您的位置: 专家智库 > >

伍建新

作品数:11 被引量:27H指数:2
供职机构:华南理工大学材料科学与工程学院更多>>
发文基金:广东省自然科学基金更多>>
相关领域:一般工业技术电气工程化学工程电子电信更多>>

文献类型

  • 8篇期刊文章
  • 3篇学位论文

领域

  • 5篇电气工程
  • 5篇一般工业技术
  • 4篇化学工程
  • 3篇电子电信

主题

  • 7篇陶瓷
  • 7篇铁电
  • 7篇铁电陶瓷
  • 6篇钛酸铅
  • 6篇锆钛酸铅
  • 6篇弛豫铁电陶瓷
  • 5篇压电
  • 5篇压电效应
  • 4篇氧化锡
  • 4篇二氧化锡
  • 4篇
  • 3篇锆钛酸铅镧
  • 3篇PLZT
  • 3篇SNO
  • 2篇偏压
  • 2篇气敏
  • 2篇气敏元件
  • 1篇电特性
  • 1篇压电特性
  • 1篇英文

机构

  • 11篇华南理工大学
  • 1篇佛山教育学院

作者

  • 11篇伍建新
  • 5篇庄志强
  • 3篇吴柏源
  • 2篇林广涌
  • 2篇江美玉

传媒

  • 2篇华南理工大学...
  • 1篇中国陶瓷
  • 1篇无机材料学报
  • 1篇功能材料
  • 1篇压电与声光
  • 1篇电子元件与材...
  • 1篇电子元件

