赵莹莹
- 作品数：27 被引量：0H指数：0
- 供职机构：中国科学院物理研究所更多>>
- 相关领域：理学一般工业技术自动化与计算机技术电气工程更多>>
- 保持MnNiGe基材料的强磁共结构相变的方法及应用
- 本发明提供一种保持MnNiGe基材料的强磁共结构相变的方法及应用，所述方法包括去除粒径小于100μm的颗粒，所述MnNiGe基材料为Mn<Sub>1-x</Sub>Fe<Sub>x</Sub>NiGe或MnNi<Sub>...
- 武荣荣胡凤霞刘瑶王晶章明赵莹莹沈斐然孙继荣沈保根
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- 锰氧化物薄膜中的晶格应变效应研究
- 王晶胡凤霞陈岭赵莹莹孙继荣沈保根
- 具有电荷轨道有序转变及各向异性场致电阻效应的异质结构材料及其制备方法和用途
- 本发明提供一种具有电荷轨道有序特性及各向异性场致电阻效应的异质结构材料，所述异质结构材料包括：(011)或其斜切取向的PMN-PT单晶衬底和外延生长于其上的钙钛矿锰氧化物薄膜，其中，所述衬底与薄膜的晶格失配度为1～6%。...
- 王晶胡凤霞赵莹莹匡皓卢海霞孙继荣沈保根
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- 一种负膨胀材料及其制备方法和用途
- 本发明提供一种Mn(Co,Ni)Ge基负膨胀材料，所述材料包括合金颗粒和将所述合金颗粒粘结成块体材料的胶粘剂，其中，所述合金颗粒的化学通式为Mn<Sub>1‑x</Sub>M<Sub>x</Sub>CoGe、MnCo<S...
- 胡凤霞赵莹莹武荣荣王晶包立夫刘瑶沈斐然匡皓孙继荣沈保根
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- 具有正的场致电阻效应的异质结构材料及其制备方法和用途
- 本发明提供一种具有正的场致电阻效应的异质结构材料及其制备方法和用途。所述材料包括：(001)、(011)或其斜切取向的具有反压电特性的PMN-PT单晶衬底和外延生长于该单晶衬底上的钙钛矿型锰氧化物薄膜，其中，所述PMN-...
- 赵莹莹胡凤霞王晶匡皓王栓虎孙继荣沈保根
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- 以高Ce工业纯混合稀土为原料制备的La(Fe
- 本发明提供一种以高Ce工业纯混合稀土为原料制备的La(Fe,Si)<Sub>13</Sub>基磁制冷材料，其化学通式为：La<Sub>1-x</Sub>(Ce,Pr,Nd)<Sub>x</Sub>(Fe<Sub>1-p-...
- 陈岭胡凤霞王晶包立夫赵莹莹沈保根孙继荣
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- 各向异性应变在电场调控磁性中的重要作用
- 随着高密度存储需求的不断增长,非易失性随机存储器不断面临着新的挑战,随之应力调控的磁电耦合效应引起了人们的广泛关注[1].在磁电耦合发展初期,人们认为单相多铁材料为最佳研究对象,但随着研究的不断深入,结果表明这类材料的磁...
- 赵莹莹王晶胡凤霞孙继荣沈保根
- 晶格应变导致的锰氧化物薄膜局域畸变及相关物性研究
- 由于电荷、自旋、晶格以及轨道等自由度间的强烈耦合,钙钛矿结构锰氧化物R1-xAxMnO3呈现极为丰富的物理内容如双交换作用、超大磁电阻、金属绝缘体转变以及相分离等[1].众多实验结果表明电声耦合作用可导致Mn3+离子单电...
- 王晶胡凤霞赵莹莹孙继荣沈保根
- 原材料杂质对La(Fe,Si)13基材料的相形成和巨磁热效应的影响
- 包立夫刘瑶陈岭胡凤霞王晶赵莹莹孙继荣沈保根
- 保持MnNiGe基材料的强磁共结构相变的方法及应用
- 本发明提供一种保持MnNiGe基材料的强磁共结构相变的方法及应用，所述方法包括去除粒径小于100μm的颗粒，所述MnNiGe基材料为Mn<Sub>1‑</Sub><Sub>x</Sub>Fe<Sub>x</Sub>NiG...
- 武荣荣胡凤霞刘瑶王晶章明赵莹莹沈斐然孙继荣沈保根
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