周筑颖
- 作品数：29 被引量：73H指数：6
- 供职机构：复旦大学更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金中国工程物理研究院院外基金中国工程物理研究院科学技术发展基金更多>>
- 相关领域：理学一般工业技术金属学及工艺电子电信更多>>
- ^（16）O（α，α）^（16）O锐共振在加速器能量快速校刻及氧元素深度剖析中的应用
- 1994年
- 使用自动能量校刻程序辅助非卢瑟福背散射分析技术，实现加速器能量的快速校刻，并用１６Ｏ（α，α）１６Ｏ３．０３４ＭｅＶ锐共振精确测量了Ｗ／Ｓｉ样品的氧元素深度分布．程序的建议部分所采用的参数误差定量计算方法，简化了以往的能量校刻过程．
- 周颖耀何文权承焕生赵国庆周筑颖
- 关键词：加速器氧
- P－D背散射截面及质子在固体中的多次散射被引量：1
- 1996年
- 报道了由质子束轰击Ｍｏ厚衬底上的氯化钛薄膜的背散射谱得出的Ｐ－Ｄ背散射的截面数据．由于Ｐ－Ｄ散射谱是叠加在Ｐ－Ｍｏ背散射谱上的，所以通过对服从卢瑟福截面公式的Ｐ－Ｍｏ背散射谱进行理论拟合而间接得出Ｐ－Ｄ背散射产额．讨论了质子在固体中的多次散射对Ｐ－Ｍｏ散射谱高度的影响，这种影响是不能忽视的，它使实验谱和不考虑多次散射效应而得出的理论谱有很大差异．并根据实验数据总结出了多次散射造成谱的升高对散射能量、散射深度、及散射角度的依赖关系．
- 伍怀龙赵国庆周筑颖杨福家龙兴贵翟国良杨时礼赵鹏骥
- 关键词：截面多次散射质子背散射
- 计算机模拟在高能背散射分析中的应用
- 1994年
- 系统总结了计算机模拟方法在高能背散射分析中的多种应用。通过应用测得的高能背散射截面数据，更新了ＲＵＭＰ程序的高能区数据库，将其扩展到高能背散射分析之中。文章除了通过实例阐明模拟方法的优势所在之外，还以４Ｈｅ－１２Ｃ背散射为例，说明了可以借助计算机模拟快速确定非卢瑟福背散射截面．
- 周颖耀周筑颖赵国庆
- 关键词：计算机模拟散射截面
- 氘在钛中的扩散行为被引量：6
- 1996年
- 对以氘化钛形式吸附在金属钛中的氘的扩散行为进行了研究。样品经电子束加温至３４３℃，用４Ｈｅ－Ｄ前向反冲方法测量氘化钛分解后筑在钛表面和内部的浓度分布。由扩散方程求得吸附的氘化钛样品中氖的扩散系数和表面复合系数，并与通过向钛中注入氘的方法得到的结果进行了比较。
- 伍怀龙赵国庆周筑颖杨福家龙兴贵翟国良杨时礼赵鹏翼
- 储氢薄膜的吸氢动力学研究被引量：4
- 2000年
- 研究了储氢薄膜材料在两相区范围内的吸氢动力学 ,它包括 4个动力学过程 :氢在气 /固表面的化学吸附 ,氢原子的表面渗透 ,氢原子在氢化物层的扩散和金属 /氢化物界面上的氢化物生成。计算结果表明 :当吸氢压强较低时 ,反应主要受化学吸附步骤控制 ;在压强较高 (pH2 peq)和薄膜吸氢的后期 ,表面渗透、扩散和相转变步骤都有可能成为反应速率控制步骤。
- 施立群赵国庆周筑颖汤家镛
- 关键词：氢吸附反应速率吸氢动力学
- ECR等离子体辅助反应脉冲激光沉积化合物薄膜
- 冲激光沉积与ＥＣＲ微波放电等离子体结合，进行了制备化合物薄膜的初步尝试，合成沉积了氮化硅、氧化硅、氮化铝薄膜。采用俄歇电子能谱等方法进行了分析表征，结果表明这种方法可以用于多种化合物薄膜的制备。另外还就成膜的过程和机制进...
- 孙剑钟晓霞周筑颖
- 关键词：电子回旋共振脉冲激光沉积等离子体
- 直流磁控溅射沉积含He钛膜的研究被引量：3
- 2005年
- 研究了用He/Ar混合溅射气体的直流磁控溅射制备钛膜中He的掺入现象. 分析结果表明, 大量的He原子(He/Ti原子比高达 56% )被均匀地引入到Ti膜中, He含量可由混合溅射气体的He分量精确控制. 通过调节溅射参数, 可实现样品中He的低损伤引入. 研究还发现, 溅射沉积的含氦Ti膜具有较高的He成泡剂量和高的固He能力, 这可能是溅射沉积形成了纳米晶Ti膜所致. 纳米晶Ti膜较粗晶材料具有很高浓度的He捕陷中心, 使He泡密度增大而泡尺寸减小. 随He引入量的增加, Ti膜的晶粒尺寸减小, He引起的晶体点阵参数和X射线衍射峰宽度增大, 晶体的无序程度增加.
- 施立群金钦华刘超卓徐世林周筑颖
- 关键词：溅射沉积晶体原子
- 多层膜样品的背散射/沟道、溅射剥层/背散射和二次离子质谱分析
- 2002年
- 用背散射 /沟道、溅射剥层 /背散射和二次离子质谱方法分析了分子束外延生长的Si/GexSi1-x多层膜 .由 2MeV 4He+ 离子背散射 /沟道分析 ,确定了外延生长薄膜的厚度、组分和晶格结构的完美性 ;用低能Ar+ 离子溅射剥层 ,减薄样品外延层厚度后 ,再做背散射分析 ,可获得有关较深层薄膜与基体界面和溅射剥层的信息 ;
- 赵国庆姜蕾宋玲根杨宇孙耀德周筑颖
- 关键词：多层膜背散射沟道
- 用^3He→D核反应分析Ti中的D
- 1995年
- 用Ｄ－＾３Ｈｅ核反应分析法分析中子发生器用ＴｉＤｘ靶中Ｄ的含量ｘ。并利用Ａｕ－Ｓｉ面垒探测器测量了质子能谱，获得了该探测器的灵敏灵参量，仔细研究了半导体探测器对高能质子的响应。对质子射程同耗尽层厚度相当时的质子能谱进行的理论计算一实验现象一致。
- 周颖耀赵国庆周筑颖许卫东杨福家尤兴贵翟国良李宏发杨时礼赵鹏骥
- 关键词：NRA核反应分析中子发生器
- 高能离子散射分析在薄膜材料研究中的应用
- 赵国庆周筑颖
