于振瑞
- 作品数：24 被引量：71H指数：5
- 供职机构：中国人民解放军军事交通学院更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金更多>>
- 相关领域：电子电信理学电气工程一般工业技术更多>>
- 双功能护目镜
- 本实用新型涉及一种液晶护目装置。解决驾驶员夜间会车对方远光灯刺眼而眩目问题。该护目镜包括镜腿镜框、镜片及控制电路组成，在液晶光阀镜片中顶片玻璃上的透明导电膜用分割线分割成上下绝缘的两半部分，白天整个镜片变色做太阳镜使用，...
- 李长安于振瑞
- 文献传递
- 电沉积法制备SnS薄膜被引量：16
- 2002年
- 采用了电沉积法在 Sn O2 透明导电玻璃上制备了硫化锡 (Sn S)薄膜 ,并对用电化学法实现 Sn和 S共沉积的条件参数进行了理论探讨。实验中 ,利用 Sn Cl2 和 Na2 S2 O3的混合水溶液作为电沉积液制备了均匀的 Sn S薄膜 ,对实验参数进行了优化。对薄膜进行了 X-射线衍射 (XRD)、扫描电子显微 (SEM)测量及光学测试。实验发现 ,制备的薄膜为多晶的斜方晶系结构 ,晶粒大小约为 15 0 nm,直接光学带隙在 1.36～ 1.73e
- 杜金会于振瑞张加友杨嘉郭淑华
- 关键词：太阳能电池电沉积法光学带隙
- 无水化学沉积法制备Sb_2S_3薄膜被引量：3
- 2005年
- 采用无水化学沉积(NCBD)法在玻璃基片上制备了Sb2S3薄膜.先用无水乙醇将4.0 mL浓度为0.1 mol/L的SbCl3乙醇溶液稀释至39.6 mL,再加入0.4 mL浓度为0.5 mol/L的CH3CSNH2乙醇溶液,搅拌均匀后垂直放入玻璃基片,在15～18 ℃温度下沉积72 h后,进行退火处理.利用X射线衍射(XRD)和扫描电子显微镜(SEM)对薄膜在退火前后的结构特性进行了研究,利用光学测试计算了薄膜的光学带隙.结果表明,高温退火使薄膜由退火前的非晶态转变为多晶的Sb2S3结构(正交晶系),薄膜的直接光学带隙从1.86 eV降低为1.75 eV.
- 杜金会于振瑞李正群张加友王妍妍
- 关键词：化学沉积法扫描电子显微镜光学带隙搅拌均匀正交晶系高温退火
- WO_3/Ni(OH)_2·xH_2O电致变色薄膜的电色互补性研究被引量：2
- 2000年
- 对WO_3／Ni（OH）_2·xH_2O这两种电致变色薄膜的电色互补性原理及其电色特性进行了研究，发现利用三氧化钨和氧化镍薄膜的电色互补性能够较好地改善双层膜的电色特性。为灵巧窗等电色器件的应用奠定了理论基础。
- 杜金会于振瑞贾小东张加友侯本春
- 关键词：三氧化钨氧化镍电致变色薄膜
- CoSnS_2薄膜的制备及性能研究被引量：2
- 2003年
- 采用两种方法制备了CoSnS2薄膜。在两步电沉积法中,先沉积SnS薄膜,再在其上制备CoS沉积薄膜,最后进行退火处理形成厚度约为1250nm的CoSnS2薄膜。在三元共沉积法中,加入EDTA(乙二胺四乙酸二钠)配合剂来调整Sn、Co、S的沉积电势以实现这三种元素的共沉积,从而一步形成厚约620nm的CoSnS2薄膜。探讨了薄膜的制备机理和制备条件对薄膜结构特性和光学特性的影响。得到的薄膜为多晶γ-Co6S5(立方晶系)和SnS(斜方晶系)结构,其直接光学带隙和间接光学带隙分别在1.05～1.25eV和0.11～0.71eV之间可调。
- 杜金会于振瑞王如张加友王旭艳李正群
- 关键词：结构特性光学特性
- 掺硼（B）非晶硅（a－Si：H）材料固相晶化（SPC）的研究被引量：7
- 1994年
- 对掺硼（Ｂ）材料的固相晶化进行了研究。通过对不同掺Ｂ浓度的ａ－Ｓｉ：Ｈ样品退火前后的Ｘ射线衍射、光吸收系数、电导率、激活能及Ｈａｌｌ迁移率的测量发现，Ｂ原子在固相晶化过程中起晶核作用，晶化后的样品具有较高的迁移率及电导率，同时具有较大的禁带宽度。当接Ｂ浓度仅为０．１７％时，晶化后样品的电导率为４．３５ｓｃｍ－１，迁移率为１４０ｃｍ２Ｖ－１ｓ－１，禁带宽度Ｅ０４＝２．１６ｅＶ。该材料是一种较好的太阳电池窗口材料。
- 于振瑞耿新华孙云刘世国孙钟林徐温元
- 关键词：晶核多晶硅
- LBL法制备Cu_3SbS_4薄膜
- 2005年
- 针对水溶液化学沉积法沉积过程复杂且难于控制的缺点,利用LBL(layer-by-layer)法,在玻璃基片上制备出了Cu3SbS4薄膜。即首先在玻璃基片上沉积Sb2S3薄膜,然后再在其上制备CuS薄膜,最后进行退火处理。探讨了薄膜的制备机理、生长速度、结构特性和光学特性。制备的薄膜为多晶Cu3SbS4(四方晶系)结构,厚度为344nm,直接光学带隙约为0.47eV。
- 杜金会于振瑞张加友
- 关键词：复合材料结构特性光学特性
- 掺杂浓度对a-Si:H薄膜低温铝诱导晶化的影响
- 本文报道一种新的多晶硅（ Poly-Si）薄膜材料制备方法-AIC法,研究寝材料的掺杂浓度对晶化效果的影响。结果证明:在250℃下可以在玻璃基底上生长出具有较大晶粒尺寸的薄膜Poly-Si材料,材料具有较好的电学性能。初...
- 于振瑞YasuhiroMatsumoto
- 关键词：铝诱导晶化多晶硅薄膜太阳电池迁移率
- 文献传递
- 脉冲电沉积法制备掺钴WO_3薄膜被引量：7
- 1999年
- 利用脉冲电沉积法制备了掺钴氧化钨电致变色薄膜，并探讨了该方法的机理。利用后续退火处理使之结晶。测定了掺钴和不掺钴ＷＯ_３薄膜的结构特性、电化学特性及透射光谱，并研究了金属钻的掺杂对这些特性的影响。
- 贾小东杜金会于振瑞李长安
- 关键词：脉冲电沉积掺钴
- 多晶硅薄膜后氢化的研究被引量：3
- 1995年
- 本文利用氢气射频等离子体辉光放电技术对a－Si及poly－Si薄膜进行了后氢化研究。确定了最佳后氢化处理条件。对后氢化前后材料的电学、光学及电子态等特性进行了测量、分析。结果表明氢气射频等离子体辉光放电技术能明显改善材料的性能。利用后氢化技术对poly－SiTFT器件进行了处理，获得了满意的效果。
- 耿新华于振瑞孙钟林徐温元
- 关键词：多晶硅