年份

  • 2篇2000
  • 5篇1999
  • 3篇1996
  • 1篇1995
11 条 记 录,以下是 1-10
排序方式:
PLZT驰豫铁电陶瓷偏压压电效应的研究
1999年
本文研究了铌掺杂的PLZT驰豫铁电陶瓷在不同直流偏压及温度下的介电常数ε33,平面机电耦合系数kp和等效横向压电常数d31。实验表明,铌掺杂的PLZT驰豫铁电陶瓷的d31值可由直流偏压控制及d31值的温度系数远小于PMN-PT系陶瓷。室温下2mol%和3mol%的铌掺杂的PLZT10/65/35驰豫铁电陶瓷在10KV/cm的偏压下|d31|分别为205pC/N和160pC/N。根据公式d31=2·Q12·P3·ε0·ε33计算了不同偏压下的d31值。
伍建新庄志强
关键词:压电效应锆钛酸铅镧弛豫铁电陶瓷陶瓷PLZT
PLZT和PBZT驰豫铁电陶瓷偏压压电效应的研究
该文研究了La、Bi、Nb及Sr掺杂的PBZT系和Nb及Ba掺杂的PLZT系弛豫铁电陶瓷的介温特性(K<,33>-T)、横向场诱应变特性(X<,2>-E)、介电滞后特性(P-E),并研究了它们在不同直流偏压及温度下的介电...
伍建新
关键词:弛豫铁电陶瓷压电效应
化学沉淀法制备SnO2纳米级粉体被引量:1
1996年
用液相沉淀法,在分析纯的SnCl4·5H2O水溶液中滴加分析纯NH3含量25% ̄28%的NH4OH水溶液,得到粒度为几个纳米至二十几个内米的SnO2超细粉末;系统研究了SnCl4的浓度、滴加NH4OH水溶液的速度、干燥方法、煅烧温度及粉末中氯离子的含量对最终粉末颗粒度的影响规律,并探讨了影响机理。
吴柏源伍建新
关键词:二氧化锡化学沉淀法
改性PLZT陶瓷偏压压电效应的研究被引量:1
2000年
本文讨论了铌和钡改性的PLZT 10 /6 5/35铁电陶瓷的横向场诱应变X2 ,不同温度及偏压下的介电常数K33,平面机电耦合系数kp 和弹性柔顺系数SE1 1 ,并计算了等效压电常数d31 。铌和钡改性的PLZT铁电陶瓷在 15kV/cm的电场下横向应变分别为 - 5.1× 10 - 4 和 - 4 .5× 10 - 4 。实验表明它们的kp和d31 值可由直流偏压控制 ,室温下kp 的饱和值分别为 0 .53和0 .52 ,|d31 |的最大值分别为 2 30pC/N和 2 2 5pC/N ,且压电常数的温度系数都比PMN -PT系陶瓷小得多。
伍建新庄志强
关键词:偏压压电效应锆钛酸铅镧铁电陶瓷
全文增补中
锆钛酸铅钡弛豫铁电陶瓷偏压压电效应的研究(英文)被引量:1
1999年
研究了锆钛酸铅钡铁电陶瓷的横向场诱应变x2、偏压下的介电常数ε33、弹性柔顺系数SE11和平面机电耦合系数kp,并计算了等效压电常数d31.PBZT陶瓷的kp和d31值可由外加偏压控制.两个PBZT陶瓷组分室温kp值最大为0.45,|d31|值最大为180pC/N.
庄志强伍建新利华
关键词:偏压压电效应弛豫铁电陶瓷
SnO<,2>纳米级粉末及其气敏元件的研制
该文用液相沉淀法在分析纯SnCl<,4>·5H<,2>O水溶液中滴加NH<,3>含量为25~28%的分析纯NH<,4>OH,得到粒度为几个至二十几个纳米的SnO<,2>超细粉末,并系统研究了SnCl<,4>的浓度、滴加N...
伍建新
关键词:二氧化锡半导体气敏元件
PBLZT弛豫铁电陶瓷的动态及偏压介电和压电特性被引量:2
2000年
测量了3mol%Ba掺杂的PLZT10/65/35弛豫铁电陶瓷的电滞回线、横向场诱应变、偏压下的介电常数和压电常数,并根据电滞回线和场诱应变曲线的斜率计算了动态介电常数和压电常数.实验表明,电场<8kV/cm时,动态介电常数比偏压介电常数大很多,电场>8kV/cm时,差值随电场增大而减小;电场在3~15kV/cm之间时,动态压电常数比偏压压电常数大很多,电场<3kV/cm及>15kV/cm时,动态压电常数和偏压压电常数相差不大.
伍建新庄志强
关键词:压电特性
PLZT和PBZT弛豫铁电陶瓷偏压压电效应的研究
本文研究了La、Bi、Nb及Sr掺杂的PBZT系和Nb及Ba掺杂的PLZT系弛豫铁电陶瓷的介温特性(K-T)、横向场诱应变特性(x-E)、介电滞后特性(P-E),并研究了它们在不同直流偏压及温度下的介电常数K、平面机电耦...
伍建新
关键词:锆钛酸铅镧弛豫铁电陶瓷压电效应
制备工艺对SnO_2超细粉颗粒度的影响被引量:11
1996年
用液相沉淀法,在分析纯SnCl4·5H2O水溶液中滴加分析纯NH3含量为25%~28%的NH4OH水溶液,得到粒度为几个纳米至二十几个纳米的SnO2超细粉末;系统研究了SnCl4的浓度、滴加NH4OH水溶液的速度、干燥方法、煅烧温度及粉末中氯离子的含量对最终粉末颗粒度的影响规律。
吴柏源伍建新江美玉林广涌
关键词:二氧化锡颗粒度
无团聚纳米级SnO_2粉末及其气敏元件的制备被引量:11
1996年
用液相沉淀法在结晶五水四氯化锡的水溶液中滴加浓氨水,通过在沉淀时加入高分子有机分散剂,剧烈搅拌,控制反应结束时pH值,用无水乙醇洗涤、冷冻干燥及选取适当的煅烧温度等一系列工艺手段来制取SnO2粉末。将得到的粉末用TEM、BET及XRD半峰宽法测定其粒径大小,证明粉末最小平均粒径可至3.79nm且无团聚存在,XRD分析表明所得的SnO2为四方相。将此粉末制成气敏元件,经测试表明气敏性能有很大提高。
吴柏源伍建新江美玉林广涌
关键词:二氧化锡气敏元件
共2页<12>
聚类工具0