韩磊
- 作品数：4 被引量：10H指数：3
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- 标准CMOS工艺载流子注入型三端Si-LED设计与研制
- 文章报道了一种新型的高发光功率载流子注入型三端Si-LED器件,采用无锡华润上华(CSMC)0.5um标准CMOS工艺设计和制备。该器件在p型衬底上进行n+掺杂,与p衬底形成两个相对的n+p结。其中一个结正向偏置,发出峰...
- 韩磊张世林郭维廉毛陆虹谢生张兴杰谷晓
- 关键词：发光二极管集成电路
- 标准CMOS工艺载流子注入型三端Si-LED的设计与研制被引量：6
- 2012年
- 采用无锡华润上华(CSMC)0.5μm标准CMOS工艺,设计并制备了一种新型的高发光功率载流子注入型三端Si-LED器件。该器件在p型衬底上进行n+掺杂,与p衬底形成两个相对的n+p结,其中一个结正向偏置,发出峰值波长在1 100 nm附近的红外光;另一个结同样正偏,作为注入结对发光进行调制。测试结果显示:第三端注入载流子明显增强了总体的发光功率,在10 mA偏置电流、3 V调制电压下,可获得1 nW的光功率,与单结相比提高了两个数量级。由于工作电压低,该器件可与目前主流的CMOS工艺共电源单芯片集成,在光电集成领域具有一定的应用前景。
- 韩磊张世林郭维廉毛陆虹谢生张兴杰谷晓
- 关键词：发光器件光电集成
- 应用于无源UHF RFID标签的CMOS兼容集成微型太阳能电池研究被引量：3
- 2012年
- 在标准CMOS工艺下,设计了一种与CMOS工艺兼容的片上集成太阳能电池阵列,通过从外部环境收集光能为UHF射频识别(RFID)标签供电。采用SMIC 0.18μm CMOS工艺制备出太阳能电池阵列,其面积约为0.2mm2;在AM1.5、1 000W/m2、25℃标准测试条件下,测得最大输出功率为10.212μW,短路电流和开路电压分别为28.763μA和0.458V,光电转换效率为5.106%。相对于常规Si太阳能电池复杂的制造工艺,本文太阳能电池阵列与CMOS工艺相兼容,可与电路系统集成从而实现片上供电。
- 侯贺刚张世林郭维廉毛陆虹谢生韩磊
- 关键词：CMOS片上集成
- 标准CMOS工艺新型多晶硅PIN-LED的设计与实现被引量：3
- 2013年
- 采用联华电子公司(UMC)0.18μm标准CMOS工艺设计并制备了多晶硅PIN-LED,测试结果表明,i区宽为10μm器件的正向导通电压为1.5V,反向击穿电压为8.8V;当其工作在正向载流子注入模式时发射950～1 250nm波段的红外光,工作在反向雪崩击穿模式时发射650～1 000nm波段的可见光。实验结果表明,本文以多晶硅材料制备的PIN-LED与单晶硅材料制备的Si-LED具有类似的电学特性与光学特性。
- 张兴杰张世林韩磊郭维廉侯贺刚毛陆虹谢生
- 关键词：标准CMOS工艺
