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文献类型

  • 2篇专利
  • 1篇学位论文

领域

  • 1篇电子电信
  • 1篇一般工业技术

主题

  • 2篇单晶
  • 2篇单晶体
  • 2篇晶体
  • 1篇氧化锌薄膜
  • 1篇氧化镓
  • 1篇荧光
  • 1篇提拉法
  • 1篇中频感应
  • 1篇中频感应加热
  • 1篇铝尖晶石
  • 1篇镁铝尖晶石
  • 1篇结合能
  • 1篇晶格
  • 1篇晶格失配
  • 1篇尖晶石
  • 1篇光电
  • 1篇光学
  • 1篇光学效应
  • 1篇浮区法
  • 1篇改性

机构

  • 3篇中国科学院上...

作者

  • 3篇吴永庆
  • 2篇吴锋
  • 2篇裴广庆
  • 2篇张俊刚
  • 2篇徐军
  • 2篇夏长泰
  • 1篇周国清

年份

  • 1篇2008
  • 2篇2006
3 条 记 录,以下是 1-3
排序方式:
掺稀土元素氧化镓荧光衬底材料及其制备方法
一种用作GaInN基蓝光半导体外延生长的掺稀土元素氧化镓荧光衬底材料及其制备方法。该掺稀土元素的氧化镓荧光衬底单晶体的分子式为:β-Ga<Sub>2-2x</Sub> (RE)<Sub> 2x</Sub>O<Sub>3<...
夏长泰张俊刚徐军周国清吴锋裴广庆吴永庆
文献传递
非化学计量比镁铝尖晶石单晶体制备方法
一种非化学计量比镁铝尖晶石单晶体制备方法,所述的非化学计量比镁铝尖晶石单晶体的结构式为MgO·(Al<Sub>2</Sub>O<Sub>3</Sub>)<Sub> n</Sub>,其中n=1.3,1.5,2.0,2.3,...
吴锋夏长泰徐军裴广庆张俊刚吴永庆
文献传递
氧化锌薄膜和纳米结构的制备及光电改性研究
氧化锌是一种宽带隙化合物半导体,具有六方纤锌矿结构,激子结合能为60meg。ZnO具有良好的透明导电性、压电性、光电性、气敏性、压敏性、且易于与多种半导体材料实现集成化。由于这些优异的性能,ZnO具有广泛的应用前景,引起...
吴永庆
关键词:氧化锌薄膜
共1页<1>
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