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孙硕
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中国科学院上海技术物理研究所
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相关领域:
理学
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合作作者
孟祥建
中国科学院上海技术物理研究所
沈宏
中国科学院上海技术物理研究所
孙璟兰
中国科学院上海技术物理研究所
王建禄
中国科学院上海技术物理研究所
褚君浩
中国科学院上海技术物理研究所
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王建禄
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一种PVDF基有机铁电聚合物纳米线的制备方法
本发明公开一种PVDF基有机铁电聚合物纳米线的制备方法。通过运用阳极氧化铝纳米模版,将聚偏氟乙烯基聚合物溶液滴至阳极氧化铝纳米模板上表面,通过退火处理,使其溶剂挥发,后加热至使表面残留有机铁电聚合物其熔融,利用纳米模版的...
刘伯路
王建禄
孙璟兰
韩莉
孙硕
沈宏
孟祥建
褚君浩
文献传递
一种银纳米颗粒掺杂P(VDF-TrFE)复合薄膜的制备方法
本发明公开一种银纳米颗粒掺杂P(VDF-TrFE)复合薄膜的制备方法,其步骤如下:将偏聚二氟乙烯二元衍生聚合物P(VDF-TrFE)水浴溶解于丁酮溶剂,静置凝胶后得到P(VDF-TrFE)的丁酮溶液;将硝酸银粉末溶解于有...
邹宇宏
韩莉
王建禄
孙璟兰
孙硕
沈宏
孟祥建
文献传递
一种PVDF基有机铁电聚合物纳米管的制备方法
本发明公开一种PVDF基有机铁电聚合物纳米管的制备方法。其特征在于,通过运用阳极氧化铝纳米模版,将聚偏氟乙烯基聚合物溶液滴至阳极氧化铝纳米模板上表面,通过退火处理,使其溶剂挥发,后加热至使表面残留有机铁电聚合物其熔融,利...
刘伯路
王建禄
孙璟兰
韩莉
孙硕
沈宏
孟祥建
褚君浩
文献传递
一种基于二硫化钼薄膜的PVDF基铁电场效应管的制备方法
本发明公开一种基于二硫化钼薄膜的PVDF基铁电场效应管的制备方法。其特征在于,在热氧化生长SiO<Sub>2</Sub>的Si衬底上制备MoS<Sub>2</Sub>薄膜,然后采用光刻、lift off方法刻蚀出场效应管...
王旭东
王建禄
孟祥建
韩莉
孙硕
沈宏
林铁
孙璟兰
褚君浩
文献传递
一种二维半导体负电容场效应管
本专利公开了一种二维半导体负电容场效应管。器件结构自下而上依次为衬底、二维半导体、金属源漏电极、具有负电容效应的铁电栅电介质和金属栅电极。首先在衬底上制备过渡金属硫族化合物二维半导体,运用电子束光刻技术结合剥离工艺制备金...
王建禄
王旭东
孟祥建
沈宏
林铁
孙硕
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褚君浩
文献传递
一种调控铁磁性能的铁电场效应管的制备方法
本发明公开一种调控铁磁性能的铁电场效应管的制备方法。该方法用激光脉冲沉积的方法以一定的参数生长表面平整结晶性较好的La<Sub>x</Sub>(CaSr)<Sub>(1-x)</Sub>MnO<Sub>3</Sub>薄膜...
赵晓林
王建禄
孟祥建
韩莉
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沈宏
林铁
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褚君浩
文献传递
一种PVDF基高压电系数薄膜的制备方法
本发明公开一种PVDF基高压电系数薄膜的制备方法。其特征在于,将PVDF基有机铁电聚合物溶入二甲基亚砜溶液中,通过朗缪尔-布罗基特方法,逐层交替地将不同的PVDF基有机铁电聚合物转移至衬底上,经过退火处理,去除界面残留溶...
赵晓林
王建禄
孟祥建
孙硕
沈宏
韩莉
孙璟兰
褚君浩
文献传递
一种二维半导体负电容场效应管及制备方法
本发明公开了一种二维半导体负电容场效应管及制备方法。器件结构自下而上依次为衬底、二维半导体、金属源漏电极、具有负电容效应的铁电栅电介质和金属栅电极。首先在衬底上制备过渡金属硫族化合物二维半导体,运用电子束光刻技术结合剥离...
王建禄
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一种PVDF基有机铁电聚合物超晶格制备方法
本发明公开一种PVDF基有机铁电聚合物超晶格制备方法。将PVDF基有机铁电聚合物溶入二甲基亚砜溶液中,通过朗缪尔-布罗基特方法,交替厚度可调节地将不同的PVDF基有机铁电聚合物转移至衬底上,经过退火处理,去除界面残留溶剂...
王建禄
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一种PVDF基有机铁电聚合物纳米线的制备方法
本发明公开一种PVDF基有机铁电聚合物纳米线的制备方法。通过运用阳极氧化铝纳米模版,将聚偏氟乙烯基聚合物溶液滴至阳极氧化铝纳米模板上表面,通过退火处理,使其溶剂挥发,后加热至使表面残留有机铁电聚合物其熔融,利用纳米模版的...
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