进安健飞成彬彬陆彬桑子儒刘杰崔振茂康小克黄昆林海川何月蒋均赵宇娇缪丽田遥岭岑冀娜曾耿华李彪姚军张健唐艺伦
- 文献传递
- 一种基于共面波导的0.14THz低噪声放大器设计被引量：1
- 2013年
- 为解决低噪声放大器设计中过渡电路的实现问题,对基于共面波导的波导-平面电路过渡形式进行改进和优化,设计了一种工作频率为0.14 THz,带宽10 GHz的低噪声放大器。通过仿真,得到了输入输出回波损耗小于-27 dB,插入损耗小于0.1 dB的结果。此种方法能够很好地实现信号在不同传输线形式间的转换,并得到了无源测试验证。
- 康小克邓贤进陈樟
- 关键词：低噪声放大器共面波导THZ
- 一种高频芯片波导封装的倒装互连工艺方法
- 本发明公开了一种高频芯片波导封装的倒装互连工艺方法，属于微电子器件互连封装领域，该方法基于倒装焊技术，通过芯片或互连载片倒装焊接的方式，配合相应的MEMS微加工工艺技术实现高频固态集成放大器模块波导封装的金属互连，可缩短...
- 苏娟刘杰刘清锋周林康小克冯正谭为邓贤进张健
- Ka频段固态集成功率放大器的设计被引量：4
- 2010年
- 毫米波系统已广泛应用于军事通信,作为核心部件的毫米波发射机,其输出功率为衡量系统性能指标的重要因素。本文运用混合集成的方法设计了一种Ka频段固态功率放大器,并结合实际情况分析了与调试相关的电路稳定性问题。测试结果表明,该放大器在f0±1.5GHz的工作频带内,增益大于35dB,P-1为30dBm,达到设计要求。
- 康小克刘玥玲蔡钟斌
- 关键词：KA频段放大器
- 基于加载线型Ka频段的五位数字移相器被引量：1
- 2010年
- 数字移相器广泛应用于相控阵雷达中,本文采用一前一后加载支线的方法设计了11.25°,22.5°和45°移相单元,以3dB支线耦合器的形式设计90°和180°移相单元,在Ka频段研制出五位数字移相器。该移相器在30GHz^31GHz工作频带内,各移相单元实测相移误差最大为6.5°,最小为0.2°;插入损耗最大为11.8dB,最小为8.6dB;输入驻波比小于2,整个电路尺寸为110mm×55mm×25mm。
- 刘玥玲康小克王永帅
- 关键词：KA频段数字移相器
- 一个0.14THz同轴波导五路径向功率合成器
- 2017年
- 基于同轴波导径向合成器提出了一款可用于太赫兹频段的任意路数功率合成器。该功率合成器采用二阶阶梯变换结构,实现电场方向从同轴轴向到径向的扩散传播,并通过径向外围均匀分布的Y型功分结构实现任意路数功分。以D波段五路功率合成器为例,采用背靠背测试,在130 GHz到150 GHz频带内,背靠背插入损耗优于2 dB,带内回波损耗优于15 dB。由于是背靠背测试,因此该功率合成器单边损耗约为0.72 dB,折合合成效率为84.7%。
- 黄昆刘杰康小克田遥岭成彬彬邓贤进
- 关键词：太赫兹低损耗
- E面缝隙波导定向耦合器的研究
- 波导定向耦合器由于其电路简单,易于设计与加工,广泛应用于微波毫米波电路中。本文设计了一种利用六个波导缝隙电磁场的能量耦合设计的3dB定向耦合器,两路间平坦度在0.7dB以内,背靠背总插入损耗在1dB以内,在Ka频段具有良...
- 康小克徐军
- 关键词：波导定向耦合器KA频段
- 文献传递
- 一种紧凑型四路功率分配合成结构
- 本发明在功率合成领域，提出了一种紧凑型四路功率分配合成结构，包括直波导、微带探针、阻抗匹配段、威尔金森电桥、隔离电阻，直波导为功分器输入口和合成器的输出口，在距离直波导的短路面四分之一波长处设置有两个对称的基片，基片上固...
- 沈川郑贵强蔡钟斌康小克王永帅刘玥玲
- 文献传递
- 一种可运用于THz波段的新型定向耦合器被引量：4
- 2015年
- 根据分支波导定向耦合器的工作原理,并结合考虑MEMS刻蚀工艺,设计出一款应用于THz波段的10d B波导定向耦合器。该定向耦合器在传统的分支线结构上加以改进,将传统分支线耦合结构改进成新型"田"字型耦合结构,性能较好,并提高了可加工性。通过HFSS软件仿真,该定向耦合器在0.33~0.35THz频段内耦合度为10d B,隔离度达到30d B以上,各端口回波损耗小于-30d B,整体插损小于0.2d B。
- 黄昆钟伟康小克邓贤进何月
- 关键词：波导定向耦合器MEMS工艺
