黄社松
- 作品数：16 被引量：15H指数：2
- 供职机构：中国科学院半导体研究所更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金国家重点基础研究发展计划国家高技术研究发展计划更多>>
- 相关领域：电子电信理学一般工业技术机械工程更多>>
- 光量子受控非门及其实现方法
- 本公开提供一种光量子受控非门及其实现方法，其包括利用微腔将控制光子复制到电子自旋态；将处于右旋态的光子输入微腔，使右旋态的光子与电子自旋态产生强耦合及纠缠，得到第一纠缠态、第一反射态以及透射态；将反射态输入第一半波片后转...
- 牛智川倪海桥胡承勇黄社松张俊尚向军刘汗青李叔伦戴德琰苏向斌
- 新奇半导体低维结构的自组织生长被引量：6
- 2006年
- 文章介绍了自组织生长半导体量子线、量子点和量子环的进展,同时介绍了这些低维半导体材料在光电子和通信等领域应用情况.此外,对这些材料的一些测试方法也进行了介绍.
- 牛智川黄社松龚政方志丹倪海桥孙宝权李树深夏建白
- 关键词：自组织量子线量子环
- 半导体纳米晶的光吸收系数与尺寸的关系被引量：8
- 1999年
- 利用有效质量近似，考虑有限深势阱，对半导体纳米晶的光吸收增强效应进行了研究，提出了一个基本的模型．在强限制区，随着半导体纳米晶尺寸的减小，势阶壁对电子一空穴对的相对运动的限制作用大大地增强了光吸收振子强度，对激子的质心运动的限制作用缓慢地增加了吸收振子强度，而跃迁频率的变化减小了吸收振子强度，这三者的总体贡献导致了光吸收系数的大大增强；在弱限制区，单位体积的光吸收振子强度趋于一个常数，这与著名的巨振子强度理论是一致的．用该模型计算的和用反尺寸立方关系模型计算的吸收系数同实验进行比较，其结果更与实验相。吻合．
- 黄社松陈东明何天敬刘凡镇
- 关键词：半导体纳米晶
- 在锗衬底上生长无反相畴砷化镓薄膜的分子束外延方法
- 本发明公开了一种在锗衬底上生长无反相畴砷化镓薄膜的分子束外延方法，包括如下步骤：步骤1：选取(100)面偏向<111>方向6°或9°的Ge衬底；步骤2：对Ge衬底进行除气脱氧及退火处理；步骤3：将进行退火处理...
- 王鹏飞吴东海吴兵朋熊永华詹峰黄社松倪海桥牛智川
- 文献传递
- 单光子源低密度长波长InAs/GaAs量子点的制备
- 2008年
- 通过优化分子束外延生长条件,得到室温发光在1300nm低密度的自组织InAs/GaAs量子点。使用极低的InAs生长速率(0.001单层/秒)可以把量子点的密度降低到4×106cm-2。这些结果使得InAs/GaAs量子点可以作为单光子源应用在未来的光纤基量子密码、量子通信中。
- 方志丹崔碧峰黄社松倪海桥邢艳辉牛智川
- 关键词：单光子源低密度量子点
- 利用两步生长法制备均匀高密度InAs/GaAs量子点
- 本文利用分子束外延系统,应用两步生长方法制备出高密度且尺寸分布比较均匀的InAs/GaAs量子点(QDs).原子力显微镜图像表明制备出密度约6.0×1010cm-2且尺寸分布比较均匀的QDs.很强的光致荧光和窄的半高宽表...
- 黄社松詹峰赵欢吴东海方志丹倪海桥牛智川
- 关键词：分子束外延量子点INAS
- 文献传递
- 液滴外延自组织GaAs纳米结构
- 实验证实在GaAs(100)衬底上利用液滴外延法形成的Ga液滴的形貌随晶化温度和As束流的不同而发生变化,形成一些有趣的GaAs纳米结构,包括量子点、量子单环、量子双环、耦合量子双环、中国古币形状等.本文对这些纳米结构的...
- 詹锋黄社松倪海桥赵欢熊永华周宏余牛智川
- 关键词：GAAS衬底量子点
- 文献传递
- 一种低密度InAs量子点的分子束外延生长方法
- 本发明公开了一种低密度InAs量子点的分子束外延生长方法，包括：将GaAs衬底放在样品托上，并引入进样室进行烘烤；烘烤完毕，将GaAs衬底引入制备室，并对GaAs衬底进行除气处理；将除过气的GaAs衬底引入生长室，对Ga...
- 牛智川倪海桥王海莉贺继方朱岩李密峰王鹏飞黄社松熊永华
- 文献传递
- 半导体量子点单光子发射器件
- 单光子发射器件是量子通信系统的核心器件,目前由于缺乏性能可靠的实用单光子发射器件,量子密码通信技术的实用化进展遇到较大的困难。由于半导体量子点具有类原子特性,是理想的二能级体系,因此采用半导体量子点实现单光子发射的研究日...
- 牛智川窦秀明熊永华王海莉黄社松倪海桥孙宝权
- 文献传递
- 异变生长GaAs基长波长InAs垂直耦合量子点
- 2008年
- GaAs基InAs自组织量子点在通信集成光电子以及新兴单光子器件中有着广泛应用,利用分子束外延生长方法获得长波长的InAs/GaAs量子点结构。提出了在GaAs基In0.05Ga0.95As异变过渡层上生长InAs/GaAs/InAs双层耦合量子点结构,同时利用InGaAs盖层中引入Sb辅助生长的方法,通过改变生长温度、淀积量以及In组分等生长参数,最终得到了室温光致发光波长为1533nm的InAs量子点结构,谱线半高宽为28.6meV,经原子力显微镜测试表明,其密度为(4~8)×109cm-2。预计进一步提高量子点密度后,此技术可应用于长波长量子点激光器材料的分子束外延生长。
- 王鹏飞熊永华吴兵朋倪海桥黄社松牛智川
- 关键词：分子束外延INAS量子点光致发光谱
