马本堃
- 作品数：43 被引量：51H指数：4
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- 发文基金：国家教育部博士点基金广东省自然科学基金国家重点基础研究发展计划更多>>
- 相关领域：理学电子电信电气工程机械工程更多>>
- Gunn效应的一个理论模型和自激振荡频率特性的分析
- 1997年
- 用一个具有负微分迁移率的电子漂移速度函数概括RWH机制，给出Gunn效应的六耦合模方程组，并对Gunn自激振荡的频率特性进行了数值计算，其结果与实验符合比较好．
- 田强马本堃
- 关键词：自激振荡频率特性
- 离子晶体量子线中的非线性极化激元
- 2003年
- 讨论了离子晶体量子线中的非线性极化激元的色散关系 .由于量子线对电磁波场的尺寸限制作用及原胞中离子间的非线性相互作用 ,使离子晶体量子线中的非线性极化激元的色散关系相对于体材料有 2点值得注意 :在ωTO以下及ωL O以上区域 ,在波矢 k小的区域 ,频率值向上移动 ,在原频率禁区ωTO<ω<ωL O中 ,由于非线性效应引起的新的极化激元的频率分支则与体材料基本一致 ,即尺寸效应不显著 ,这意味着在量子线中会有与体材料中相同的光孤立子的传输特性 .
- 牛家胜马本堃
- 关键词：极化激元量子线平均场
- 含时空关联噪声的非局域及各向异性Kardar-Parisi -Zhang方程的直接标度分析被引量：9
- 2002年
- 将直接标度分析方法推广应用到含时间空间关联噪声的非局域及各向异性Kardar Parisi Zhang方程的动力学标度分析中 ,分别得到了方程在强耦合区和弱耦合区的标度指数值 .
- 唐刚马本堃
- 关键词：非局域各向异性
- 量子盘中的三阶非线性光学极化率被引量：2
- 2001年
- 利用密度矩阵方法讨论了量子盘中的三阶非线性光学极化率 ,导出了近共振条件下的三次谐波的解析表达式 ,并以GaAs量子盘为例进行了具体的计算。结果表明 ,GaAs量子盘中的三阶非线性光学极化率要比GaAs量子阱的大几十倍。而且 ,选取适当的参量 ,可在吸收系数相对较小的情况下获得较大的折射率。
- 刘翠红郭康贤陈传誉马本堃
- 关键词：量子盘半导体
- 二维BLOCH电子准经典霍耳输运的分支解及其分析
- 1998年
- 在非极低温情况下，数值求解二维Bloch电子准动量在电场和磁场作用下满足的非线性方程组，结果呈现出奇特的非线性现象．在电场一定的情况下，随着磁场的增加，方程组不断以切分岔的形式出现新的分支解，并对这些分支解的稳定性进行了讨论，分析了在某些磁场强度附近电子准动量的跳变及其与电场强度的关系．
- 田强谢凡马本堃
- 关键词：分支解
- 在量子阱中自组织量子点结构GaN/Al_xGa_(1-x)N的电子能谱被引量：1
- 2002年
- 在有效质量近似框架内 ,采用绝热近似 ,计算了在量子阱中GaN/AlxGa1-xN自组织量子点系统的电子结构和光学性质 .计算表明系统的电子能级随量子点受限势的增大而升高 ,随量子点尺寸的增大而降低 ,而且量子阱的宽度和量子点浸润层厚度的增加也会导致能级值有所降低 .说明结构参数会使在阱中的量子点的光致发光峰波长发生相应的蓝移或红移 ,与已知的实验结果一致 .
- 刘承师马本堃王立民
- 关键词：量子点电子能谱
- 强受限半导体量子点的形状对受限激子的影响被引量：4
- 1998年
- 在有效质量近似下，采用无限深势阱模型研究了强受限范围内球形、圆柱形、立方形半导体量子点的形状对受限激子的影响．结果表明对于采用体激子的等效Rydberg能量R比较大的材料制备的量子点，其形状带来的影响是显著的．
- 罗莹王若桢马本堃
- 关键词：量子点半导体
- Mg^+,Nb^+离子注入对SnO_2薄膜晶粒热稳定性的影响
- 1997年
- 采用Ar+离子溅射方法将300nmSnO2薄膜沉积在Si片上．分别对膜层进行60keV，5×10(16)cm(-2)Mg+离子注入和100keV，5×10(16)cm(－2)Nb+离子注入．对未注入、Mg+离子注入、Nb+离子注入3种薄膜进行500℃，4h退火处理．采用XRD和XPS手段分析膜层，发现Mg+离子注入对SnO2纳米晶有稳定化作用．
- 张涛张通和梁宏朱宏张荟星马本堃
- 关键词：离子注入纳米晶二氧化锡热稳定性
- 在anyon模型中空穴的有效吸引作用
- 1991年
- 在Laughlin等人的anyon模型框架下,确证空穴间的有效吸引作用,并由此产生超导电性。
- 韩飞冯世平马本堃
- 关键词：空穴超导电性
- Si(111)(2×1)清洁重构表面
- 1991年
- 研究了Si(111)(2×1)清洁重构表面,计算了此表面的弯曲模型和修正的π—键链模型的能带结构。结果表明,修正的π-键链模型与实验符合很好。
- 马本堃汪洁英常凯
- 关键词：硅特征值
