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顾怡峰

作品数：25 被引量：0H指数：0
供职机构：中国科学院上海微系统与信息技术研究所更多>>
相关领域：文化科学自动化与计算机技术更多>>

合作作者

文献类型

  • 24篇专利
  • 1篇会议论文

领域

  • 1篇自动化与计算...
  • 1篇文化科学

主题

  • 18篇电阻
  • 12篇存储器
  • 7篇芯片
  • 7篇半导体
  • 6篇导电类型
  • 5篇二极管
  • 5篇锑
  • 5篇存储芯片
  • 4篇自对准
  • 4篇相变材料
  • 4篇肖特基
  • 3篇低温退火
  • 3篇电阻率
  • 3篇退火
  • 3篇温度变化
  • 3篇相变
  • 3篇肖特基二极管
  • 3篇键合
  • 3篇键合强度
  • 2篇读写

机构

  • 25篇中国科学院

作者

  • 25篇顾怡峰
  • 25篇宋志棠
  • 18篇张挺
  • 18篇封松林
  • 18篇刘波
  • 6篇宋三年
  • 6篇陈邦明
  • 3篇杜小峰
  • 3篇刘卫丽
  • 3篇成岩
  • 3篇刘旭焱
  • 2篇张中华
  • 2篇陈小刚
  • 2篇张复雄
  • 2篇张兵
  • 2篇向阳辉
  • 2篇席韡

年份

  • 1篇2016
  • 1篇2015
  • 3篇2014
  • 3篇2013
  • 1篇2012
  • 8篇2011
  • 7篇2009
  • 1篇2008
共 25 条 记 录，以下是 1-10
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排序方式：
用于相变存储器的Al-Sb-Se材料及制备方法
本发明提供一种用于相变存储器的Al-Sb-Se材料及制备方法。其中，所述Al-Sb-Se材料是由铝、锑、硒三种元素组成的化合物，其化学式为Al<Sub>x</Sub>Sb<Sub>a</Sub>Se，Sb与Se的原子比为...
顾怡峰宋志棠宋三年刘波封松林
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钛-锑-碲相变材料沉积方法及相变存储单元的制备方法
本发明提供一种钛-锑-碲相变材料沉积方法及相变存储单元的制备方法，包括：沉积Ti前驱体，所述Ti前驱体包括(R<Sup>1</Sup>)<Sub>4</Sub>Ti、(R<Sup>1</Sup>R<Sup>2</Sup>...
宋三年宋志棠张中华顾怡峰
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集成多种电阻转换存储模块的芯片及其制造方法
本发明涉及一种集成多种电阻转换存储模块的存储芯片，在单一的存储芯片内，集成有多个的存储模块，这些电阻转换存储模块具备不同的编程功耗、不同的编程速率以及不同的数据保持能力等。在存储器，特别是嵌入式存储器的使用过程中，充分发...
张挺宋志棠顾怡峰刘波张复雄向阳辉封松林陈邦明
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一种含锗锑硒的多级电阻转换存储材料及应用
本发明涉及一种含锗锑硒的多级电阻转换存储材料及应用，其组分包括锗、锑、硒三种元素，其中锗、锑、硒三种元素的原子百分比依次为0.01～20∶70～99.9∶0.01～15；该材料可应用于电编程的电阻转换存储器等领域的制备；...
顾怡峰宋志棠张挺刘波封松林
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一种自对准制造基于含锑的肖特基二极管阵列的方法
本发明提供多种自对准制造基于含锑的肖特基二极管阵列的方法，首先在本征或第一导电类型半导体基底上形成第二导电类型的重掺杂层，然后在第二导电类型的重掺杂层上形成第二导电类型的轻掺杂区，接着采用自对准法在轻掺杂区沉积含锑的金属...
张挺宋志棠顾怡峰刘波封松林
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三维立体结构电阻转换存储芯片的制备方法及芯片
本发明涉及到一种三维立体结构电阻转换存储芯片的制备方法及芯片。该方法中采用室温等离子体活化键合技术将已含有外围电路层、或者同时含有外围电路和平面存储结构层的基片与包含用作选通管的薄膜材料层的SOI片键合；利用不高于400...
刘旭焱张挺刘卫丽宋志棠杜小峰顾怡峰成岩
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一种含锗锑硒的多级电阻转换存储材料及应用
本发明涉及一种含锗锑硒的多级电阻转换存储材料及应用，其组分包括锗、锑、硒三种元素，其中锗、锑、硒三种元素的原子百分比依次为0.01～20∶70～99.9∶0.01～15；该材料可应用于电编程的电阻转换存储器等领域的制备；...
顾怡峰宋志棠张挺刘波封松林
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电阻转换存储器及其制造方法
本发明揭示一种电阻转换存储器及其制造方法，所述电阻转换存储器包括：基底、逻辑电路、字线、位线、若干分立的存储单元、隔离单元；通过扩散效应，使所述存储单元中存储材料的部分原子扩散到第一导电类型的半导体字线中，在接触界面形成...
张挺宋志棠顾怡峰刘波封松林陈邦明
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电阻转换存储纳米结构及其自对准制造方法
本发明揭示了一种电阻转换存储纳米结构及其自对准制造方法，该纳米结构是柱状的，柱状结构中包含具有开关特性的选通管和电阻转换存储单元，此外还可包含电极。本发明提出的自带选通管的电阻转换存储纳米结构及其制造方法.解决超小尺寸电...
张挺张兵宋志棠顾怡峰刘波封松林
二极管驱动电阻转换存储器单元及其制造方法
本发明公开了一种二极管驱动电阻转换存储器单元及其制造方法，包括基底、设置在基底上的第一导电类型半导体、设置在半导体上的具有电阻转换能力的存储单元以及设置在电阻转换存储单元上的电极；所述第一导电类型半导体与存储单元相邻的表...
张挺宋志棠顾怡峰刘波封松林
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