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郑理

作品数：16 被引量：18H指数：4
供职机构：成都工业学院机械工程学院更多>>
发文基金：四川省应用基础研究计划项目四川省科技计划项目四川省教育厅自然科学科研项目更多>>
相关领域：电子电信理学文化科学更多>>

合作作者

文献类型

  • 16篇中文期刊文章

领域

  • 11篇电子电信
  • 5篇理学
  • 3篇文化科学

主题

  • 13篇光导
  • 13篇光导开关
  • 11篇砷化镓
  • 11篇砷化镓光导开...
  • 6篇电流
  • 5篇电子学
  • 5篇光电
  • 5篇光电子
  • 5篇光电子学
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  • 3篇教学
  • 2篇应用型本科
  • 2篇应用型本科院...
  • 2篇院校
  • 2篇载流子
  • 2篇数值模拟
  • 2篇本科
  • 2篇本科院校
  • 2篇值模拟
  • 1篇大学物理

机构

  • 13篇成都大学
  • 12篇成都工业学院
  • 4篇成都电子机械...
  • 4篇电子科技大学
  • 2篇成都学院

作者

  • 16篇郑理
  • 15篇刘鸿
  • 7篇杨洪军
  • 7篇杨维
  • 5篇郑勇林
  • 4篇朱晓玲
  • 3篇戴松晖
  • 2篇阮成礼
  • 2篇吴明和
  • 1篇王玉明
  • 1篇宋刚
  • 1篇程浩
  • 1篇王晓茜
  • 1篇陈斌
  • 1篇李立新
  • 1篇邬丹

传媒

  • 7篇成都大学学报...
  • 3篇成都工业学院...
  • 2篇激光与光电子...
  • 2篇教育教学论坛
  • 1篇科学通报
  • 1篇中国科学：物...

