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乔明昌

作品数：8 被引量：19H指数：3
供职机构：中国电子科技集团第十三研究所更多>>
发文基金：国家科技重大专项更多>>
相关领域：电子电信电气工程更多>>

合作作者

文献类型

  • 5篇期刊文章
  • 2篇专利
  • 1篇会议论文

领域

  • 5篇电子电信
  • 1篇电气工程

主题

  • 3篇微带
  • 2篇导电
  • 2篇导电体
  • 2篇信号
  • 2篇信号传输
  • 2篇信号泄漏
  • 2篇通孔
  • 2篇微带线
  • 2篇功率放大
  • 2篇功率放大器
  • 2篇放大器
  • 2篇T/R
  • 2篇T/R组件
  • 1篇单片
  • 1篇单片微波
  • 1篇单片微波集成...
  • 1篇氮化镓
  • 1篇电磁
  • 1篇电磁干扰
  • 1篇电路

机构

  • 7篇中国电子科技...
  • 1篇中国电子科技...

作者

  • 8篇乔明昌
  • 1篇武红玉
  • 1篇张岫青
  • 1篇张志国
  • 1篇周玉梅
  • 1篇王抗旱
  • 1篇赵宇
  • 1篇林勇
  • 1篇王宗成
  • 1篇王宗成
  • 1篇赵永志

传媒

  • 3篇半导体技术
  • 1篇微波学报
  • 1篇舰船电子对抗
  • 1篇2005全国...

年份

  • 3篇2021
  • 1篇2020
  • 1篇2017
  • 1篇2016
  • 1篇2010
  • 1篇2006
共 8 条 记 录，以下是 1-8
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排序方式：
X波段4位数控移相器MMIC研究被引量：4
2010年
采用0.25μmGaAs FET芯片工艺成功制作了X波段4位数控移相器MMIC,对该数控移相器MMIC集成电路的设计、工艺制作过程做了阐述,并给出了实际测试参数。电路设计采用了高低通滤波器式移相器拓扑,串联FET与并联FET组合的电路方式。结果表明,在7.5~8.7 GHz频段内插入损耗≤7 dB,电压驻波比≤1.8∶1,开关时间≤30 ns,移相精度22.5°±2°,45°±3°,90°±3°,180°±3°,所有状态均方根移相误差≤5,控制电压-5 V或0 V。
乔明昌王宗成
关键词：X波段数控移相器插入损耗
基于异构集成技术的相控阵T/R组件微系统被引量：7
2021年
基于硅基微电子机械系统(MEMS)工艺和三维异构集成技术,研制了一款硅基X波段2×2相控阵T/R组件。该组件采用收发一体多功能芯片方案,将所有器件封装于两层硅基中。其中上层硅基集成了低噪声放大器、功率放大器、开关、电源调制驱动器和PMOSFET等芯片,下层硅基集成了多功能芯片、串/并转换芯片以及逻辑运算芯片;两层硅基封装之间通过植球进行堆叠。最终样品尺寸仅为20 mm×20 mm×3 mm。实测结果显示,在8~12 GHz内,该T/R组件饱和输出功率约为29 dBm,接收增益约为21 dB,接收噪声系数小于3 dB,在具备优良射频性能的同时实现了组件的小型化。
乔明昌刘恩达赵永志赵宇
关键词：相控阵微系统收发组件
基于HTCC工艺的三维垂直互联结构及T/R组件
本实用新型提供了一种基于HTCC工艺的三维垂直互联结构及T/R组件，属于微波毫米波及太赫兹技术领域。基于HTCC工艺的三维垂直互联结构包括基板组和两个微带线，基板组上设置有由上至下垂直贯穿基板组的信号传输通孔、以及环绕信...
厉志强张帅乔明昌
文献传递
基于HTCC工艺的三维垂直互联结构及其制备方法
本发明提供了一种基于HTCC工艺的三维垂直互联结构及其制备方法，属于微波毫米波及太赫兹技术领域。基于HTCC工艺的三维垂直互联结构包括基板组和两个微带线，基板组上设置有由上至下垂直贯穿基板组的信号传输通孔、以及环绕信号传...
厉志强张帅乔明昌
毫米波多通道接收组件隔离度对移相的影响被引量：3
2016年
介绍了多通道接收组件的典型原理框图,给出了通道隔离度、耦合度、移相精度和移相寄生调幅的概念,使用相量法推导了通道耦合度对移相精度和移相寄生调幅影响的计算公式,指出理论上隔离度对移相指标的影响与频率无关。利用软件仿真了通道隔离度对移相精度和移相寄生调幅的影响,得到了与公式计算相同的数值,两者互相得到了验证。提出了改善通道隔离度的方法,设计加工了一种Ka波段的四通道接收组件,改善了通道隔离度,具有较好的移相精度和移相寄生调幅指标。
武红玉厉志强乔明昌赵子润
关键词：毫米波多通道隔离度
超宽带开关模块化实用设计
本文主要介绍了采用PIN二极管作为控制器件的超宽带开关的设计方法,解决了宽带开关同类结构和相同工作原理的关键技术,可以统一设计高可靠、高性能的宽带模块化开关系列产品。
张岫青王抗旱乔明昌
关键词：宽带开关
108 GHz功率放大器模块研制被引量：2
2017年
介绍了105~108 GHz频段功率放大器模块的设计和制作。模块由波导微带转换、功率芯片及芯片偏置电路组成。讨论了放大模块的设计及加工测试过程,并对模块中的关键技术波导-微带转换进行详细阐述。波导-微带转换采用E面微带探针激励完成。通过理论分析及仿真优化后设计出转换模型并制作出实物进行测试。单个转换在100~110 GHz频段内插入损耗小于0.6 d B,回波小于-10 d B。测试结果表明设计的波导-微带转换具有插入损耗小,工作频段宽的优点。采用此转换制作的功率放大模块在105~108 GHz频段上增益大于13 d B,输出功率大于200 m W,达到预期设计指标。
林勇乔明昌王宗成周玉梅
关键词：W波段功率放大器微带探针氮化镓
C波段高效率高线性GaN MMIC功率放大器被引量：3
2021年
基于SiC衬底0.25μm GaN HEMT工艺,设计实现了一款C波段、高效率和高线性的单片微波集成电路(MMIC)功率放大器。通过优化电路匹配结构,选择合适的有源器件和恰当的直流偏置条件,实现低视频漏极阻抗;利用后级增益压缩和前级增益扩张对消等手段,实现高功率附加效率和好的线性指标。功率放大器芯片尺寸为2.35 mm×1.40 mm。芯片测试结果表明,在3.7~4.2 GHz频率范围内,漏极电压28 V、末级栅极电压-2.2 V、前级栅极电压-1.8 V和连续波条件下,该功率放大器的小信号增益大于25 dB,大信号增益大于20 dB,饱和输出功率大于39 dBm,在输出功率回退至32 dBm时,功率附加效率大于30%,三阶交调失真小于-37 dBc。
乔明昌张志国王衡
关键词：C波段
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