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倪学文

作品数:37 被引量:31H指数:4
供职机构:北京大学深圳研究生院更多>>
发文基金:国家高技术研究发展计划“九五”国家科技攻关计划“八五”国家科技攻关计划更多>>
相关领域:电子电信机械工程自动化与计算机技术一般工业技术更多>>

文献类型

  • 21篇期刊文章
  • 8篇会议论文
  • 6篇专利
  • 2篇科技成果

领域

  • 25篇电子电信
  • 5篇机械工程
  • 4篇自动化与计算...
  • 3篇一般工业技术

主题

  • 17篇电路
  • 7篇集成电路
  • 6篇晶体管
  • 5篇电路设计
  • 5篇多晶
  • 5篇多晶硅
  • 5篇发射极
  • 5篇复杂度
  • 4篇信号
  • 4篇移位寄存器
  • 4篇正交频分
  • 4篇正交频分复用
  • 4篇频分
  • 4篇频分复用
  • 4篇滤波器
  • 4篇寄存器
  • 4篇加速度
  • 4篇加速度计
  • 4篇复用
  • 3篇低通

机构

  • 37篇北京大学
  • 1篇中国科学院

作者

  • 37篇倪学文
  • 23篇莫邦燹
  • 13篇项斌
  • 10篇宁宝俊
  • 8篇张利春
  • 8篇张录
  • 7篇刘雪娇
  • 7篇焦玉中
  • 7篇朱晖
  • 7篇王新安
  • 5篇吕志军
  • 5篇张广勤
  • 4篇王阳元
  • 3篇陈江华
  • 3篇田大宇
  • 3篇许应
  • 3篇马连荣
  • 3篇郝一龙
  • 2篇张太平
  • 2篇盛世敏

传媒

  • 6篇北京大学学报...
  • 5篇微电子学
  • 3篇Journa...
  • 3篇测试技术学报
  • 2篇第十三届全国...
  • 2篇中国兵工学会...
  • 1篇电子学报
  • 1篇微电子学与计...
  • 1篇微处理机
  • 1篇江苏大学学报...
  • 1篇第十二届全国...
  • 1篇第十四届全国...
  • 1篇第五届全国微...
  • 1篇中国兵工学会...

