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赵宇坤

作品数:10 被引量:2H指数:1
供职机构:西安交通大学更多>>
发文基金:国家高技术研究发展计划更多>>
相关领域:理学机械工程文化科学更多>>

文献类型

  • 9篇专利
  • 1篇期刊文章

领域

  • 1篇机械工程
  • 1篇文化科学
  • 1篇理学

主题

  • 6篇晶体
  • 6篇光子
  • 6篇光子晶体
  • 4篇电子束刻蚀
  • 4篇左手材料
  • 4篇刻蚀
  • 4篇光子带隙
  • 4篇光子晶体结构
  • 4篇发光
  • 4篇干法刻蚀
  • 4篇波长
  • 3篇纳米
  • 2篇渔网
  • 2篇三维光子晶体
  • 2篇纳米压印
  • 2篇纳米压印技术
  • 2篇结温
  • 2篇孔洞
  • 2篇交汇
  • 2篇交汇点

机构

  • 10篇西安交通大学

作者

  • 10篇云峰
  • 10篇赵宇坤
  • 2篇黄亚平
  • 1篇王宏
  • 1篇侯洵
  • 1篇张烨
  • 1篇郭茂峰
  • 1篇丁文
  • 1篇王越

传媒

  • 1篇物理学报

年份

  • 1篇2017
  • 5篇2015
  • 1篇2014
  • 3篇2013
10 条 记 录,以下是 1-10
排序方式:
一种共振峰位可调的金属纳米结构的制备方法
一种共振峰位可调的金属纳米结构的制备方法,先使PS纳米球溶液分散均匀后在水面预组装形成PS纳米球单层膜,然后将PS纳米球单层膜转移至经亲水性处理的样品表面,再在样品表面沉积金属,最后去除样品表面的PS纳米球,即得到共振峰...
云峰赵宇坤黄亚平李虞锋
文献传递
一种半导体发光器件结温的测量方法
本发明提供一种半导体发光器件结温的测量方法,首先确定蓝移和红移的交汇点,得到最小峰值波长λ<Sub>0</Sub>及λ<Sub>0</Sub>对应的结温T<Sub>0</Sub>,然后根据蓝移区结温函数得到其对应的结温T...
云峰赵宇坤
一种LED三维光子晶体结构及制备方法
本发明公开了一种LED三维光子晶体结构及制备方法,其特征在于,采用纳米压印技术、蒸镀技术以及气相沉积技术等相结合的工艺制备,p-GaN层上表面刻蚀有多个圆柱孔洞形成3D光子晶体单元阵列,圆柱孔洞相互之间形成等边三角形排布...
云峰赵宇坤
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一种含左手材料的LED反光镜晶体及制备方法
本发明公开了一种含左手材料的LED反光镜晶体及制备方法。结构特点包括:(1)反光镜底部为一层电流扩散层;(2)反光镜结构为一层右手材料和一层左手材料交替排列;(3)左手材料层中的空隙为渔网结构,并且填充固态增益材料,以减...
云峰赵宇坤
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一种含左手材料的LED 光子晶体及制备方法
本发明涉及一种含左手材料的LED光子晶体及制备方法,其特征在于:(1)光子晶体为一层右手材料和一层左手材料交替排列;(2)左手材料层中的空隙为“瑞士十字”结构,可以矩形排列或三角形排列,并且填充弱导电材料;(3)光子晶体...
云峰赵宇坤
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一种LED三维光子晶体结构及制备方法
本发明公开了一种LED三维光子晶体结构及制备方法,其特征在于,采用纳米压印技术、蒸镀技术以及气相沉积技术等相结合的工艺制备,p-GaN层上表面刻蚀有多个圆柱孔洞形成3D光子晶体单元阵列,圆柱孔洞相互之间形成等边三角形排布...
云峰赵宇坤
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Ni/Ag/Ti/Au与p-GaN的欧姆接触性能及光反射率被引量:2
2014年
研究了不同Ni厚度的Ni/Ag/Ti/Au电极在不同退火温度和退火气氛下与p-GaN之间的欧姆接触性能以及电极的光反射率的变化.采用矩形传输线模型对各电极的比接触电阻率进行测算,利用分光光度计对电极在不同波长下的反射率进行测量.结果表明,Ni金属层的厚度越小,电极的光反射率越高,而Ni层厚度对比接触电阻率的影响较小;当退火温度高于400℃后,电极的光反射率降低,在氧气氛围中退火后光反射率比在氮气中退火后下降更加明显.但在氧气氛围中退火有利于减小比接触电阻率.综合考虑接触电阻和光反射率,电极Ni(1 nm)/Ag/Ti/Au在400℃氧气中快速退火后得到了较好的结果,其比接触电阻率为5.5×10-3Ω·cm2,在450 nm处反射率为85%.利用此电极制作了垂直结构发光二极管(LED)器件,LED在350 mA注入电流下,工作电压为3.2 V,发光功率为270 mW,电光转换效率达到24%.
黄亚平云峰丁文王越王宏赵宇坤张烨郭茂峰侯洵刘硕
关键词:P-GAN欧姆接触反射率快速退火
一种含左手材料的LED 反光镜晶体及制备方法
本发明公开了一种含左手材料的LED反光镜晶体及制备方法。结构特点包括:(1)反光镜底部为一层电流扩散层;(2)反光镜结构为一层右手材料和一层左手材料交替排列;(3)左手材料层中的空隙为渔网结构,并且填充固态增益材料,以减...
云峰赵宇坤
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一种半导体发光器件结温的测量方法
本发明提供一种半导体发光器件结温的测量方法,首先确定蓝移和红移的交汇点,得到最小峰值波长λ<Sub>0</Sub>及λ<Sub>0</Sub>对应的结温T<Sub>0</Sub>,然后根据蓝移区结温函数得到其对应的结温T...
云峰赵宇坤
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一种含左手材料的LED光子晶体及制备方法
本发明涉及一种含左手材料的LED光子晶体及制备方法,其特征在于:(1)光子晶体为一层右手材料和一层左手材料交替排列;(2)左手材料层中的空隙为“瑞士十字”结构,可以矩形排列或三角形排列,并且填充弱导电材料;(3)光子晶体...
云峰赵宇坤
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共1页<1>
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