您的位置： 专家智库 > >

左磊召

作品数：3 被引量：1H指数：1
供职机构：南京邮电大学电子科学与工程学院更多>>
发文基金：国家自然科学基金江苏省高校自然科学研究项目更多>>
相关领域：电子电信更多>>

合作作者

文献类型

  • 1篇期刊文章
  • 1篇学位论文
  • 1篇会议论文

领域

  • 3篇电子电信

主题

  • 2篇短沟道
  • 2篇短沟道效应
  • 2篇阈值电压
  • 2篇沟道
  • 2篇沟道效应
  • 2篇MOS器件
  • 1篇大信号
  • 1篇射频
  • 1篇势垒
  • 1篇全耗尽
  • 1篇全耗尽SOI
  • 1篇阈值电压模型
  • 1篇小尺寸
  • 1篇小尺寸效应
  • 1篇建模与仿真研...
  • 1篇仿真
  • 1篇SOI
  • 1篇MOSFET
  • 1篇表面势
  • 1篇部分耗尽SO...

机构

  • 3篇南京邮电大学

作者

  • 3篇左磊召
  • 2篇郭宇锋
  • 2篇程玮
  • 2篇张锐
  • 2篇花婷婷
  • 1篇王厚大

传媒

  • 1篇微电子学

年份

  • 2篇2011
  • 1篇2010
共 3 条 记 录，以下是 1-3
全选 清除 导出
排序方式：
小尺寸MOS器件阈值电压的三维建模与仿真研究
近年来，MOS 器件小尺寸效应的建模与仿真技术日趋得到了学者们的广泛重视。其中，短沟道效应、窄沟道/反向窄沟道效应成为研究的重点，但现有的一维和二维模型难以准确表述它们之间相互耦合的关系，有必要进行三维建模。　　 本文...
左磊召
关键词：阈值电压短沟道效应
SOI和体硅MOSFET大信号非准静态效应比较研究
2011年
研究了全耗尽SOI、部分耗尽SOI和体硅NMOS器件中源、漏、栅和衬底电流的非准静态现象。研究表明,在相同的结构参数下,体硅器件的非准静态效应最强,PDSOI次之,FDSOI最弱。指出了沟道源、漏端反型时间和反型程度的不同是造成非准静态效应的内在原因。最后提出临界升压时间的概念,以此对非准静态效应进行定量表征,深入研究器件结构参数对非准静态效应的影响规律。结果显示,通过缩短沟道长度、降低沟道掺杂浓度、减小硅膜厚度和栅氧厚度、提高埋氧层厚度等手段,可以弱化SOI射频MOS器件中的非准静态效应。
程玮郭宇锋张锐左磊召花婷婷
关键词：全耗尽SOI部分耗尽SOI射频MOSFET
一个MOS器件小尺寸效应的三维表面势和阈值电压模型
本文基于三维泊松方程的求解，建立了一个小尺寸MOS器件的表面势的三维解析模型和新的阈值电压模型。和以往的一维或二维模型相比，本模型不但能够表述小尺寸MOS器件的短沟道效应和反向窄沟道效应，而且能够准确地反映二者相互耦合的...
左磊召郭宇锋王厚大程玮张锐花婷婷
关键词：表面势阈值电压短沟道效应
全选 清除 导出
共1页<1>
聚类工具0