马睿
- 作品数：19 被引量：14H指数：3
- 供职机构：西安工业大学更多>>
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- 相关领域：电子电信农业科学环境科学与工程文化科学更多>>
- 硅深刻蚀中掩蔽层材料的研究被引量：3
- 2008年
- 掩蔽层材料选择比低是硅高深宽比微结构实现的限制之一.为了获得高质量的掩蔽层材料,利用感应耦合等离子体(Inductively Coupled Plasma,ICP)刻蚀方法,选择SiO2,MgO,Al作为掩蔽层材料,通过研究刻蚀过程中射频功率及气体流量对SiO2,MgO,Al及Si刻蚀速率变化的影响,获得了SF6等离子体对Si与SiO2,Si与MgO,Si与Al的选择比.结果表明:MgO薄膜作为掩蔽层、射频功率为800 W,气体流量为50 sccm或80 sccm是深刻蚀中适宜的工艺参数.
- 蔡长龙马睿刘卫国
- 关键词：ICP刻蚀刻蚀速率选择比
- MgO掩蔽层及其腐蚀法图形化工艺的探究
- 2013年
- MgO薄膜对硅的高刻蚀选择比使其成为硅深刻蚀过程中重要的掩蔽层材料。本文采用腐蚀法对MgO掩蔽层薄膜进行图形化,得到了一组能够快速对MgO薄膜图形化的工艺参数。
- 马睿蔡长龙
- 关键词：掩蔽层图形化
- 硅深刻蚀中掩蔽层材料刻蚀选择比的研究被引量：4
- 2009年
- 基于硅的高深宽比微细结构是先进微器件的关键结构之一,在其加工工艺中,具有高选择比的掩蔽层材料是该结构实现的重要保证。研究了在感应耦合等离子体刻蚀过程中射频功率和气体流量对不同材料刻蚀性能的影响,获得了在SF6等离子体中Si,SiO2,MgO以及Al等材料的刻蚀速率,同时获得了在该等离子体中Si相对SiO2,MgO以及Al的选择比。通过比较研究,得到了硅深刻蚀中最佳的掩蔽层材料及刻蚀工艺参数。
- 蔡长龙马睿刘卫国刘欢周顺
- 关键词：等离子体刻蚀刻蚀速率选择比
- 低能N^+离子注入假单胞菌工艺的研究
- 2015年
- 为获得高效降解石油烃的假单胞菌菌株,采用低能离子注入的方法对假单胞菌进行诱变培育。从石油污染的土壤中筛选出以石油烃为唯一碳源的石油降解菌C-10,经鉴定为铜绿假单胞菌(Pseudomonas aeruginosa)。采用低能离子注入设备对假单胞菌进行了N+离子注入,研究不同能量和剂量的N+离子注入后假单胞菌的存活率。研究结果表明:N+离子注入能量增大,假单胞菌的存活率上升;N+离子注入剂量与假单胞菌存活率之间呈现出较明显的"马鞍形"变化趋势;N+离子的注入能量和注入剂量分别为20ke V和7.5×1015ion/mm2是获得正向突变假单胞菌的最佳离子注入参数。
- 马睿蔡长龙梁海锋严一心
- 关键词：离子注入假单胞菌致死率石油烃降解
- 硅基材料的各向异性刻蚀工艺研究
- 2013年
- 穿透硅通孔技术是实现3-D集成封装的关键技术之一,而交替复合深刻蚀技术是实现穿透硅通孔的重要方式。本文分别采用SF6和CF4、SF6和C4F8、SF6和O2三组不同组合气体,对硅基材料进行交替复合深刻蚀,获得了不同组合气体对硅的横向刻蚀速率和纵向刻蚀速率,实现了对硅的各项异性刻蚀,为硅深刻蚀技术的实现奠定了基础。
- 马睿蔡长龙
- 关键词：各向异性
- 高校辅导员职业能力提升路径研究被引量：1
- 2017年
- 我国的教育特色,决定了辅导员在高等学校教育管理者中的基础地位,也构成了高校教育系统里最不可或缺的组成部分,对学生的生活、学习起着直接而重要的指导、管理和服务作用。因此,从某种程度上说,高校辅导员的职业能力水平直接影响到高等学校学生培养质量的高低。教育新常态下,要想推动我国高等教育内涵式发展,助推一流大学建设,就必须注重高校辅导员职业能力的提升。
- 张旭呼晓青马睿
- 关键词：辅导员高校
- 一种提高辣椒辣红素含量的方法
- 本发明涉及一种提高辣椒辣红素含量的方法。植物新品种的选育方法很多，主要有自然变异、杂交育种、太空育种以及离子注入诱变育种等，但自然变异频率较低。本发明将辣椒籽竖直均匀地插入培养皿的花泥，胚芽朝上，露出辣椒籽的胚芽部分；将...
- 蔡长龙马睿廉振民彭渝丽梁海锋刘正利严一心
- 文献传递
- 离子束辐照对孔雀草发芽特性的影响
- 2013年
- 为探明离子辐照工艺参数对孔雀草发芽特性的影响规律,采用低能氮离子束对孔雀草种子进行辐照,研究了氮离子辐照工艺参数对辐照后的孔雀草种子发芽率和发芽时间等发芽特性的影响。结果表明,随着离子辐照能量和剂量的增加,孔雀草种子的发芽率降低,发芽时间推迟。
- 蔡长龙廉振民梁海锋马睿何雯
- 关键词：离子辐照孔雀草发芽特性
- 离子注入辣椒出苗特性的研究被引量：1
- 2012年
- 采用生物改性离子注入设备对辣椒干种子进行了N+离子注入,详细进行了干种子注入N+离子后的育种和生长特性研究,主要研究了N+离子注入后辣椒种子的出苗率、出苗时间与N+离子注入工艺参数之间的关系,通过研究,获得了致死率为50%的离子注入工艺参数,同时,得到了离子能量和注入剂量相关的致死临界曲线,该致死临界曲线类似于反比例曲线。研究表明,致死临界曲线上任一点的离子能量和注入剂量之积在2×1017keV.ions/mm2-2.5×1017keV.ions/mm2范围内,即当离子能量与注入剂量之积大于2.5×1017keV.ions/mm2时,种子全部致死,当离子能量与注入剂量之积小于2×1017keV.ions/mm2时,将有一定比例的种子存活。
- 蔡长龙梁海锋马睿严一心
- 关键词：离子注入辣椒
- 一种提高假单孢菌石油烃降解能力的方法
- 本发明涉及一种提高假单孢菌石油烃降解能力的方法。采用假单孢菌降解石油烃是一种有效的方法，但目前主要问题是由于其降解效率低而导致降解成本高，变异频谱窄，变异率低，操作较复杂。一种提高假单孢菌石油烃降解能力的方法，其特征在于...
- 蔡长龙廉振民梁海锋马睿彭渝丽刘正利严一心
- 文献传递
