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刘天志

作品数：1 被引量：1H指数：1
供职机构：武汉大学物理科学与技术学院更多>>
发文基金：国家自然科学基金更多>>
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合作作者

文献类型

  • 1篇中文期刊文章

领域

  • 1篇理学

主题

  • 1篇透射电子显微...
  • 1篇量子
  • 1篇量子点
  • 1篇光学
  • 1篇光致
  • 1篇光致发光
  • 1篇发光
  • 1篇分子束
  • 1篇分子束外延
  • 1篇INAS量子...

机构

  • 1篇武汉大学

作者

  • 1篇张华刚
  • 1篇刘天志
  • 1篇孟宪权

传媒

  • 1篇武汉大学学报...

年份

  • 1篇2005
共 1 条 记 录，以下是 1-1
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排序方式：
InAs量子点的结构及光学性质研究被引量：1
2005年
采用分子束外延技术在(001)GaAs衬底上生长了多层 InAs量子点,原子力显微镜观测了生长在表面的量子点,用透射电子显微镜观察到五层量子点截面像,傅立叶变换光谱仪测试量子点光致发光谱.原子力显微镜以及透射电镜观察结果表明:第一层量子点为椭圆状;上面四层为透镜状量子点,呈现明显的垂直对准,且量子点的密度下降,大小趋向一致.样品中有些位置不同层的量子点连成一线,其边缘存在应力.由于第一层量子点与其他四层量子点的大小、形状不同,导致量子点光致发光峰的半高宽增加.
孟宪权张华刚刘天志
关键词：量子点分子束外延透射电子显微镜光致发光
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共1页<1>
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