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孙娟

作品数：13 被引量：6H指数：2
供职机构：南京电子器件研究所更多>>
相关领域：电子电信更多>>

合作作者

文献类型

  • 11篇期刊文章
  • 2篇会议论文

领域

  • 13篇电子电信

主题

  • 7篇分子束
  • 6篇分子束外延
  • 4篇HFET
  • 4篇INGAAS...
  • 3篇沟道
  • 3篇P沟道
  • 3篇GAAS/A...
  • 3篇GAAS衬底
  • 3篇衬底
  • 3篇GAAS
  • 2篇调制掺杂
  • 2篇异质结
  • 2篇微波器件
  • 2篇晶格
  • 2篇半导体
  • 2篇半导体材料
  • 2篇XGA
  • 2篇AL
  • 2篇材料特性
  • 2篇掺杂

机构

  • 13篇南京电子器件...
  • 5篇南京大学
  • 3篇中国科学院

作者

  • 13篇孙娟
  • 9篇高翔
  • 8篇张允强
  • 3篇吴鹏
  • 3篇谢自力
  • 2篇蒋树声
  • 1篇张允
  • 1篇朱顺才
  • 1篇黄文裕
  • 1篇尹志军
  • 1篇尤民
  • 1篇陈培棣
  • 1篇邱凯

传媒

  • 8篇固体电子学研...
  • 1篇半导体技术
  • 1篇半导体杂志
  • 1篇电子工程师
  • 1篇第十五届全国...

年份

  • 3篇2008
  • 1篇1998
  • 2篇1994
  • 3篇1993
  • 4篇1992
共 13 条 记 录，以下是 1-10
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排序方式：
在(311)A GaAs衬底上生长的Si掺杂GaAs/AlGaAs P沟道HFET结构材料特性研究
利用MBE技术在(311)A GaAs衬底上生长了Si掺杂GaAs/AlGaAs P沟道HFET结构材料。通过控制V/III束流和其它生长参数优化了材料的生长条件。仅仅通过Si掺杂获得P型GaAs和AlGaAs材料研制生...
孙娟谢自力邱凯尹志军
关键词：GAAS衬底P沟道MBE技术
文献传递
(311)A GaAs衬底掺Si GaAs/AlGaAs p沟HFET结构材料特性
利用MBE技术在(311)A GaAs衬底上生长了Si掺杂GaAs/AlGaAs p沟道HFE结构材料。通过控制Ⅴ/Ⅲ束流和其他生长参数,优化了材料的生长条件。通过Si掺杂获得p型GaAs和AlGaAs材料,研制生长了微...
孙娟谢自力邱凯尹志军
关键词：分子束外延P沟道
文献传递
分子束外延生长Al_xGa_(1-x)As/GaAs超晶格及结构、光学特性研究
1993年
报道了分子束外延生长80个周期的Al_xGa_(1-x)As/GaAs超晶格,X射线衍射和透射电镜的结果表明超晶格样品有良好的结构特性,光反射光谱观察到阱内的电子跃迁过程,其结果与理论计算相符。
张允强高翔彭正夫孙娟蒋树声章灵军
关键词：分子束外延超晶格
应变超晶格In_(0.15)Ga_(0.85)As/GaAs的电镜和光谱研究
1993年
用光调制反射谱和透射电镜技术研究分子束外延生长的应变超晶格In_(0.15)Ga_(0.85)As/GaAs,并讨论了实验结果。
高翔张允强孙娟彭正夫蒋树声章灵军
关键词：分子束外延INGAAS/GAAS电镜
Al_xGa_(1-x)As/GaAs调制掺杂结构的生长研究被引量：4
1992年
用分子束外延生长Al_xGa_(1-x)As/GaAs调制掺杂结构。范德堡法、光荧光谱和电化学C—V等方法测量了电学和光学特性。连续波电光检测证明材料有较好的均匀性。用该结构材料制作的HEMT器件在12GHz下,噪声系数0.76dB,相关增益6.5dB。
张允强彭正夫高翔孙娟黄文裕
关键词：分子束异质结调制掺杂
MBE生长In_(0.52)Al_(0.48)AS/In_(0.53)Ga_(0.47)AS/InP材料
1993年
人们普遍认为,InAlAs/InGaAs/InP系统是极有发展前途的低噪声、高频器件材料。因为与InP晶格匹配的In_xGa_(1-x)As中In组分x值为0.53,这比In_(x≤0.2)Ga_(1-x)As/GaAs赝配结构中In组分大得多,从而有大的电子饱和速度(2.6×10~7cm/s)和高的室温迁移率(～10000cm^2/V·s)。大的导带不连续性(0.5eV),使量子阱对电子的限制作用增强,且掺杂浓度高,因而二维电子气(2DEG)密度大。测量结果还表明,掺杂InAlAs中不存在类似AlGaAs中的DX中心。
彭正夫张允强高翔孙娟吴鹏
关键词：半导体材料化合物半导体
InGaAs／GaAs异质结构材料及器件应用
1994年
概述了ＩｎＧａＡｓ／ＧａＡｓ异质结构材料用于制作微波器件的优越性，叙述了材料的ＭＢＥ生长、输运特性和掺杂分布，以及用于制作Ｋｕ波段低噪声高增益ＨＦＥＴ的结果：栅长０．５μｍ，１２ＧＨｚ下噪声系数０．９３ｄＢ，相关增益９ｄＢ。
彭正夫张允强龚朝阳高翔孙娟吴鹏
关键词：微波器件INGAAS/GAAS
NDR系列声表面波谐振器批生产技术研究
1998年
声表面波谐振器作为频率控制元件，要求谐振频率准确，批量生产技术难度较大。本文对批生产的要素，关键工艺技术和工艺过程质量控制等方面进行了讨论。已批量生产的NOR系列声表面波谐振器三大系列百余品种，性能均达到国外同类器件水平，生产线通过ISO9002质量保证体系认证。
陈培棣蒋海涛尤民孙娟夏兆锋
关键词：声表面波声表面波器件谐振器
调制掺杂AlGaAs/InGaAs/GaAs应变量子阱结构的研究被引量：2
1992年
报道调制掺杂AlGaAs/InGaAs/GaAs应变量子阱结构的分子束外延生长、变温霍尔效应和电化学c—v测量,并对输运性质进行了讨论。用这种材料研制的PM-HEMT(pseudomorphic high electron mobility transistors)器件,栅长0.4μm,在12GHz下噪声系数1.03dB,相关增益7.5dB。
彭正夫张允强高翔孙娟朱顺才
关键词：分子束外延调制掺杂
InGaAs/GaAs HFET研制取得初步结果
1992年
众所周知,GaAs MESFET器件的微波特性主要由沟道中的电子饱和速度和栅长决定。由于InGaAs的电子饱和速度比GaAs的大,用InGaAs替代GaAs作沟道就可以改善器件的微波性能。为此进行了InGaAs/GaAs HFET的研究。HFET的结构与n^+-AlGaAs/InGaAs/GaAs HEMT(PM-HEMT)结构比较有下述几个特点:①由于不含Al组分,就不存在所谓DX中心深能级的问题;②提供载流子的n-GaAs层的掺杂浓度比n^+-AlGaAs层的低,故器件的击穿电压高,这很适合制作功率器件;③器件工艺与通常的GaAs MESFET相同,器件的可靠性问题容易解决。
彭正夫张允强龚朝阳高翔孙娟
关键词：场效应器件MESFET
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