刘振先
- 作品数：15 被引量：4H指数：1
- 供职机构：中国科学院半导体研究所更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金中国博士后科学基金更多>>
- 相关领域：理学电子电信更多>>
- 90GPa(准)静水压力的产生及压力分布的测量被引量：1
- 1989年
- 本文使用固态氩做传压介质,在自制的Mao-Bell型金刚石对顶砧装置中获得了90GPa的准静水压。通过测量样品室内不同位置上红宝石荧光R_1线的频移来确定压力分布。实验结果表明在80GPa以下,样品室内不同位置上的压力与平均压力(p)的差△p很小,最大的△p/p不超过1.5％。在90GPa时,红宝石的荧光R线与常压的很相似。这表明利用固态氩做传压介质可以获得接近100GPa的准静水压。此外,对红宝石荧光光谱中位置在14938cm^(-1)和14431cm^(-1)两条谱线随压力的变化情况也作了讨论,并由此得出结论,14938cm^(-1)这条线也可用来标定压力。
- 刘振先崔启良邹广田
- 关键词：氩荧光光谱
- In_xGa_（1－x）As／Al_yGa（1－y）As多量子阱的高压光致发光研究被引量：1
- 1994年
- 用金刚石对顶砧压力装置在液氮温度下和０～４ＧＰａ的压力范围内测量了不同阱宽（１．７～１１．０ｎｍ）的ＩｎｘＧａ（１－ｘ）Ａｓ／Ａｌ（１－ｙ）Ｇａ（１－ｙ）Ａｓ（ｘ，ｙ＝０．１５，０；０．１５，０．３３；０，０．３３）多量子阱的静压光致发光谱，发现在Ｉｎ０．１５Ｇａ０．８５Ａｓ／ＧａＡｓ多量子阱中导带第一子带到重空穴第一子带间激子跃迁产生的光致发光峰能量的压力系数随阱宽的增加而减小，在Ｉｎ０．１５Ｇａ０．８５Ａｓ／Ａｌ０．３３Ｇａ０．６７Ａｓ和ＧａＡｓ／Ａｌ０．３３Ｇａ０．６７Ａｓ多量子阱中相应发光峰的压力系数随附宽的增加而增加．根据Ｋｒｏｎｉｙ－Ｐｅｎｎｅｙ模型计算了发光峰能量的压力系数随阱宽的变化关系，结果表明导带不连续性随压力的增加（减小）及电子有效质量随压力的增加是压力系数随阱宽增加而减小（增加）的主要原因．
- 刘振先李国华韩和相汪兆平
- 关键词：多量子阱光致发光
- 用静压光致发光研究GaAs/AlAs超短周期超晶格导带最低能级的特性
- 1992年
- 在77 K下,0—30 kbar 静压范围内研究了 GaAs/AlAs超短周期超晶格的静压光致发光.测得(GaAs)_1/(AlAs)_1的光致发光峰的压力系数为-1.35 meV/kbar。表明它的导带最低能级具有体材料X谷的特性而不是大多数理论计算所预计的L谷特性.测得(GaAs)_2/(AlAs)_1的光致发光峰的压力系数是8.69meV/kbar.表明它是 GaAs/AlAs超晶格中周期最短的Ⅰ类超晶格.
- 李国华刘振先韩和相汪兆平江德生Klaus. ploog
- 关键词：短周期超晶格
- 超高压下红宝石荧光R线的猝灭压力与入射激发线波长的关系
- 1991年
- 分别使用固态氩和体积比为4:1的甲醇-乙醇混合溶液做传压介质,测量红宝石在这两种介质中的荧光光谱随压力的变化。首次发现在超高压下红宝石荧光R线的压致猝灭与入射激发线波长以及高压样品室内的静水压程度有关。实验结果表明:入射激发线的波长越长,荧光R线的猝灭压力越低;对同一激发线波长,静水压程度差,猝灭压力高。这一现象归因于红宝石吸收谱中U带和Y带随压力的兰移。
- 刘振先崔启良邹广田
- 关键词：红宝石波长
- 高压低温条件下固态氩和4∶1甲醇-乙醇混合物传压介质的传压特性被引量：1
- 1992年
- 在高压低温(77K)条件下,利用红宝石荧光测压方法,系统地研究了金刚石对顶砧装置中固态氨和4∶1甲醇-乙醇混合物的传压特性。通过测量不同位置上红宝石荧光R_1线的频移,确定了样品室内的压力分布。实验结果表明:在0～16GPa的压力范围内,固态氩介质中反映介质非均匀性程度的,|△P/(?)|<3％、σ_P/(?)<2％,均在室温静水压条件下所允许的范围之内。红宝石荧光R线除随压力变宽外,与常压的很相似,表明固态氧在高压低温条件下是良好的传压介质。与之相比,4∶1甲醇-乙醇介质在77K低温下的传压特性明显差于固态氧,已不适合做传压介质。
- 刘振先李国华韩和相汪兆平
- 关键词：传压介质
- 自发有序Ga_（0．5）In_（0．5）P合金的拉曼光谱研究
- 1995年
- 自发有序Ｇａ＿（０．５）Ｉｎ＿（０．５）Ｐ合金的拉曼光谱研究李国华，刘振先，韩和相，汪兆平，董建荣（中国科学院半导体研究所，半导体扭晶格国家重点实验室北京１０００８３）（中国科学院半导体研究所，半导体材料科学实验室北京１０００８３））ＲａｍａｎＳｃａ...
