以氮化铝粉、钼粉为原料,放电等离子烧结(SPS)技术制备了AlN-18%Mo复合陶瓷。通过X射线衍射(XRD)、扫描电镜(SEM)、介电频谱(Dielectric Frequency Spectrum)分析,研究了混料均匀性、渗碳、烧结温度对复合陶瓷致密性、导电性能及介电性能的影响。结果表明,采用特殊混料工艺,制备出Mo均匀弥散分布的复合陶瓷。1700℃、30MPa烧结复合陶瓷,距离样品表面3mm以下无杂质相。1450℃烧结复合陶瓷,Mo颗粒呈长条状,电阻率为6.96×102Ω·cm,表现为导体特性;1500℃烧结时样品的电阻率迅速增大为1.81×107Ω·cm,呈现绝缘体特性;此后随着烧结温度的逐渐增加,样品的电阻率趋于平缓,介电常数、损耗逐渐降低,并从复合材料的显微结构及介电理论对以上结果给予解释。
以氮化铝粉、钼粉为原料,采用放电等离子烧结(SPS)技术制备了AlN-18%Mo复合陶瓷。采用X射线衍射(X-ray diffraction,XRD)仪、扫描电镜(Scanning electron microscope,SEM)、介电频谱(Dielectric frequencyspectrum)分析研究了低熔点金属Fe对复合陶瓷导电性能及介电性能的影响。结果表明,随着低熔点金属Fe含量的增加,复合陶瓷的渗流转变温度逐渐降低,添加1%(体积分数)Fe,AlN-18%(体积分数)Mo复合陶瓷的渗流转变温度降低了90℃;随着低熔点金属Fe含量的增加,AM18复合陶瓷的介电常数、损耗逐渐增加,并从复合材料的显微结构及介电理论方面对以上结果给予解释。
