吴亮
- 作品数：15 被引量：56H指数：4
- 供职机构：上海大学更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金国家重点新产品计划上海市科学技术委员会资助项目更多>>
- 相关领域：一般工业技术化学工程电气工程电子电信更多>>
- 乡土情境下的"快餐式"婚姻-来自M村的个案调查
- 吴亮
- 基于数值模拟的太阳能直拉硅单晶热场降耗研究被引量：4
- 2016年
- 通过计算机数值模拟仿真技术分析了TDR-95A-ZJS型22英寸太阳能直拉硅单晶热场结构中影响能耗的主要因素。基于模拟结果提出了通过改变部分热场结构及保温毡布局等优化措施可有效降低原有热场功耗。实际生产实验表明,优化后的热场在保证晶体生长原有质量前提下较原有热场节能29%。
- 邓先亮任忠鸣邓康吴亮
- 关键词：数值模拟直拉硅单晶功耗
- 喷雾干燥法处理水合氧化锆被引量：10
- 2005年
- 比较了采用直接煅烧、干燥后煅烧、喷雾干燥等3种方法处理水合ZrO2,再通过气流粉碎获得超微细粉ZrO2;同时用激光衍射法、光透法、场发射扫描电镜和BET法测试了粉末的性能。结果表明:直接煅烧水合ZrO2获得的粉末团聚严重,颗粒粗而均匀性差;水合ZrO2通过低温静止干燥,可以减少颗粒的团聚,提高粉末颗粒分布的均匀性,但效率低;喷雾干燥法处理水合ZrO2,通过动态反应,易获得细晶粒的球状颗粒,可避免粉末的团聚,且粉末分散性好、晶粒分布均匀。
- 林振汉张玲秀吴亮
- 关键词：喷雾干燥超微细粉
- 用喷雾热分解方法制备Gd2O3-Y2O3-ZrO2电解质材料的性能
- 用喷雾热分解方法制备2mol﹪Gd2O3-8YSZ的粉末,用激光粒度分析,X衍射仪,BET法和扫描电子显微镜(SEM)检测粉末和陶瓷体的性能.结果表明:获得的粉末粒径为12.18?m,晶粒尺寸为100nm,BET=25....
- 林振汉张玲秀平信义吴亮徐霞
- 关键词：喷雾热分解电解质材料相结构固体氧化物燃料电池
- 文献传递
- 用喷雾热分解法制备Gd_2O_3-Y_2O_3-ZrO_2电解质材料的性能
- 2007年
- 用喷雾热分解方法制备了2mol%Gd2O3-8YSZ的粉末,用激光粒度分析,X射线衍射(XRD),BET法和扫描电子显微镜(SEM)检测粉末和陶瓷体的性能和结构。结果表明,获得的粉末粒径为12.18μm,晶粒尺寸为100nm,比表面积为25.09m2/g。粉末和陶瓷体材为立方结构。陶瓷体的烧结密度大于98%理论密度。在操作的温度高于600℃下的电导率达2×10-3S/cm。证实Gd2O3-8YSZ材料完全适用于作中温固体氧化物燃料电池(SOFC)的电解质。
- 林振汉张玲秀平信义吴亮徐霞
- 关键词：喷雾热分解电解质立方相
- 以物理气相传输法自支撑生长氮化铝单晶的表征被引量：3
- 2020年
- 提出了用物理气相传输法自支撑生长氮化铝单晶的新方法,此方法可以在氮化铝烧结体表面一次性获得大量生长的氮化铝单晶。在2373~2523 K的温度条件下经过100 h生长的氮化铝单晶,其最大尺寸为7 mm×8 mm×12 mm,典型直径为5~7 mm。这些原生晶体的表面形貌及结晶质量分别通过扫描电子显微镜、拉曼光谱和高分辨X射线衍射进行表征分析。拉曼光谱E2峰位的半高全宽为5.7 cm^-1,高分辨X射线衍射得到的对称摇摆曲线的半高全宽为93.6弧度秒。经过选择性化学腐蚀后的晶体,其表面的平均腐蚀坑密度为7.5×104cm^-2。逸出气体分析和辉光放电质谱分析结果表明,碳和氧为晶体内部的主要杂质元素,含量分别为28和120μg/g。此方法为高质量氮化铝单晶的获取提供了一个新的途径,这些单晶可以被切成晶片作为后续氮化铝同质外延生长的优良籽晶。使用这些小的籽晶,成功制备出了直径高达60 mm的氮化铝单晶体/晶圆,并具有良好的深紫外光透过性。
- 王智昊王琦琨贺广东雷丹黄嘉丽吴亮
- 关键词：表面形貌
- 氧化锆固体电解质的掺杂性能和应用被引量：18
- 2004年
- 简述了氧化锆固体电解质的发展和作用机理;氧化锆固体电解质的性质是由掺杂在氧化锆中的金属氧化物的组份和数量来决定的;并介绍了氧化锆固体电解质在工业中的应用。
- 豆斌朝林振汉吴亮平信义
- 关键词：氧化锆固体电解质掺杂电导率快离子导体
- 喷雾干燥法制备PSZ-3Y粉末的粒度研究被引量：10
- 2001年
- 用激光衍射法和BET法 (Brunner Emmett TellerMethod)研究了用喷雾干燥法制备的PSZ 3Y粉末的粒度性能。用喷雾干燥法能制得粒度均匀性好的球状PSZ 3Y粉末。影响粉末粒度的主要因素是料液中 (ZrO2 +Y2 O3)的浓度 ,其次是送料速度。从颗粒形貌图看出 ,颗粒表面布满了裂纹 ,所以这样的粉末经二次处理后 。
- 林振汉张玲秀林钢林红吴亮
- 关键词：喷雾干燥粒度分布比表面部分稳定氧化锆
- 水平磁场下18英寸直拉硅单晶生长工艺的三维数值模拟被引量：2
- 2017年
- 利用计算机模拟仿真技术对适用于生长18英寸直拉单晶硅的40英寸热场在水平磁场下的生长工艺进行三维模拟仿真计算,重点分析了不同强度水平磁场作用下熔体和晶体中的温度场分布、熔体中流场的变化及其对晶体生长固/液界面形状的影响及其变化规律,并进一步研究了不同水平磁场强度对熔体和晶体中氧杂质含量分布影响。数值模拟计算结果表明:由于外加水平磁场的引入,熔体的流动呈现完全的三维、非对称特点,从而导致熔体内的温度场、氧杂质的分布呈现明显的三维非对称特性;水平磁场强烈影响固/液生长界面下熔体的流动特性,从而显著影响熔体的固/液生长界面形状及氧杂质传输过程。
- 年夫雪邓先亮邓康任忠鸣吴亮
- 关键词：直拉法三维数值模拟
- PVT同质外延生长AlN单晶初期模拟及其实验研究被引量：3
- 2019年
- 使用FEMAG晶体生长模拟仿真软件及自主开发的PVT法有限元多相流传质模块对用自主设计的全自动、双电阻加热气相沉积炉同质外延生长AlN单晶初期温度场及传质过程进行了模拟仿真研究,并基于模拟结果开展了同质外延长晶实验。模拟仿真及实验研究表明:通过生长初期的梯度反转工艺可有效消除氧、碳及氢等杂质表面污染;坩埚的合理位置对同质外延生长AlN单晶时的温度梯度、Al/N蒸气传输及生长速率等至关重要;在距炉体底部420mm处为理想的坩埚埚位。
- 黄嘉丽王琦琨贺广东雷丹付丹扬龚建超任忠鸣邓康吴亮
- 关键词：模拟仿真
