陈瑞璋
- 作品数:6 被引量:2H指数:1
- 供职机构:中国科学院上海冶金研究所上海微系统与信息技术研究所更多>>
- 发文基金:上海市自然科学基金更多>>
- 相关领域:电子电信更多>>
- 自集成透镜InGaAsP/InPDHLED及其离子束铣技术被引量:1
- 1991年
- 本文报道在国内首次采用离子束铣技术研制自集成透镜InGaAsP/InP DH LED的实验结果。采用烘烤正性光致抗蚀剂来形成球状掩膜适合于离子束铣,且重复性很好。为了获得光洁的刻蚀表面,刻蚀条件均已最优化。
- 肖德元郭康瑾付新定徐少华方红丽张坚萍陈启玙陈瑞璋
- 关键词:发光二极管光纤通信
- 用于宽带光纤用户网的高速1.3μm InGaAsP/InP DH LED被引量:1
- 1991年
- 本文设计并制作了带有集成透镜的高速1.3μm InGaAsP/InP DH LED.器件的调制带宽达425MHz,与梯度折射率多模光纤的耦合效率高达7.5%,适用于四次群以上的宽带光纤通讯系统,在未来的宽带ISDN中将发挥重要作用.
- 郭康瑾肖德元陈启玙徐少华陈瑞璋张晓平
- 关键词:光纤通信INGAASP/INPLED
- 清洗杯
- 本实用新型清洗杯可用于半导体器件、材料、芯片等物品的冲洗,属于与液体接触清洁物品所用的装置。本清洗杯是应用虹吸原理,在杯体的上半部或杯盖上设计一个进液嘴;在杯底开孔连接一个向上弯曲到低于杯口处再向下弯曲开口于大气并低于杯...
- 陈瑞璋
- 文献传递
- 高效率PBRS InGaAsP/InP LED的研究
- 1992年
- 用于单模光纤系统的平面隐埋脊型(PBRS)InGaAs P/IuP DH LED已研制成功.本文对材料和器件设计作了简要描述.异质结晶体系采用二次液相外延生长,器件具有斜胶面受激抑制结构和平面隐埋脊型有源区,用激光焊接金属化封装技术使器件与单模光纤耦合对接.波器件在单模光纤中的入纤功率达35μW,是国内已见报道中最高的结果,带宽195MHz.在四次群传输实验中,无中继传输距由大于20公里.
- 郭康瑾陈启玙徐少华陈瑞璋张晓平肖德元朱黎明胡道珊冯培均
- 关键词:发光二极管异质结
- 管芯测量观察装置
- 本实用新型是半导体激光或发光二极管管芯的测量观察装置,属于半导体光辐射器件制造或处理时的测量设备。它由抽气泵,通气泵阀,使管芯绕轴和自身作360°旋转和上下移动的机械调节机构及观察显微镜组成。本实用新型配以测量仪器可以测...
- 陈瑞璋
- 文献传递
- 集成透镜InGaAsP/InP DH LED特性研究
- 1991年
- 本文设计与制作了集成球透镜1.3μm InGaAsP/InP DH LED,并对集成透镜LED的频响特性,光强远场分布以及与光纤的耦合特性等方面进行了测试分析.研究结果表明,球透镜LED与标准光纤的耦合效率较之乎面型LED有显著提高,达7.5%,器件截止频率也比平面型LED提高的20%,最高截止带宽达425MHz.
- 肖德元陈瑞璋朱黎明史智华徐少华陈启玙郭康瑾
- 关键词:INGAASPINP