齐红霞
- 作品数：6 被引量：19H指数：2
- 供职机构：徐州师范大学物理与电子工程学院更多>>
- 发文基金：徐州市科技计划项目更多>>
- 相关领域：电子电信理学文化科学一般工业技术更多>>
- 孔隙率对氧化锌/多孔硅光致发光的影响被引量：2
- 2010年
- 用电化学方法制备不同孔隙率的多孔硅,然后用脉冲激光沉积的方法,以多孔硅为衬底生长氧化锌(ZnO)薄膜,研究多孔硅的孔隙率对ZnO薄膜的质量和光致发光谱的影响,用X射线衍射仪和扫描电子显微镜表征ZnO薄膜的结构性质.结果表明,当多孔硅的孔隙率较大时,沉积的ZnO薄膜为非晶结构.沉积上ZnO薄膜之后,多孔硅的发光谱蓝移,由于ZnO薄膜缺陷较多,其深能级发光较强.ZnO的深能级发光与多孔硅的橙红光相叠加,得到了可见光区宽的光致发光带,呈现白光发射.
- 齐红霞赵波
- 关键词：多孔硅氧化锌光致发光
- 退火对ZnO薄膜晶体结构和ZnO/p-Si异质结光电性质的影响被引量：11
- 2008年
- 采用脉冲激光沉积方法在p-Si(100)衬底上生长ZnO薄膜,分别在500℃、600℃和700℃下真空退火,采用X射线衍射仪研究了退火对ZnO薄膜晶体结构的影响,并测量了ZnO的面电阻和ZnO/p-Si异质结的I-V特性曲线。研究表明,随着退火温度的升高,ZnO的(002)衍射峰强度逐渐增大,半峰全宽不断减小,同时薄膜内应力减小,ZnO晶粒尺寸变大。表明高温退火有助于ZnO薄膜结晶质量的提高。在没有光照的条件下,异质结的漏电流随退火温度的增加而增大;用650 nm光照射样品时,600℃退火的样品表现出最明显的光电效应,而过高的退火温度会破坏ZnO/p-Si异质结的界面结构,使其光电流变小。所以,要得到性能良好的光电器件,应选取适当的退火温度。
- 陈传祥齐红霞
- 关键词：薄膜光学光电效应退火脉冲激光沉积
- 关于《电磁场与电磁波》教学的探讨被引量：2
- 2011年
- 《电磁场与电磁波》课程主要介绍宏观电磁场和波的基本规律、基本性质和应用,该课程的学习对学生树立严谨的科学思想和提高抽象思维能力具有重要的作用。本文从作者教学实际出发,针对该课程的特点和学生的学习状况,提出对《电磁场与电磁波》课程教学的看法。
- 赵波齐红霞
- 关键词：教学
- ZnO/P-Si异质结的光电特性研究被引量：2
- 2009年
- 利用脉冲激光沉积方法在P-Si(100)衬底上生长ZnO薄膜,制备ZnO/P-Si异质结,研究衬底温度对异质结光电特性的影响。结果表明,在400℃,500℃,550℃和600℃下生长ZnO制备的异质结都有一定的整流特性,反向暗电流随着衬底温度的升高略有增加,在550℃下制备的样品具有最明显的光电效应。ZnO/P-Si异质结对可见光和紫外光呈现出不同的响应性。在可见光照射下,光电流随反向偏压急剧增大,偏压增大到某一值时,光电流增速变小,而在紫外光下,光电流有逐渐增大的趋势。根据ZnO的透射谱认为,可见光和紫外光是异质结不同的耗尽区诱导电子-空穴对产生光电流的。
- 齐红霞陈传祥
- 关键词：薄膜光学光电效应脉冲激光沉积ZNO
- 碳纳米管与外电路的连接技术进展
- 2011年
- 首先,介绍了碳纳米管电子器件应用中的关键工艺技术——碳纳米管与外电路的连接技术,回顾了碳纳米管与外电路装配的发展历程。从碳纳米管在电极间的随机连接到电场定位组装和原子力显微镜的可控操纵,描述了各种装配方法的特点。其次,讨论了碳纳米管与外电路连接的可靠性问题,并介绍了电子束、扫描探针显微镜和超声波等多种改善接触性能的焊接方法。最后,简单展望了碳纳米管与外电路连接的发展趋势,指出数目可控的碳纳米管组装技术和规模化的焊接工艺是今后研究工作的重点。
- 赵波齐红霞孟跃红
- 关键词：纳电子器件可靠性
- 焊接时间对碳纳米管-Ti焊接效果的影响被引量：3
- 2012年
- 利用高频超声波的软化效应焊接金属Ti上的碳纳米管,研究焊接时间对碳纳米管焊接效果的影响.结果表明,焊接时间太短,碳纳米管松散分布在Ti金属表面,不能与金属形成紧密接触;焊接时间过长,金属基体被破坏,同样达不到焊接要求.只有选择合适的焊接时间(0.1～10 s),才能使碳纳米管与Ti有效焊接,呈现较小的两端电阻.
- 赵波齐红霞
- 关键词：碳纳米管金属
