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电沉积巨磁电阻纳米材料的研究进展: 2005年; 对二维纳米巨磁电阻材料(包括纳米金属多层膜(人工超晶格)、不连续多层膜、自旋阀多层膜、纳米金属颗粒膜等)和一维纳米巨磁电阻材料———纳米金属多层线的电化学制备、性能进行了总结。介绍了巨磁电阻材料在制作超高灵敏度微型传感器、高密度读出磁头、磁随机存储器以及磁电子器件等方面的应用。指出了纳米巨磁电阻材料在制备及应用过程中存在的问题及其今后的发展方向。; 姜莹姚素薇吴海霞; 关键词：巨磁电阻效应纳米磁存储器

巨磁电阻薄膜的电化学制备、表征及磁性能研究: 本论文第一部分采用控电位电沉积法，在n-Si(111)晶面上制备了NiFe合金薄膜，并确定了获得Ni80Fe20合金的工艺条件以及对应的电流效率。由SEM表面形貌分析可得，当薄膜的名义厚度大于25nm时，可形成连续性镀层...; 姜莹; 关键词：多层膜自旋阀巨磁电阻超晶格磁性能电化学; 文献传递

自旋阀多层膜的电化学制备及其巨磁电阻效应被引量：3: 2007年; 采用双槽控电位电沉积法在n-Si(111)基体上以NiFe薄膜为缓冲层制备了[Ni_(80)Fe_(20)/Cu/Co/Cu]_n自旋阀多层膜,并确定了电沉积的工艺条件.利用X射线衍射(XRD)表征了自旋阀多层膜的超晶格结构,研究了NiFe缓冲层对自旋阀生长取向的影响.采用四探针法研究了各子层厚度对自旋阀巨磁电阻效应的影响,通过振动样品磁强计(VSM)测试了自旋阀的磁滞回线.自旋阀的巨磁电阻(GMR)值最初随着铜层厚度的变化发生周期性振荡,Cu层厚度为3.6nm时,GMR达到最大值,随后逐渐减小.随着Co层和NiFe层厚度的增大,GMR值的变化趋势均为先增大后减小.当自旋阀的结构为NiFe(25nm)/[Cu(3.6nm)/Co(1.2nm)/Cu(3.6nm)/NiFe(2.8nm)]_30时,GMR值可达5.4%,对应的磁电阻灵敏度(SV)为0.2%·Oe^(-1),饱和磁场仅为350Oe.; 姚素薇姜莹张卫国; 关键词：自旋阀多层膜巨磁电阻

天津外运集装箱分公司员工激励政策研究: 本论文旨在通过对集装箱分公司内部人力资源管理现状和管理水平的剖析，找出公司内、外阻碍人力资源工作顺利进行的种种问题，运用人力资源管理领域的理论观点，加以多角度分析，因地制宜，提出适合公司发展的激励政策。通过对这些激励政策...; 姜莹; 关键词：人力资源管理核心竞争力

纳米巨磁电阻材料的电化学制备及其应用被引量：2: 2006年; 巨磁电阻材料大多采用物理法制备．与溅射法、分子束外延等方法相比,电化学法具有设备简单、成本低廉、低温操作、过程可控等优势,是制备巨磁电阻材料的良好途径．为此,针对国内外巨磁电阻材料的研究状况,结合多年来本研究室在该领域的研究工作,介绍了一维纳米多层线、二维纳米金属多层膜、自旋阀和颗粒膜等巨磁电阻材料的电化学制备方法、表征及磁电阻性能．简述了巨磁电阻材料在超高灵敏度微型传感器、巨磁电阻磁盘、读出磁头、磁随机存储器和磁电子器件等方面的应用,并对发展前景和研究方向进行了展望．; 姚素薇姜莹张卫国吴海霞赵瑾张璐; 关键词：纳米材料巨磁电阻材料电化学

半导体Si(111)上电沉积NiFe缓冲层薄膜被引量：2: 2007年; 采用电化学沉积法,在半导体硅片上制备了具有纳米晶粒尺寸的NiFe缓冲层薄膜,并确定了获得Ni80Fe20合金的工艺条件。由SEM形貌观测分析,当薄膜名义厚度>25nm时,可形成连续性镀层。I-t暂态曲线及STM结果表明,NiFe薄膜在低过电位下以三维岛状模式生长,在高过电位下以二维层状模式生长,其RMS表面粗糙度最小值仅为0.5nm。XRD结果表明,薄膜为面心立方Ni基固溶体结构,并具有明显的(111)晶面择优取向。当薄膜组成为Ni80Fe20时,各向异性磁电阻效应(AMR)最大,AMR值为1.8%。; 姜莹姚素薇张卫国王宏智; 关键词：电沉积纳米晶 AMR

电沉积Ni_(80)Fe_(20)/Cu纳米多层膜及其巨磁电阻效应被引量：9: 2008年; 采用单槽控电位双脉冲技术在n-Si(111)晶面上制备了[Ni80Fe20/Cu]n多层膜,用SEM观测了多层膜的断面形貌,利用X射线衍射(XRD)表征了多层膜的超晶格结构。采用四探针法研究了多层膜的巨磁电阻(GMR)性能,结果表明,多层膜的GMR值随着Cu层厚度的变化发生周期性振荡,随着NiFe层厚度的增加先增大后减小;当样品结构为[NiFe(1.6nm)/Cu(2.6nm)]80时,GMR值可达6.4%;多层膜的最低饱和磁场仅为750Oe。磁滞回线测试结果表明,反铁磁耦合多层膜具有较小的矩形比,更适宜作为磁头材料。; 张卫国姜莹姚素薇; 关键词：电沉积多层膜巨磁电阻超晶格

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姜莹