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陈雄文

作品数:2 被引量:48H指数:2
供职机构:汕头大学理学院物理系更多>>
发文基金:国家自然科学基金广东省自然科学基金更多>>
相关领域:电子电信更多>>

文献类型

  • 2篇中文期刊文章

领域

  • 2篇电子电信

主题

  • 1篇氮化硅
  • 1篇氮化硅薄膜
  • 1篇色散
  • 1篇射频功率
  • 1篇平面波展开法
  • 1篇平坦色散
  • 1篇吸收光谱
  • 1篇纤芯
  • 1篇晶体光纤
  • 1篇基片
  • 1篇基片温度
  • 1篇光谱
  • 1篇光纤
  • 1篇光子
  • 1篇光子晶体
  • 1篇光子晶体光纤
  • 1篇硅薄膜
  • 1篇红外
  • 1篇红外吸收
  • 1篇红外吸收光谱

机构

  • 2篇汕头大学
  • 1篇华东师范大学
  • 1篇华南师范大学

作者

  • 2篇陈雄文
  • 1篇石旺舟
  • 1篇兰胜
  • 1篇林旭升
  • 1篇欧阳艳东
  • 1篇周开锋
  • 1篇邱春文
  • 1篇吴维庆
  • 1篇周辉

传媒

  • 1篇光子学报
  • 1篇汕头大学学报...

年份

  • 1篇2006
  • 1篇2003
2 条 记 录,以下是 1-2
排序方式:
混合纤芯光子晶体光纤超平坦色散的研究被引量:33
2006年
利用平面波展开法,系统地研究了一种具有混合纤芯结构的光子晶体光纤的色散特性.数值计算结果表明,通过优化结构参量,这种新型结构的光子晶体光纤在通信窗口1.55μm附近可以获得带宽超过800nm的超平坦色散区域(色散曲线的变化范围不超过±0.6ps·km^(-1)·nm^(-1)).
吴维庆陈雄文周辉周开锋林旭升兰胜
关键词:光子晶体光纤平坦色散平面波展开法
磁控反应溅射法低温制备氮化硅薄膜被引量:15
2003年
采用射频 (RF)磁控反应溅射法制备出氮化硅薄膜 .从红外吸收光谱可见 ,氮气参加了反应并生成 Si- N键 ,薄膜中含有少量的 Si- O键和 Si- H键 ;薄膜的成分与制备过程中基片温度、射频功率等工艺参数密切相关 ,当基片温度升高到 40 0℃时 ,薄膜中基本不再含 Si- H键 ,氮化硅薄膜的纯度得到提高 .
邱春文陈雄文石旺舟欧阳艳东
关键词:氮化硅薄膜红外吸收光谱基片温度射频功率
共1页<1>
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