- 李国华刘振先韩和相汪兆平董建荣
- 关键词：拉曼光谱光学声子模
- 自发有序Ga_（0．5）In_（0．5）P合金的喇曼光谱研究
- 1996年
- 在室温和非共振条件下测量了自发有序Ｇａ０．５Ｉｎ０．５Ｐ合金的喇曼散射谱。测得的３８０，３６０和３３０ｃｍ－１附近的三个散射峰分别归结于合金中的类ＧａＰ的ＬＯ模、类ＩｎＰ的ＬＯ模和ＴＯＭ。发现有序合金的类ＧａＰ的ＬＯ模的声子频率随着合金的带隙能量的降低而增大。认为这与在有序合金中形成沿［１１１］方向的（ＧＳＰ）１／（ＩｎＰ）１单层超晶格有一定联系。在几种偏振配置下测得的有序合金的喇曼谱的偏振特性与通常的闪锌矿结构的半导体材料的偏振特性类似。
- 李国华刘振先韩和相汪兆平董建荣陆大成孙殿照王占国
- 关键词：有序合金半导体材料
- 静压下(CdTe)_2(ZnTe)_4-ZnTe多量子阱结构的多声子共振拉曼散射
- 1992年
- 用加静高压的方法改变光学能隙来实现共振条件。在以(CdTe)_2(ZnTe)_4短周期超晶格为阱层,(ZnTe)_(4)为垒层的多量子阱结构中观察到高达四阶的类 ZnTe 纵光学声子模的多声子共振拉曼散射。通过对拉曼位移随压力变化的分析,发现在与(CdTe)_2(ZnTe)_4短周期超晶格共振时测得的类ZnTe 纵光学声子模的频率比与 ZnTe 势垒层共振时测得的 ZnTe 纵光学声子模的频率低4cm^(-1)。并将它归结为在短周期超品格中纵光学声子模的限制效应。在与短周期超品格严格的2LO 声子出射共振条件下观察到了类 CdTe 的2LO 声子的共振拉曼峰。
- 李国华刘振先韩和相汪兆平李杰何力袁涛金
- 关键词：共振散射喇曼效应
- 三聚氰胺Raman活性模的压致效应及压致相转变被引量：1
- 1990年
- 在压力为0～8.7 GPa内测量了三聚氯胺C3N6H6的高压Raman光谱,讨论了其谱带强度、频率和模Grüneisen参数等的压致效应,结果表明三聚氯胺在大约2 GPa和6 GPa发生两次结构转变,第一次可能由P21/α（C25h）空间群转变为I（Ci）空间对称性。
- 赵永年张兆晋崔启良刘振先李冬妹邹广田
- 关键词：三聚氰胺拉曼光谱
- ［（Cdse）_m（ZnSe）_n］_p－Znse多量子阱中的多声子散射
- 1995年
- 对用原子层外延方法，在［００１］晶向ＧａＡｓ衬底上生长的［（Ｃｄｓｅ）ｍ（Ｚｎｓｅ）ｎ］ｐ－ＺｎＳｅ应变量子阱结构，在１０～３００Ｋ温度范围内测量了喇曼散射光谱，观察到两种类ＺｎＳｅＬＯ声子限制模．利用改变样品温度和入射光能量实现了共振喇曼散射，观察到高达７阶的类ＺｎＳｅＬＯ声子模．并讨论了多声子喇曼散射和热萤光过程的区别．
- 韩和相汪兆平刘振先覃文涛彭中灵袁诗鑫
- 关键词：碲化镉多量子阱