年份

  • 2篇2016
  • 3篇2015
  • 2篇2014
  • 4篇2013
  • 2篇2012
  • 1篇2011
  • 2篇2006
共 16 条 记 录，以下是 1-10
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排序方式：
砷化镓光导开关中电流丝的自发辐射效应被引量：4
2014年
应用统计物理方法研究了高增益砷化镓光导开关中电流丝的自发辐射效应.导出了高增益砷化镓光导开关中电流丝的自发辐射规律,在砷化镓样品中引入复合辐射强度与辐射的波长分布函数的概念,近似确定了高增益砷化镓光导开关中电流丝的平均辐射复合系数为(883 nm)≈0.1125,导出了各辐射波长的辐射复合系数与平均辐射复合系数之间的关系,验证了峰值波长为890 nm的光输出能量与实验观察结果吻合,在理论上揭示了电流丝顶部的光生载流子密度的分布规律.结果表明:电流丝的体积面积比值和电流丝内平均载流子密度是影响电流丝辐射效应的两个主要因素,波长876 nm的辐射在紧邻电流丝顶部产生的最大载流子密度具有主导作用,最大光生载流子密度比电流丝内平均载流子密度小1–2个数量级.
刘鸿郑理阮成礼杨洪军杨维郑勇林
关键词：砷化镓光导开关
光导开关产生的非线性电脉冲的数值解释
2006年
针对光导开关产生的非线性电脉冲的实验结果:线性脉冲—延迟—雪崩(不稳定)—锁定(基本稳定),结合物理原理,应用二维器件模拟器MED IC I,对光导开关的数值模拟结果进行了分析讨论;同时,提出了一个自洽的物理机制.结果表明:理论模拟结果与实验结果相比较基本符合,提出的非线性光导开关的物理机制基本上可以解释光导开关在非线性模式下的各种特征,为进一步解决怎样能使输出的电脉冲更稳定提供了一定的理论依据.
刘鸿郑理吴明和
关键词：数值模拟物理机制
大学物理教学中科学思想方法培养的实践探索
2015年
科学思想方法是分析问题和解决问题能力的基础。本文结合大学物理课堂教学实践,主要论述了从应用微积分知识和迅速应用已学知识两个方面,培养学生的科学思想方法。
刘鸿郑理
关键词：大学物理教学科学思想方法
砷化镓光导开关中电流丝的自发辐射能量分析被引量：3
2013年
研究了高增益砷化镓光导开关中电流丝的自发辐射能量。从砷化镓光导开关中电流丝的非平衡载流子复合出发,导出了电流丝的自发辐射能量公式,建立了电流丝自发辐射的理论模型。在电流丝达到稳定状态的条件下,计算了电流丝一端的辐射波长为875nm和四个峰值波长的自发辐射能量,其中峰值波长890nm的最大光输出能量与实验观察结果吻合,合理解释了电流丝的自发辐射现象,对应用这个模型计算其他辐射波长的光输出能量给予了支持,为进一步深入定量分析电流丝辐射的光致电离效应奠定了基础。
刘鸿郑理杨洪军杨维郑勇林朱晓玲
关键词：光电子学砷化镓光导开关
砷化镓光导开关的畴电子崩理论分析被引量：13
2011年
在分析半绝缘(SI)砷化镓光导开关(PCSS)中丝状电流(流注)形成和传播的实验结果的基础上,提出了高增益砷化镓光导开关中的畴电子崩(EAD)理论.该理论完善了EAD概念,揭示了高增益GaAsPCSS中局域内的强电场作用和高载流子密度效应使非平衡载流子密度稳定增长,从而导致流注形成.应用EAD理论合理地解释了GaAsPCSS中电流丝的形成和传播,解释了在器件两端的偏置电场低于载流子本征碰撞电离的电场阈值条件下器件中存在载流子雪崩生长等实验现象,结果表明在这类具有转移电子效应的半导体器件中,EAD理论是分析流注形成的基本理论.
刘鸿阮成礼郑理
关键词：光导开关
砷化镓光导开关中流注890nm辐射的光致电离效应被引量：4
2013年
分析了高增益砷化镓光导开关中流注一端波长890 nm自发辐射的光致电离效应,导出了砷化镓光导开关中流注顶部波长890 nm自发辐射在吸收区域产生的载流子密度分布规律.计算结果表明,紧邻流注顶部处的光生载流子密度最大,波长890 nm自发辐射产生的最大载流子密度比流注内平均载流子密度至少小3个数量级.
刘鸿郑理杨洪军戴松晖王晓茜
关键词：光电子学砷化镓光导开关流注
砷化镓光导开关中电流丝的辐射复合系数研究被引量：1
2013年
应用统计物理方法研究了砷化镓光导开关中电流丝(即流注)的辐射复合系数。通过分析砷化镓光导开关中电流丝一端的自发辐射光谱,依据简单平均法和归一化条件,确定了电流丝辐射波长为890 nm的辐射复合系数为0.118 2,与相关实验测量吻合。
郑理刘鸿
关键词：光电子学砷化镓光导开关
砷化镓光导开关中的电子雪崩域
2015年
分析了高增益砷化镓光导开关中载流子的碰撞电离现象,阐明了光致电离效应和转移电子效应高场畴的意义,揭示了电子雪崩域形成的充分必要条件和载流子的局域雪崩生长特性,理论分析与实验观察一致.
刘鸿郑理朱晓玲杨维戴松晖杨煜婷邬丹
关键词：砷化镓光导开关碰撞电离
砷化镓光导开关中流注自发辐射实验的理论分析被引量：3
2012年
分析了高增益砷化镓光导开关中流注(即电流丝)一端不同辐射波长的自发辐射实验现象,导出了不同辐射波长的辐射复合系数之间的关系,拓展了电流丝的自发辐射随电流丝电流变化的数学模型.
刘鸿郑理杨洪军杨维郑勇林
关键词：砷化镓光导开关
砷化镓光导开关中的有效电流丝段
2016年
分析了高增益砷化镓光导开关中电流丝(即流注)顶端1ps的光生载流子密度分布.提出了"有效电流丝段"的概念,导出了有效电流丝段的光致电离效应公式,揭示了电流丝顶部前面最大光生载流子密度只随着电流丝半径变化的规律.
刘鸿郑理杨维朱晓玲戴松晖杨洪军
关键词：砷化镓光导开关
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