龚伟志
- 作品数：11 被引量：1H指数：1
- 供职机构：中国科学院物理研究所更多>>
- 相关领域：一般工业技术电气工程理学更多>>
- 隧道效应磁电阻器件及制备方法
- 本发明涉及一种隧道效应磁电阻器件及制备方法。它包括一衬底，其上有一底电极层、势垒层和一顶电极层，势垒层位于底电极层之上和顶电极层之下；一位于衬底之上底电极层之下的反铁磁性的钙钛矿型锰氧化合物的钉扎层；底电极层呈条状，两端...
- 赵柏儒蔡纯龚伟志许波张福昌
- 文献传递
- 基于钙钛矿锰氧化物薄膜表面有序微结构的CMR、电子自旋隧道结的研究
- 该论文采用脉冲激光沉积法在(100)SrTiO<,3>(STO)单晶基片上沉积La<,x>Ca<,1-x>MnO<,3>(LCMO)超大磁电阻(CMR)薄膜.论文系统地研究了沉积温度、退火温度、薄膜厚度等工艺因素对LCM...
- 龚伟志
- 关键词：超大磁电阻效应
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- PZT/SiO<,2>/Si集成薄膜的制备及其场效应的研究
- 利用超薄SiO<,2>作缓冲层，在Si(100)衬底上成功地制备了高度c取向的PZT薄膜，SiO<,2>的厚度对PZT薄膜的单相单一取向性有重要影响。所得PZT薄膜极化性能良好，饱和极 化、剩余极化分别为26uC/cm<...
- 林媛媛龚伟志
- 关键词：缓冲层
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- 一种制备具有有序表面结构的镧钙锰氧薄膜的方法
- 本发明涉及超大磁电阻材料制备领域。利用镧钙锰氧薄膜与钛酸锶基片热膨胀系数的差异，通过对激光溅射参数、沉积温度及热处理温度等因素的调控，使镧钙锰氧薄膜表面形成有序微裂纹结构，从而在薄膜表面诱导纳米尺度颗粒的有序分布，并实现...
- 赵柏儒彭海兵龚伟志谢中林媛郝昭许波
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- 镧钙锰氧薄膜表面微裂纹的控制
- 采用脉冲激光沉积镀膜的方法，在钛酸锶单晶基片上制备了具有自发生成的有序微裂纹结构的La<,0.5>Ca<,0.5>MnO<,3>(LCMO)薄膜。通过制备工艺的优化，获得了具有不同裂 纹密度的LCMO薄膜，并采用离子刻蚀...
- 龚伟志赵柏儒蔡纯林媛
- 关键词：隧道结
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- 一种制备具有有序表面结构的镧钙锰氧薄膜的方法
- 本发明涉及超大磁电阻材料制备领域。利用镧钙锰氧薄膜与钛酸锶基片热膨胀系数的差异,通过对激光溅射参数、沉积温度及热处理温度等因素的调控,使镧钙锰氧薄膜表面形成有序微裂纹结构,从而在薄膜表面诱导纳米尺度颗粒的有序人布,并实现...
- 赵柏儒彭海兵龚伟志谢中林媛郝昭许波
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- 隧道效应磁电阻器件及制备方法
- 本发明涉及一种隧道效应磁电阻器件及制备方法。它包括一衬底，其上有一底电极层、势垒层和一顶电极层，势垒层位于底电极层之上和顶电极层之下；一位于衬底之上底电极层之下的反铁磁性的钙钛矿型锰氧化合物的钉扎层；底电极层呈条状，两端...
- 赵柏儒蔡纯龚伟志许波张福昌
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- 一种在钛酸锶基片上制备纳米级有序微裂纹的方法
- 本发明属于纳米结构制备领域。通过激光溅射在STO基片上沉积LCMO薄膜，利用热处理过程中LCMO薄膜的自组织行为，通过控制制备过程中的沉积温度、退火温度及薄膜厚度等工艺条件，使得LCMO薄膜表面自发形成纳米级正交有序微裂...
- 赵柏儒龚伟志许波蔡纯张富昌罗鹏顺林媛
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- 隧道效应磁电阻器件
- 本实用新型涉及一种隧道效应磁电阻器件。它包括一衬底，其上有一底电极层、势垒层和一顶电极层，势垒层位于底电极层之上和顶电极层之下；一位于衬底之上底电极层之下的反铁磁性的钙钛矿型锰氧化合物的钉扎层；底电极层呈条状，两端是引线...
- 赵柏儒蔡纯龚伟志许波张福昌
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- 一种在钛酸锶基片上制备纳米级有序微裂纹的方法
- 本发明属于纳米结构制备领域。通过激光溅射在STO基片上沉积LCMO薄膜，利用热处理过程中LCMO薄膜的自组织行为，通过控制制备过程中的沉积温度、退火温度及薄膜厚度等工艺条件，使得LCMO薄膜表面自发形成纳米级正交有序微裂...
- 赵柏儒龚伟志许波蔡纯张富昌罗鹏顺林媛
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