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尹贤文

作品数：5 被引量：2H指数：1
供职机构：中国电子科技集团第二十四研究所更多>>
相关领域：电子电信交通运输工程机械工程更多>>

合作作者

文献类型

  • 5篇中文期刊文章

领域

  • 5篇电子电信
  • 1篇机械工程
  • 1篇交通运输工程

主题

  • 2篇电路
  • 2篇集成电路
  • 2篇功率集成
  • 2篇功率集成电路
  • 2篇SIPOS
  • 2篇VDMOS
  • 1篇低压
  • 1篇多晶
  • 1篇多晶硅
  • 1篇多晶硅薄膜
  • 1篇汽车
  • 1篇终端
  • 1篇终端技术
  • 1篇终端设备
  • 1篇模拟开关
  • 1篇开关
  • 1篇开关电路
  • 1篇高压功率器件
  • 1篇功率器件
  • 1篇硅薄膜

机构

  • 3篇电子工业部
  • 1篇电子科技大学
  • 1篇中国电子科技...
  • 1篇机电部

作者

  • 5篇尹贤文
  • 2篇黄平
  • 1篇郭林
  • 1篇郭林
  • 1篇俞永康
  • 1篇何林
  • 1篇黄平

传媒

  • 5篇微电子学

年份

  • 1篇1997
  • 1篇1995
  • 2篇1994
  • 1篇1992
共 5 条 记 录，以下是 1-5
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排序方式：
一种智能功率集成电路隔离技术
1994年
本文介绍一种智能功率集成电路（高边ＣＭＯＳ模拟开关）的隔离技术。对除开关管ＶＤＭＯＳ管以外的器件采用自隔离技术，ＶＤＭＯＳ管不是自隔离的。衬底电势的变化易引起电路闭锁，采用浮阱技术来防止电路闭锁。
黄平尹贤文
关键词：模拟开关闭锁功率集成电路
半绝缘多晶硅薄膜的制备与应用
1995年
本文对ＬＰＣＶＤ半绝缘多晶硅（ＳＩＰＯＳ）薄膜工艺进行了研究，分析和讨论了工艺参数对薄膜淀积过程以及性能的影响。并较详细介绍了ＳＩＰＯＳ薄膜在高压功率器件领域的应用。
尹贤文
关键词：LPCVD半绝缘多晶硅高压功率器件SIPOS
一种低压智能功率集成技术
1994年
本文介绍了一种以传统多晶硅栅ＶＤＭＯＳ工艺为主的新型自隔离智能功率集成工艺技术。该技术可以将ＶＤＭＯＳ、ＨＶ－ＣＭＯＳ、ＬＶ－ＣＭＯＳ、ｎｐｎ双极晶体管、齐纳二极管、电容等器件集成在同一单片电路中。整个工艺仅１０块掩模版。结合我们研制的高边智能功率开关电路，对器件结构、特性和工艺设计考虑进行了详细的分析。
尹贤文黄平
关键词：低压VDMOS
金属场板加SIPOS电阻场板的新型终端技术被引量：1
1992年
本文介绍了一种金属场板结合SIPOS电阻场板的新型终端结构,该终端能实现平面结理想击穿值的80％以上。对这种终端结构的设计,采用了一种简单方法。根据实验结果,对金属场板和SIPOS电阻场板的互补功能进行了详细的分析。
尹贤文何林黄平
关键词：SIPOS终端设备
一种车用高边智能功率开关电路的研制被引量：1
1997年
介绍了一种汽车用高边智能功率开关电路的工作原理。对该电路所涉及的功率ＶＤＭＯＳ器件、隔离技术及ＣＭＯＳ／ＶＤＭＯＳ兼容工艺设计进行了详细分析，最后给出了实验结果。
尹贤文俞永康郭林
关键词：功率集成电路VDMOS汽车
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