刘会平
- 作品数：7 被引量：15H指数：3
- 供职机构：昆明物理研究所更多>>
- 发文基金：国防科技技术预先研究基金更多>>
- 相关领域：电子电信更多>>
- 用HDLP提高快速响应热释电探测器性能的研究
- 胡旭刘晓明洪建堂白丕绩太云见范乃华徐世春刘会平
- 该项目开展了热释电探测器震动噪声特性方面的研究，通过震动试验，采集震动噪声，在对信号和噪声特性有了一定掌握后，另辟蹊径地提出采取数字信号处理的方法—根据震动噪声和信号的特征，设计数字滤波器，在不降低探测器响应时间的基础上...
- 关键词：
- 片上非均匀性自适应校正CS算法的电路实现及仿真
- 2009年
- 在红外焦平面列阵中,由于敏感元材料缺陷、工艺误差及读出电路加工失配等原因,不可避免地会引入非均匀性。这些非均匀性的特征会随着时间的变化而改变,所以传统的定标校正法在使用过程中维护起来比较困难,而且由于其体系庞大,不利于片上系统的集成。本文就非均匀性自适应校正的CS(应用常值统计约束)算法展开研究,应用Cadence IC设计软件和集成电路实现了该算法并应用spectre软件对其进行了仿真。结果表明,该非均匀性自适应校正CS算法在实时校正方面具有简单、易实现的优势,非常适合于片上集成。
- 刘会平白丕绩梁艳李敏
- 关键词：非均匀性校正集成电路设计片上集成
- 新型电流镜积分红外量子阱探测器读出电路的设计分析被引量：3
- 2012年
- 设计了一种偏压可调电流镜积分(Current Mirroring Integration,CMI)红外量子阱探测器焦平面CMOS读出电路。该电路适应根据偏压调节响应波段的量子阱探测器,其中探测器偏压从0.61 V到1.55V范围内可调。由于CMI的电流反馈结构,使得输入阻抗接近0,注入效率达0.99;且积分电容可放在单元电路外,从而可以在一定的单元面积下,增大积分电容,提高了电荷处理能力和动态范围;为提高读出电路的性能,电路加入撇除(Skimming)方式的暗电流抑制电路。采用特许半导体(Chartered)0.35 m标准CMOS工艺对所设计的电路(16×1阵列)进行流片,测试结果表明:在电源电压为3.3V,积分电容为1.25pF时,电荷处理能力达到1.3×107个电子;输出摆幅达到1.76V;功耗为25mW;动态范围为75dB;测试结果显示CMI可应用于高性能FPA。
- 康冰心李煜白丕绩刘会平王博
- 关键词：读出电路
- 77K低温下MOSFET非固有电容参数提取研究被引量：1
- 2013年
- 77K低温参数是制冷型碲镉汞红外焦平面探测器读出电路设计与精确仿真的关键点之一。通过研究MOSFET非固有电容的特性,并基于BSIM3通用模型对电容的描述,在77K低温下进行测试提取,得到了相关的模型参数。嵌入SPICE软件仿真对比,证明了参数的准确性。
- 胡彦博李煜白丕绩李敏刘会平李所英
- 关键词：MOSFET
- 碲镉汞双色红外焦平面读出电路研究进展被引量：4
- 2015年
- 介绍了碲镉汞(MCT)双色红外焦平面探测器的研制背景,及美、英、法等西方发达国家的发展现状。从读出电路(ROIC)设计角度出发,重点阐述了上述3个发达国家的碲镉汞双色焦平面器件结构类型和相应读出电路设计特点。最后介绍了国内昆明物理研究所在碲镉汞双色焦平面读出电路研究方面取得的进展。昆明物理研究所研制出两种碲镉汞双色焦平面读出电路,一种是适用于双铟柱半平面器件结构的128×128双色信号同步积分读出电路,另外一种是适用于单铟柱叠层器件结构的640×512双色信号TDMI(时分多路积分)读出电路。两种读出电路芯片在77 K条件下正常工作,主要功能及性能指标与国外同类产品相当。
- 白丕绩赵俊刘会平周连军李东升姚立斌
- 关键词：碲镉汞读出电路
- 高性能弹用碲镉汞红外焦平面读出电路被引量：3
- 2014年
- 研制出一种高性能弹用凝视型碲镉汞(MCT)中波红外焦平面CMOS读出电路(ROIC)芯片。读出电路采用快照(Snapshot)积分模式,具有积分后读出(ITR)、积分同时读出(IWR)、长/短帧组合(COMBINED)积分和长/短帧插入(INTERLACED)积分4种模式可选功能,有效解决高灵敏度和大动态范围的矛盾;其他特征包括抗晕、多级增益可选、串口功能控制,以及全芯片电注入测试功能。该读出电路采用0.35?m DPTM标准CMOS工艺,工作电压5.0 V。测试结果体现了良好的性能:在77 K条件下,全帧频可到250 Hz(插入积分模式),功耗典型值为20 mW。
- 李煜王博白丕绩李立华刘会平洪建堂梁艳李敏胡彦博
- 具有像素累积功能的384×288焦平面读出电路被引量：5
- 2011年
- 研制出一种长波凝视型384×288焦平面CMOS读出电路(ROIC)。读出电路输入级单元电路采用像素累积(PA)功能以提高信噪比(SNR),并具有抗晕功能以提高探测器的适应性;读出电路采用快照(Snapshot)积分模式,具有积分后读出(ITR)和积分同时读出(IWR)两种模式可选功能;其他特征包括积分时间可调、多级增益可选、多种规格及开窗模式,以及全芯片电注入测试功能。该读出电路采用0.35μm DPTM标准CMOS工艺,工作电压为3.3 V。测试结果表明,在77 K条件下,读出电路的动态范围达91 dB,功耗典型值为36 mW。
- 李煜白丕绩王博刘会平李立华洪建堂
- 关键词：读出电路信噪比
