魏同茹
- 作品数：5 被引量：14H指数：2
- 供职机构：河北大学物理科学与技术学院更多>>
- 发文基金：河北省自然科学基金教育部留学回国人员科研启动基金国家自然科学基金更多>>
- 相关领域：一般工业技术电气工程理学电子电信更多>>
- 强电场下PbZr_(0.4)Ti_(0.6)O_3薄膜的电热效应被引量：3
- 2008年
- 从Landau-Devonshire唯象理论出发,通过热力学分析得到了PbZr0.4Ti0.6O3体材料和薄膜的电热效应与温度和电场的关系。结果表明,在居里温度附近,体材料发生铁电相变,而在足够强的电场下,其固有的电热效应破坏了铁电相变的不连续性,绝热温度改变了约11K,对薄膜结构的PbZr0.4Ti0.6O3,绝热温度改变了约7.3K,这与实验结果(12K)基本相符。薄膜结构使铁电材料由不连续相变转到连续相变,它还减小了铁电材料的电热效应,降低了各物理量随温度变化的灵敏性。
- 王英龙魏同茹刘保亭褚立志傅广生
- 关键词：铁电薄膜电热效应铁电相变
- 外延PbZr_(0.4)Ti_(0.6)O_3薄膜的电光效应
- 2009年
- 从Landau-Devonshire唯象理论出发,通过热力学分析得到PbZr0.4Ti0.6O3薄膜的电光效应与厚度和外加电场的关系。结果表明,生长在SrTiO3衬底上的PbZr0.4Ti0.6O3薄膜,其线性电光系数和二次电光系数都随薄膜厚度的增加而增大,且在临界厚度附近趋于饱和,对50nm厚的PbZr0.4Ti0.6O3薄膜,线性电光系数和二次电光系数分别为7.2×10-11m/V和0.31×10-18m2/V2,双折射变化随外加电场改变,由线性电光效应引起的双折射变化比二次电光效应引起的双折射变化明显。
- 王英龙魏同茹褚立志刘保亭傅广生
- 关键词：铁电薄膜电光效应电光系数
- 介电层/PbZr_(0.4)Ti_(0.6)O_3/介电层模块的高容量电荷存储
- 2008年
- 基于Landau-Devonshire自由能理论建立了热力学模型,分析了介电/PbZr0.4Ti0.6O3/介电三层结构的临界厚度分数与介电层介电常数的关系,进而得出电荷存储容量。结果表明:当介电层厚度所占比例达到临界值时,具有较高的电荷存储容量。介电层的εr越大,介电层临界厚度分数λm越大,平均介电响应越小,内电场诱导的介电层极化强度越大。对于SiO2/PbZr0.4Ti0.6O3/SiO2其λm约0.37%,介电响应约–2.42×104。
- 魏同茹王英龙褚立志刘保亭傅广生
- 关键词：无机非金属材料铁电薄膜
- 铁电态-顺电态双层薄膜的高介电调谐被引量：1
- 2007年
- 基于Landau-Devonshire自由能理论建立了热力学模型,对生长在(001)SrTiO3衬底上的PbZr0.4Ti0.6O3(PZT)/SrTiO3(STO)双层异质外延结构铁电薄膜以及不受约束的双层薄膜的介电响应与调谐率进行了研究。结果表明,在两层薄膜为无约束的自由薄膜情况下,STO厚度占双层薄膜总厚度的百分比为30%时,相对介电响应达到最大值约3.3×105,当两薄膜为异质外延结构时,其百分比为51%时,相对介电响应达到最大值约4×105。同时,调谐率还随外加电场的增大而增大,在临界百分比时,调谐率可达到约99%。
- 王英龙魏同茹刘保亭傅广生
- 关键词：无机非金属材料铁电薄膜
- 外延PbZr_(0.4)Ti_(0.6)O_3薄膜厚度对其铁电性能的影响被引量：12
- 2007年
- 从Landau-Devonshire唯象理论出发,考虑到晶格失配导致的位错应力场与极化场的耦合,研究了在SrTiO3衬底上外延生长的PbZr0.4Ti0.6O3薄膜厚度对其自发极化强度、电滞回线的影响.结果表明,产生位错的PbZr0.4Ti0.6O3薄膜临界厚度为～1.27nm,当薄膜厚度大于临界厚度时,在所形成的位错附近,极化强度出现急剧变化,形成自发极化强度明显减弱的“死层”;随着薄膜厚度的减小,位错间距增大,“死层”厚度与薄膜总厚度之比增加.由薄膜电滞回线的变化情况可知,其剩余极化强度随着薄膜厚度的减小而逐渐减小.
- 王英龙魏同茹刘保亭邓泽超
- 关键词：铁电薄膜电滞回线位错
