孙雷
- 作品数：54 被引量：20H指数：2
- 供职机构：北京大学更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金国家重点基础研究发展计划更多>>
- 相关领域：电子电信理学文化科学生物学更多>>
- 一种杂质分凝肖特基源漏器件及其制备方法
- 杂质分凝肖特基源漏器件，包括一个垂直方向的环状半导体沟道，一个环状栅电极，一个环状栅介质层，一个源区，一个杂质分凝区，一个漏区，一个杂质分凝区，一个半导体衬底；源区位于垂直沟道的底部，与衬底相接；杂质分凝区介于源区与垂直...
- 孙雷徐浩张一博韩静文王漪张盛东
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- 蒙特卡罗方法模拟肖特基效应
- 本文研究了肖特基效应对金属半导体接触的影响.通过采用自洽的蒙特卡罗方法,模拟了引入肖特基效应后,SBD的垫垒降低量和工作特性,验证了模拟使用的物理模型.得到了与理论计算值符合的模拟结果.分析模拟结果表明,由于肖特基效应形...
- 孙雷关旭东杜刚刘晓彦韩汝琦
- 关键词：肖特基效应电子输运
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- 一种垂直环栅隧穿晶体管及其制备方法
- 一种结合垂直沟道、异类杂质分凝和肖特基势垒源/漏结构的环栅场效应晶体管，包括一个垂直方向的环状半导体沟道，一个环状栅电极，一个环状栅介质层，一个源区，一个杂质分凝区，一个漏区，一个杂质分凝区，一个半导体衬底；其中，源区位...
- 孙雷徐浩张一博韩静文王漪张盛东
- 一种氧化锌掺钴室温稀磁半导体材料的制备方法
- 本发明提供一种室温稀磁宽禁带半导体氧化锌掺钴材料的方法，属于新型半导体自旋电子器件材料制备领域。该方法首先采用固相烧结法制备ZnO中掺入Co杂质，即将高纯的ZnO粉末和钴的氧化物粉末按一定的成份配比混合后，使用行星式球磨...
- 王漪孙雷韩德东刘力锋康晋锋刘晓彦张兴韩汝琦
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- 一种肖特基势垒MOS晶体管及其制作方法
- 本发明提供了一种新结构的肖特基势垒MOS晶体管，其特征在于所述MOS晶体管的源区和漏区分别由两层金属或金属与半导体形成的化合物材料构成。该双层源漏肖特基势垒MOS晶体管的制作方法和传统的肖特基势垒MOS晶体管的制作工艺相...
- 李定宇孙雷张盛东刘晓彦韩汝琦
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- MOS晶体管体区的掺杂方法
- 本发明提供了一种MOS晶体管体区的掺杂方法，属于半导体集成电路及其制造技术领域。该方法是在栅电极两侧形成狭缝，通过该狭缝进行体区的离子注入掺杂。本发明由于体区重掺杂是通过栅电极两侧的狭缝进行，因此，实现了重掺杂区域在沟道...
- 张盛东廖聪维孙雷陈文新韩汝琦
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- 深亚微米/纳米半导体器件蒙特卡罗模拟
- 蒙特卡罚方法作为适于研究热电子效应及量子效应对半导体器件影响的一种半导体器件计算机模拟方法,应用日益广泛.本文介绍了蒙特卡罗器件模拟的基本流程,物理模型和在深亚微米/纳米时雷特别考虑的问题.并给出了利用我们自主开发的蒙特...
- 杜刚刘晓彦孙雷韩汝琦
- 关键词：半导体器件
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- 一种源漏位于绝缘层上的MOS晶体管的制作方法
- 本发明公开了一种制备源漏位于绝缘层上的MOSFET晶体管的方法，是在衬底材料上按照常规MOSFET工艺形成栅电极图形后，以栅电极图形为掩模进行离子注入掺杂，在源漏处形成表面低掺杂的表面层和内部高掺杂的隐埋层。再在栅电极两...
- 李定宇张盛东柯伟孙雷韩汝琦
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- 一种双层肖特基势垒MOS晶体管及其制备方法
- 一种双层源/漏肖特基势垒结构的MOS晶体管，包括半导体衬底、沟道区；下层金属硅化物源区、下层金属硅化物漏区；上层金属硅化物源区、上层金属硅化物漏区；栅介质层和控制栅；其中，沟道区呈长方体状，一侧与上、下两层金属硅化物源区...
- 孙雷徐浩张一博韩静文王漪张盛东
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- 利用噬菌体抗体构建导向溶栓剂
- 人血纤维蛋白原在凝血酶、Ca<'2+>作用下,转变成为血纤维蛋白凝块.以此血纤维蛋白凝块作为选择剂,模拟体内血栓抗原,由小鼠来源的抗体噬菌体展示库中经亲和选择（淘汰）,富集得到血纤维蛋白特异的噬菌体抗体.为了模拟体内抗体...
- 孙雷
- 关键词：噬菌体单链抗体DNA改组PCR扩增
