您的位置: 专家智库 > >

叶舟

作品数:1 被引量:0H指数:0
供职机构:武汉大学物理科学与技术学院更多>>
发文基金:国家基础科学人才培养基金国家自然科学基金更多>>
相关领域:理学更多>>

文献类型

  • 1篇中文期刊文章

领域

  • 1篇理学

主题

  • 1篇透射电子显微...
  • 1篇离子注入
  • 1篇TEM
  • 1篇DMS
  • 1篇MN
  • 1篇磁学
  • 1篇磁学性质

机构

  • 1篇武汉大学

作者

  • 1篇郭立平
  • 1篇叶舟
  • 1篇彭国良
  • 1篇彭挺
  • 1篇欧阳中亮
  • 1篇黎明
  • 1篇潘杨

传媒

  • 1篇武汉大学学报...

年份

  • 1篇2009
1 条 记 录,以下是 1-1
排序方式:
Mn离子注入Si材料的结构分析及磁学性质
2009年
采用剂量分别为1×1016(1E16),3×1016(3E16)和5×1016cm-2(5E16)的Mn离子注入方法制备Si基稀磁半导体样品.利用透射电子显微镜(TEM)和交变梯度磁强计(AGM)对不同剂量的样品退火前后的结构和磁学特性的变化进行了表征.实验发现,退火前,只有5E16样品出现球状偏析物,其直径在5 nm左右,但也有个别直径15 nm左右的大团簇.N2环境下800℃退火5 min部分修复了1E16样品注入区域的晶格损伤,并使该剂量样品出现偏析物,直径多在10 nm左右.衍射花样分析表明该偏析物为具有晶面间距0.333,0.191和0.163 nm的微晶,这说明该微晶最有可能是MnSi1.7.退火前,样品饱和磁化强度随注入剂量增大而显著增强,但从3E16到5E16增速放缓,退火使低剂量样品磁性大幅减弱,说明偏析物不利磁性增强.
郭立平欧阳中亮彭国良叶舟黎明彭挺潘杨
关键词:离子注入
共1页<1>
聚类工具0