年份

  • 1篇2012
  • 1篇2011
  • 2篇2010
  • 3篇2009
  • 2篇2008
  • 1篇2006
  • 4篇2005
  • 6篇2004
  • 4篇2003
  • 2篇2002
  • 6篇2001
  • 1篇2000
  • 1篇1999
  • 1篇1997
  • 1篇1996
  • 1篇1991
37 条 记 录,以下是 1-10
排序方式:
一种专用高速ECL移位寄存器电路的设计和测量
介绍了由先进的多晶硅发射极NPN晶体管和高速ECL100E141电路单元构成的一块专用高速移位寄存器阵列的设计和主要参数的测量.提出一种移位寄存器最高工作频率的测量方法.该方法有效地消除由外部连线和外接器件及测试夹具所造...
字宝俊莫邦燹倪学文张利春张广勤
关键词:移位寄存器电路设计测量方法VLSI芯片
文献传递
BD031 MEMS信号处理电路的研制及测试
2004年
本文报道了一个为电容式微加速度计传感器信号处理而设计的全集成化的BD031 CMOS MEM信号处理电路.电路设计采用了对信号的差分电容采样方式和过采样技术、前置采样放大器高增益和低噪声设计措施、可调节选通带宽的的低通滤波器及为提高电容噪声性能的带有虚开关结构的开关电容滤波器设计技术、可微调节增益(常规情况下恒定增益为2)的输出缓冲放大器、可调节振荡频率(正常情况下为800KHz)的本地CMOS时钟产生振荡器及为上述模拟电路提供基准电压和基准电流的基准电压源等设计技术、以及可以进行输入失调调节和对差分电容变化量△C的自测试电路.电路使用单一5伏电源,采用1.2微米、双多晶硅、双铝、N-阱CMOS工艺加工,芯片面积为2.82×3.61平方毫米.芯片性能测试表明其差分小电容变化量△C传感范围达到0.06pF-5pF、带宽为300Hz-5KHz.
倪学文莫邦燹项斌吕志军朱晖宁宝俊张录郝一龙金玉丰田玉国
关键词:低通滤波
f_T为135GHz的平面结构SiGe异质结双极晶体管的研制被引量:2
2001年
利用多晶硅发射极技术与分子束外延生长SiGe基区技术相结合 ,研制成适于集成的平面结构、发射结面积为 3μm× 8μm的SiGe异质结双极晶体管 (HBT)。室温下该晶体管的直流电流增益 β为 30到 50 ,基极开路下 ,收集极 发射极反向击穿电压BVCEO 为 5V ,晶体管的截止频率fT 为13 5GHz。
贾霖倪学文莫邦燹关旭东张录宁宝俊韩汝琦李永康周均铭
关键词:锗硅异质结双极晶体管
一种带宽可调的连续时间滤波器的设计被引量:2
2006年
讨论了一种连续时间低通滤波器的电路结构和基本原理,介绍了调整连续时间滤波器通带频率的方法.对电路进行了计算机模拟,模拟结果和理论计算基本一致.电路采用1.2μm双层多晶硅双层金属CMOS工艺流片,取得了满意的结果.
莫邦燹项斌陈江华倪学文
关键词:连续时间滤波器电路设计CMOS电路
多晶硅发射极超高速ECL移位寄存器的设计
1996年
报道了600门和800门两种ECL超高速移位寄存器;介绍了多晶硅发射极双极晶体管的结构和有关先进工艺,包括深槽隔离、多晶硅发射极、钴硅化物接触和浅结薄基区等;使用这种多晶硅发射极晶体管,3μm特征尺寸设计的19级环形振荡器的平均门延迟小于50ps。给出了600门移位寄存器的电路设计和版图设计。
莫邦燹张利春倪学文宁宝俊王阳元
关键词:多晶硅晶体管移位寄存器大规模集成电路
可调节频率CMOS振荡器的研制
本文报道了一个可调频率的CMOS振荡器电路的设计和研制.利用专用集成电路内部设计的电源基准源产生的Iref 10微安电流及外部调节端D2、D1、D0逻辑组合控制MOS管的状态,来调整振荡器产生电路的电流镜电流,控制对电容...
倪学文莫邦燹项斌宁宝俊张广勤朱晖张录马连荣田大宇
关键词:CMOS振荡器振荡频率
文献传递
基于部分传输序列抽样的PAPR抑制技术被引量:2
2010年
为了降低部分传输序列法(PTS)峰值平均功率比(PAPR)抑制技术的复杂度,通过研究OFDM时域信号序列的最大峰值与部分传输序列相应位置峰值(包括最大峰值和次峰值)之间的关联性,提出一种在相位旋转因子优化过程中利用抽样序列替代部分传输序列的简化方法,并给出两种可行的抽样策略.由部分传输序列峰值点样值所构造的PTS抽样序列具有较少的样值数目,因此可以极大地降低PTS优化处理过程的计算复杂度.仿真结果表明,与未经抽样的PTS方法相比,新方法仅有微弱的性能损失.
焦玉中倪学文王新安刘雪娇许应
关键词:多载波调制正交频分复用信号处理算法复杂度
一种带宽可调的连续时间滤波器的设计
本文阐述了连续时间低通滤波器的电路结构和基本原理.介绍了调整连续时间滤波器通带频率的方法.对电路进行了计算机模拟,模拟结果和理论计算基本上一致.电路采用1.2μm双层多晶硅双层金属CMOS工艺流片,取得了满意的结果.
莫邦燹倪学文项斌
关键词:低通滤波器电路设计
文献传递
0.8-1.2微米微细加工艺技术
王阳元张利春倪学文张录张大成阎桂珍宁宝俊高玉芝马平西等
一、成果内容简介、关键技术、技术经济指标:1、工艺技术方面:成功开发了包括多晶硅发射区、浅结和薄基区、硅深槽刻蚀和隔离、E-B侧墙氧化物自对准、钴硅化物自对准接触及其引用线技术、双层金属布线、芯片背面溅射金属化技术等一整...
关键词:
关键词:集成电路工艺超大规模集成电路
一种正交频分复用系统及其部分传输序列方法
本发明公开了一种正交频分复用系统及其部分传输序列方法,是将部分传输序列中的一个或一个以上序列的叠加确定为初始叠加序列,其他序列确定为当前剩余序列;获取当前叠加序列中幅度值最大的M个波峰点样值的序列位置;相应获取各个当前剩...
焦玉中王新安倪学文刘雪娇
文献传递
共4页<1234>
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