公共文化服务平台

共 1 条记录，以下是 1-1

全选清除导出

排序方式：

In_(0.2)Ga_(0.8)As/GaAs单量子阱PL谱温度特性及其机制被引量：4: 2010年; 测量了不同阱宽In0.2Ga0.8As/GaAs单量子阱的PL谱的峰值波长和荧光谱线半峰全宽随温度的变化。利用Varshni公式对实验峰值波长进行拟合,得到了新的参数。结果表明,无位错应变量子阱带隙仍具有其体材料的特性:荧光谱线半峰全宽随温度升高迅速展宽,这主要归因于声子关联作用增强和激子热离化为自由载流子所致;阱宽越窄荧光峰值能量越高,将其与量子尺寸效应的理论计算结果进行了比较。文中还考察了谱线半峰全宽和阱宽的关系,利用合金无序对这一现象进行了解释。; 魏国华王斌李俊梅曹学伟张存洲徐晓轩; 关键词：单量子阱 PL谱

全选清除导出

共1页<1>

魏国华