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阎珂柱
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1
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供职机构:
中国科学技术大学物理学院物理系
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相关领域:
理学
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合作作者
方容川
中国科学技术大学物理学院物理系
王和照
合肥工业大学电子科学与应用物理...
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阎珂柱
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方容川
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发光学报
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1篇
1989
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氢化非晶碳薄膜的光致发光线型及其激发能量依赖关系
1989年
本文报道了氢化非晶碳薄膜在2.9—4.5eV光激发下的发光谱。它的光致发光谱是无结构的不对称宽带,半宽度约为0.8eV。在低于3.56eV的光激发下,谱带的峰值能量随激发能量的降低明显红移。在安德森带结构和指数分布的带尾态密度的基础上,考虑了尾态中粒子的两种跃迁过程,实验的PL谱就可得到解释。并用这个简单模型计算了这种材料的光致发光谱特征。
阎珂柱
方容川
王和照
关键词:
薄膜物理学
光致发光谱
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