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郭钟光

作品数：6 被引量：0H指数：0
供职机构：同济大学更多>>

合作作者

文献类型

  • 6篇中文专利

主题

  • 4篇多晶
  • 4篇多晶硅
  • 2篇一氧化碳
  • 2篇三氯氢硅
  • 2篇四氯化硅
  • 2篇喷口
  • 2篇气口
  • 2篇氢还原
  • 2篇氢气
  • 2篇尾气
  • 2篇炉底
  • 2篇炉底温度
  • 2篇氯化
  • 2篇氯化硅
  • 2篇截面
  • 2篇截面积
  • 2篇进气
  • 2篇进气口
  • 2篇还原炉
  • 2篇还原温度

机构

  • 6篇同济大学

作者

  • 6篇梁骏吾
  • 6篇郭钟光
  • 6篇闻瑞梅
  • 6篇戴自忠
  • 4篇吴坚

年份

  • 1篇2006
  • 1篇2005
  • 1篇2004
  • 3篇2003
共 6 条 记 录，以下是 1-6
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排序方式：
一种去除水中气相杂质的方法
一种去除水中气相杂质的方法，涉及去除水中氧、氮、一氧化碳、二氧化碳和甲烷的工艺。将水以每小时1-4立方米的流量自上而下泵入淋洗塔中喷出。同时用压力为0.02-0.05兆帕(MPa)、流量为每小时0.5-2立方米、纯度为9...
闻瑞梅戴自忠梁骏吾吴坚郭钟光
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多晶硅氢还原炉的可变截面积进气口装置
多晶硅氢还原炉的可变截面积进气口装置，涉及半导体多晶硅氢还原炉的喷口结构。其特点是：与炉底壁(4)固为一体的固定喷口(1)外面套有一个可旋转的转动喷口(9)，转动喷口(9)的顶端开有与固定喷口(1)数量、形状、尺寸、位置...
闻瑞梅戴自忠梁骏吾郭钟光吴坚
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多晶硅氢还原炉的可变截面积进气口装置
多晶硅氢还原炉的可变截面积进气口装置，涉及半导体多晶硅氢还原炉的喷口结构。其特点是：与炉底壁(4)固为一体的固定喷口(1)外面套有一个可旋转的转动喷口(9)，转动喷口(9)的顶端开有与固定喷口(1)数量、形状、尺寸、位置...
闻瑞梅戴自忠梁骏吾郭钟光吴坚
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一种去除水中气相杂质的方法
一种去除水中气相杂质的方法，涉及去除水中氧、氮、一氧化碳、二氧化碳和甲烷的工艺。将水以每小时1－4立方米的流量自上而下泵入喷淋塔中喷出。同时用压力为0.02－0.05兆帕(MPa)、流量为每小时0.5－2立方米、纯度为9...
闻瑞梅戴自忠梁骏吾吴坚郭钟光
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用三氯氢硅和四氯化硅混合源生产多晶硅的方法
用三氯氢硅和四氯化硅混合源生产多晶硅的方法，涉及一种全新的氢还原生产多晶硅的工艺。首先，在0.5-0.8大气压的干燥惰性气体保护下对三氯氢硅(SiHCl<Sub>3</Sub>)、四氯化硅(SiCl<Sub>4</Sub...
闻瑞梅戴自忠梁骏吾郭钟光
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用三氯氢硅和四氯化硅混合源生产多晶硅的方法
用三氯氢硅和四氯化硅混合源生产多晶硅的方法，涉及一种全新的氢还原生产多晶硅的工艺。首先，在0.5－0.8大气压的干燥惰性气体保护下对三氯氢硅(SiHCl<Sub>3</Sub>)、四氯化硅(SiCl<Sub>4</Sub...
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