叶庆好
- 作品数：19 被引量：33H指数：4
- 供职机构：上海交通大学更多>>
- 发文基金：上海市科委重大科技攻关项目上海市卫生系统百名跨世纪优秀学科带头人培养计划国际科技合作与交流专项项目更多>>
- 相关领域：理学电气工程文化科学自动化与计算机技术更多>>
- 非晶硅/晶体硅(a-Si/c-Si)异质结被引量：1
- 2011年
- 通过对非晶硅/晶体硅(a-Si/c-Si)异质结能带不连续、发射结掺杂以及界面态密度进行分析,研究它们对a-Si/c-Si异质结的界面特性,以及a-Si(N+)/c-Si(P)结构电池性能的影响.研究发现,能带不连续以及a-Si发射结高掺杂有利于实现界面复合机制由以悬挂键复合主导的复合机制向由少数载流子复合占主导的SRH(Shockly-Read-Hall)复合机制转变,有效降低界面复合速率.AFORS-HET软件模拟显示:在c-Si(P)衬底掺杂浓度为1.6×1016cm-3时,a-Si(N+)发射结掺杂浓度大于1.5×1020cm-3是获得高电池效率的必要条件;与短路电流密度相比,开路电压受a-Si/c-Si界面态密度影响更明显.
- 汪建强高华张剑张松李晨叶庆好孟凡英
- 关键词：界面态密度
- 工科物理实验课程的现代化建设
- 详细总结了上海交通大学在建设工科物理实验教学基地的过程中，对实验教学的观念、内容、教学方式以及软硬件的配套上所做的创新和改革，并详细介绍了一些具体的措施和方法。
- 叶庆好
- 关键词：工科物理实验教学改革
- CIE1931色度图的计算机再现被引量：3
- 1998年
- 介绍了在计算机上再现ＣＩＥ１９３１色度图的方法．
- 戴海平叶庆好
- 关键词：色度学CIE
- 界面电荷对C-Si表面钝化质量的影响被引量：2
- 2011年
- 深入分析了影响晶体硅与钝化介质层界面复合的主要因素:界面态密度(Dit)、介质层表面电荷密度、衬底掺杂类型及掺杂浓度。研究发现,随着载流子注入水平改变,介质层的钝化质量与介质层带电类型和硅片掺杂类型紧密相关。随着载流子注入水平的降低,富含正电荷(负电荷)的钝化介质在P型(N型)硅片上的钝化质量随之降低;富含负电荷(正电荷)的钝化介质在P型(N型)硅片上的钝化质量却保持不变。深入分析了P型(N型)掺杂硅片表面钝化质量随注入水平变化而产生不同变化的原因,并为高效晶体硅电池表面钝化提出指导性意见,对于工作在低注入水平条件下(5×1014cm-3)的晶体硅电池非常重要。
- 高华汪建强张剑叶庆好孟凡英
- 关键词：固定电荷
- 近代物理新实验——扫描隧道显微镜（STM）
- 简述了扫描隧道显微镜的实验原理、特点和工作模式，重点介绍了适合近代物理实验教学的新一代学型扫描隧道显微镜的设计及实验教学的实施情况。
- 梁齐叶庆好
- 关键词：扫描隧道显微镜隧道效应物理实验
- 密集波分复用系统的多波长超连续光源
- 一种密集波分复用系统的多波长超连续光源，属于光通信领域。本发明两个光纤耦合器形成环型腔，半导体激光器输出的连续光经50∶50的光纤耦合器连接输入到位相调制器，位相调制器与射频微波源连接，位相调制器后连接色散光纤，色散光纤...
- 詹黎叶庆好夏宇兴
- 文献传递
- 扫描隧道显微镜阳(STM)实验
- 简述了扫描隧道显微镜的实验原理、特点和工作模式，重点介绍了适合近代物理实验教学的新一代教学型扫描隧道显微镜的设计及实验教学的实施情况。
- 梁齐叶庆好
- 关键词：扫描隧道显微镜隧道效应
- 上海交通大学国家工科基础课程物理教学基地建设被引量：8
- 2005年
- 胡其图叶庆好郑杭高景赵铁松
- 关键词：师资素质课程建设
- 中国万吨级太阳能硅发展研究
- 光伏新兴产业近五年来全球以年均30﹪的速度递增,我国的产量几乎是逐年成倍增长,与此同时生产晶体硅太阳电池的原料多晶硅却因光伏市场的崛起而供不应求.多晶硅合同价格上升,市场价格暴涨,很多地方出现了有价无货的状况,原料的价格...
- 崔容强施旸严世权叶庆好
- 关键词：多晶硅光伏产业太阳能硅太阳电池
- 文献传递
- 密集波分复用系统的多波长超连续光源
- 一种密集波分复用系统的多波长超连续光源，属于光通信领域。本发明两个光纤耦合器形成环型腔，半导体激光器输出的连续光经50∶50的光纤耦合器连接输入到位相调制器，位相调制器与射频微波源连接，位相调制器后连接色散光纤，色散光纤...
- 詹黎叶庆好夏宇兴
- 文献传递
