崔林
- 作品数：6 被引量：16H指数：2
- 供职机构：哈尔滨工业大学更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金深圳市基础研究计划项目哈尔滨工业大学科研创新基金更多>>
- 相关领域：电子电信更多>>
- 用于GaN基发光二极管的蓝宝石图形衬底制备进展被引量：13
- 2012年
- 近几年,图形化蓝宝石衬底因其作为GaN基发光二极管外延衬底,不仅能降低GaN外延薄膜的线位错密度,还能提高LED的光提取效率而引起国内外许多科研机构的广泛研究兴趣.本文综述了图形化蓝宝石衬底提高GaN基发光二极管性能的作用机理,重点评述了目前图形化蓝宝石衬底的制备方法(湿法刻蚀、干法刻蚀、固相反应)和图形尺寸(微米图形化、纳米图形化),分析比较了不同制备方法和图形尺寸制备蓝宝石图形衬底对GaN基发光二极管性能改善,最后针对蓝宝石图形衬底制备存在的问题对其今后的发展方向做出了展望.
- 崔林汪桂根张化宇周福强韩杰才
- 关键词：氮化镓发光二极管
- 高质量GaN自支撑层的制备研究进展
- 介绍了GaN材料具有禁带宽、热导率高、电子饱和漂移速度大、介电常数小、化学性质稳定和机械性能好等特点，使其在从蓝绿到紫外波段的LED器件，紫外探测器，外空间和海底通讯，电子器件以及特殊条件下的半导体器件等领域有着广泛的应...
- 崔林张化宇汪桂根
- 关键词：CAN氢化物气相外延金属有机化学气相沉积
- 文献传递
- 高效大功率LED外延片用蓝宝石图形衬底的制备及其评价
- 白光照明用GaN基高效率大功率LED，近年来引起了人们研究的广泛关注，是未来LED产业的发展趋势。蓝宝石图形衬底，可有效降低其上GaN外延薄膜的穿透位错密度，同时提升GaN基LED的光提取效率。为了克服当前湿法和干法刻蚀...
- 崔林
- 关键词：电子束光刻激光干涉光刻固相反应发光二极管
- 文献传递
- 高效大功率LED用蓝宝石图形衬底的制备
- 2013年
- 首先在蓝宝石衬底上旋涂PMMA/copolymer双层胶,然后再进行电子束光刻处理,随后溅射铝膜,并结合剥离技术,从而制备图形化金属铝膜;最后再采用两步热处理法,使图形铝膜发生固相外延反应。在此过程中,侧重于电子束光刻和高温热处理的工艺优化研究。SEM测试结果表明,图形化铝膜在450℃低温氧化热处理24 h后,其图形形貌没有发生明显改变;在温度低于1200℃的高温热处理1 h后,图形仍然存在。HRXRD分析表明,图形化铝膜在450℃低温热处理24 h后再在1000℃高温热处理1 h,可在蓝宝石衬底上形成氧化铝外延薄膜;并且相比于基片,氧化铝外延薄膜的结晶质量还有所提高。本方法成功实现了高效大功率用LED蓝宝石图形衬底的制备。
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- 关键词：蓝宝石图形衬底电子束光刻发光二极管
- 立式HVPE反应器制备GaN厚膜模拟研究
- GaN作为第三代半导体材料，具有直接带隙宽、原子键强、热导率高、饱和电子速率高、化学性质稳定等诸多优异性能，使其在从蓝绿到紫外波段的LED器件、紫外探测器、外空间和海底通讯等领域有着广泛的应用前景.由于GaN材料的高熔点...
- 崔林张化宇汪桂根
- 高效大功率LED用蓝宝石图形衬底制备的研究进展被引量：5
- 2012年
- 近年来,图形化的蓝宝石衬底在改善GaN晶体外延生长质量以及提升LED器件发光提取效率方面作用显著,引起了广泛的研究兴趣。综述了蓝宝石图形衬底的制备方法(干法刻蚀、湿法刻蚀、外延生长法),并较系统地介绍了蓝宝石图形衬底表面周期性图形参数(图形形貌、图案尺寸、图形占位比及其深度)对LED发光薄膜及器件的影响及其机理,最后对蓝宝石图形衬底的发展趋势进行了展望。
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- 关键词：蓝宝石图形衬底GANLED
