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钟丹霞

作品数:4 被引量:0H指数:0
供职机构:浙江理工大学更多>>
发文基金:浙江省大学生科技创新活动计划(新苗人才计划)项目浙江省“钱江人才计划”国家自然科学基金更多>>
相关领域:理学一般工业技术更多>>

文献类型

  • 2篇期刊文章
  • 2篇专利

领域

  • 2篇理学
  • 1篇一般工业技术

主题

  • 2篇第一性原理
  • 2篇第一性原理研...
  • 2篇电子结构
  • 2篇子结构
  • 2篇纳米
  • 2篇纳米棒
  • 2篇胶体
  • 2篇胶体化学
  • 2篇胶体化学法
  • 2篇光电
  • 2篇光电响应
  • 2篇CDS纳米棒
  • 1篇重掺杂
  • 1篇微纳米加工
  • 1篇纳米加工技术
  • 1篇结构和电子结...
  • 1篇和光
  • 1篇CDSE
  • 1篇MN
  • 1篇X

机构

  • 4篇浙江理工大学

作者

  • 4篇钟丹霞
  • 4篇李培刚
  • 4篇王顺利
  • 3篇宋佳
  • 3篇沈静琴
  • 2篇朱志艳
  • 2篇李延杰
  • 1篇邢云
  • 1篇王国锋
  • 1篇崔灿
  • 1篇钱惠琴

传媒

  • 2篇浙江理工大学...

年份

  • 1篇2017
  • 1篇2015
  • 2篇2014
4 条 记 录,以下是 1-4
排序方式:
基于第一性原理研究S替代对CdS_xSe_(1-x)的晶体结构和电子结构的影响
2014年
基于第一性原理,采用平面波赝势方法,计算并分析了CdSxSe1-x的晶体结构和电子结构及不同含量的S含量对CdSxSe1-x合金体系性质的影响。计算结果表明,由S部分或全部取代Se后,所形成CdSxSe1-x三元合金晶体的晶格常数随着S含量的增加呈线性减小趋势,除S和Se的比例为1∶1外,其他比例的合金晶体所属晶系没有变化,禁带宽度随着S含量的增加逐渐增加;随着S含量的增加,态密度的峰值逐渐向高能量方向偏移;通过对S替代后体系的差分电荷密度分析发现,S元素的替代后,整个体系的电荷进行了重新分布。
邢云钟丹霞李延杰林秀茶宋佳钱惠琴沈静琴王顺利李培刚
关键词:CDSE电子结构
一种基于CdS纳米棒纳米光电器件的制备方法
本发明涉及一种纳米光电器件的制备方法,具体是指一种基于胶体化学合成硫化镉纳米棒的纳米光电器件的制备方法。本发明是通过微纳米加工技术,在具有200nmSiO<Sub>2</Sub>层的单晶硅(Si)衬底上制备出具有纳米间隙...
李培刚宋佳钟丹霞王顺利汪鹏超朱志艳沈静琴
第一性原理研究Mn重掺杂对β-Ga_2O_3的电子结构和光学性能的影响
2014年
采用基于密度泛函理论的第一性原理研究了Mn重掺杂对β-Ga2O3物理性能的影响。建立了β-Ga2O3模型,用Mn原子部分替代Ga原子构建Ga2-xMnxO3的超胞模型,实现对β-Ga2O3的掺杂,分别对x等于0.0625、0.125和0.25的模型进行了几何结构优化,获得稳定的晶格结构和晶胞参数,并对它们的能带结构、态密度和光学性能等进行分析。计算结果表明:Mn掺杂后,禁带宽度减小,费米能级上移进入导带,增大了载流子浓度,提高了体系的电导率;介电函数的虚部有明显的变化;β-Ga2O3在400-700nm的范围内,吸收系数和反射率均有不同程度的降低,与未掺杂的β-Ga2O3相比,能量损失谱的峰值发生了红移。
王国锋李延杰钟丹霞王顺利崔灿李培刚
关键词:第一性原理
一种基于CdS纳米棒纳米光电器件的制备方法
本发明涉及一种纳米光电器件的制备方法,具体是指一种基于胶体化学合成硫化镉纳米棒的纳米光电器件的制备方法。本发明是通过微纳米加工技术,在具有200nmSiO<Sub>2</Sub>层的单晶硅(Si)衬底上制备出具有纳米间隙...
李培刚宋佳钟丹霞王顺利汪鹏超朱志艳沈静琴
文献传递
共1页<1>
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